硅-氧化硅-铌酸锂高带宽电光调制器及集成方法技术

硅

【技术实现步骤摘要】
硅
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氧化硅
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铌酸锂高带宽电光调制器及集成方法


[0001]本专利技术涉及光电器件集成领域，具体是一种硅
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氧化硅
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铌酸锂晶圆的高带宽电光调制器电光调制器及集成方法。
技术背景
[0002]随着光通信、微波光子、光量子计算与光子智能系统的快速发展，电光调制器作为上述系统中的核心器件之一，一直受到广泛关注与研究。与此同时，随着集成技术的发展，在片上实现集成调制器的手段也越来越丰富。利用硅基集成技术可以实现大规模、低成本的电光调制器。而随着薄膜铌酸锂制备技术的发展，电光调制器可以达到更高的线性度和带宽。与此同时，硅/氮化硅
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铌酸锂异质集成电光调制器也展现除了其独特的优势。例如，利用晶圆键合技术将铌酸锂晶片键合至硅基芯片上，形成硅
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铌酸锂电波导，避免了铌酸锂的刻蚀，同时也发挥了硅基材料的成熟制备工艺以及高密度集成的优势(参见文献1：Peter O.Weigel，et al.，
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Bonded thin film lit本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅
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氧化硅
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铌酸锂高带宽电光调制器，其特征在于，晶圆结构从上到下依次为硅衬底层(1)、氧化硅隔离层(2)、铌酸锂薄膜层(3)、氧化硅缓冲层(4)与硅薄膜层(5)；所述电光调制器为推挽式结构，沿光传播方向波导结构依次为第一多模干涉仪(5.1)、第一模斑转换器(5.2)、电光移相臂(5.3)、第二模斑转换器(5.4)和第二多模干涉仪(5.5)；所述第一多模干涉仪(5.1)以及第二多模干涉仪(5.5)设置在所述硅薄膜层(5)，并在所述第一多模干涉仪(5.1)的一臂附近沉积金属薄膜作为热电极(8)；所述的第一模斑转换器(5.2)、电光移相臂(5.3)和第二模斑转换器(5.4)设置在所述氧化硅缓冲层(4)和硅薄膜层(5)，并在所述电光移相臂(5.3)附近沉积金属薄膜作为行波电极(7)。2.根据权利要求1所述的硅
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氧化硅
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铌酸锂高带宽电光调制器，其特征在于，所述行波电极(7)由两端的弯曲部和中间的直线部构成，所述行波电极(7)的弯曲部分别与所述第一多模干涉仪(5.1)和第二多模干涉仪(5.5)交叉。3.根据权利要求1或2所述的硅
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氧化硅
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铌酸锂高带宽电光调制器，其特征在于，在所述第一多模干涉仪(5.1)和第二多模干涉仪(5.5)上沉积氧化硅包层(6)。4.根据权利要求1或2所述的硅
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氧化硅
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铌酸锂高带宽电光调制器，其特征在于，在所述第一模斑转换器(5.2)和第二模斑转换器(5.4)区域上沉积氧化硅包层(6)，在所述电光移相臂(5.3)区域上沉积氧化硅包层(6)。5.根据权利要求1
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4任一所述的硅
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氧化硅
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铌酸锂晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹卫文，王静，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：