变化曲线生成方法、探测方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种变化曲线生成方法、探测方法、装置、设备及介质，涉及光电探测技术领域，变化曲线生成方法包括：获取表示在预设环境温度下对预设物体进行探测得到的电压值与预设物体的真实温度之间的对应关系的第一变化曲线；基于红外探测器所属的红外设备中各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，以及红外探测器在目标环境温度下的响应率，对第一变化曲线进行调整得到目标环境温度对应的第二变化曲线，以表示在目标环境温度下对被测物进行探测得到的电压值与被测物的温度之间的对应关系；一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度为该目标结构单元在目标环境温度下对红外探测器的辐射照度。如此，能够提高探测结果的准确性。高探测结果的准确性。高探测结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
变化曲线生成方法、探测方法、装置、设备及介质


[0001]本申请涉及光电探测
，特别是涉及一种变化曲线生成方法、探测方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]温度高于绝对零度(
‑
273℃)的物体都会向外发出红外辐射，物体发出的红外辐射可以表示物体的温度。相应的，可以通过红外设备采集物体发出的红外辐射，以度量物体的温度。红外探测器为红外设备的关键器件，用于将入射的红外辐射转换为电信号。例如，红外设备可以为红外热像仪，红外热像仪中的红外探测器可以接收被测物发出的红外辐射，并接收到的红外辐射转换为电信号。进而，可以对电信号进行信号处理得到电压值，并根据得到的电压值确定被测物的温度。
[0003]相关技术中，可以预先在任一环境温度下对预设物体进行探测，得到红外探测器在该环境温度下对预设物体进行探测得到的电压值与预设物体的真实温度之间的对应关系，作为红外探测器的变化曲线。进而，在任一环境温度下，获取红外探测器对被测物进行探测得到的电压值，并按照该变化曲线计算得到的电压值对应的温度，作为被测物的温度。
[0004]然而，当环境温度发生变化时，由于温漂现象，红外探测器对被测物进行探测得到的电压值与被测物的温度之间的对应关系也会发生变化。相关技术中，并不会考虑环境温度的影响，也就会导致最终得到的被测物的温度与被测物的真实温度存在一定的偏差，降低了红外探测器的探测结果的准确性。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种变化曲线生成方法、探测方法、装置、设备及介质，以减小最终得到的被测物的温度与被测物的真实温度之间的偏差，提高红外探测器的探测结果的准确性。具体技术方案如下：
[0006]本申请实施的第一方面，提供了一种变化曲线生成方法，所述方法包括：
[0007]获取第一变化曲线；其中，所述第一变化曲线表示：红外探测器在预设环境温度下对预设物体进行探测得到的电压值与所述预设物体的真实温度之间的对应关系；
[0008]基于所述红外探测器所属的红外设备中各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，以及所述红外探测器在目标环境温度下的第一响应率，对所述第一变化曲线进行调整，得到所述目标环境温度对应的第二变化曲线；其中，所述第二变化曲线表示：所述红外探测器在所述目标环境温度下对被测物进行探测得到的电压值与被测物的温度之间的对应关系；一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度表示：该目标结构单元在所述目标环境温度下对所述红外探测器的辐射照度。
[0009]可选的，所述目标结构单元为基于所述红外设备中的镜头、腔体以及挡片中的至少一项确定的。
[0010]可选的，一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度为基于该目标结构单元在所
述目标环境温度下的温度，以及指定参数得到的；
[0011]其中，所述指定参数包含：该目标结构单元的结构参数，和/或所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率；
[0012]该目标结构单元的结构参数包含以下至少一项：该目标结构单元的表面积、该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离、该目标结构单元与所述红外探测器的立体角、以及该目标结构单元的发射率。
[0013]可选的，一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度为基于以下算式计算得到的：
[0014]E＝μ1×
μ2×
T
m
[0015]其中，E表示该目标结构单元对应的第一内部辐射照度；T表示该目标结构单元在所述目标环境温度下的热力学温度；μ1表示该目标结构单元对应的第一权重值，该目标结构单元对应的第一权重值为基于该目标结构单元的表面积、该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离、该目标结构单元与所述红外探测器的立体角、以及该目标结构单元的发射率中的至少一项得到的；μ2表示该目标结构单元对应的第二权重值，该目标结构单元对应的第二权重值为基于该目标结构单元在所述目标环境温度下的温度，和/或所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率得到的；m表示预设参数。
[0016]可选的，针对每一目标结构单元，该目标结构单元对应的第一权重值与该目标结构单元的表面积呈正相关、与该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离呈负相关、与该目标结构单元与所述红外探测器的立体角呈正相关、与该目标结构单元的发射率呈正相关；
[0017]该目标结构单元对应的第二权重值与所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率呈正相关；在所述目标环境温度下，若所述红外探测器对小于指定波长的红外光的透过率小于预设透过率，则该目标结构单元对应的第二权重值与该目标结构单元在所述目标环境温度下的温度呈负相关。
[0018]可选的，所述第一变化曲线表示为第一算式，所述第一算式为：
[0019]y＝k
·
R
v
(T1)
·
[E1(T2)+E2(T3)]·
S
·
t+C
[0020]其中，针对所述红外探测器中的每一像元，y表示该像元在所述预设环境温度下对所述预设物体进行探测得到的电压值；k表示增益系数；T1表示所述红外探测器在所述预设环境温度下的温度；R
v
(T1)表示所述红外探测器在所述预设环境温度下的第二响应率；T2表示所述预设物体在所述预设环境温度下的温度；E1(T2)表示所述预设物体在所述预设环境温度下对该像元的辐射照度，E1(T2)为以物体的温度为自变量的函数；T3表示所述各目标结构单元在所述预设环境温度下的温度；E2(T3)表示所述各目标结构单元对应的第二内部辐射照度的总和；一个目标结构单元对应的第二内部辐射照度表示：该目标结构单元在所述预设环境温度下对所述红外探测器的辐射照度；S表示该像元的面积；t表示所述红外探测器的电路闭合工作时间；C表示偏移系数；
[0021]所述基于所述红外探测器所属的红外设备中各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，以及所述红外探测器在目标环境温度下的第一响应率，对所述第一变化曲线进行调整，得到所述目标环境温度对应的第二变化曲线，包括：
[0022]将所述第一算式中的所述第二响应率替换为所述红外探测器在目标环境温度下
的第一响应率；
[0023]将所述第一算式中所述各目标结构单元对应的第二内部辐射照度的总和，替换为所述各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，得到用于表示所述目标环境温度对应的第二变化曲线的算式。
[0024]本申请实施提供的第二方面，提供了一种探测方法，所述方法包括：
[0025]获取红外设备中的红外探测器在目标环境温度下对目标物体进行探测得到的电压值，作为目标电压值；
[0026]按照所述目标环境温度对应的第二变化曲线，计算所述目标电压值对应的温度，作为所述目标物体在所述目标环境温度下的温度；其中，所述第二变化曲线为基于上述任一所述的变化曲线生成方法得到的。
[0027]本申请实施的第三方面，提供了一种红外设备，所述红外设备包括：红本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变化曲线生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一变化曲线；其中，所述第一变化曲线表示：红外探测器在预设环境温度下对预设物体进行探测得到的电压值与所述预设物体的真实温度之间的对应关系；基于所述红外探测器所属的红外设备中各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，以及所述红外探测器在目标环境温度下的第一响应率，对所述第一变化曲线进行调整，得到所述目标环境温度对应的第二变化曲线；其中，所述第二变化曲线表示：所述红外探测器在所述目标环境温度下对被测物进行探测得到的电压值与被测物的温度之间的对应关系；一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度表示：该目标结构单元在所述目标环境温度下对所述红外探测器的辐射照度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标结构单元为基于所述红外设备中的镜头、腔体以及挡片中的至少一项确定的。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度为基于该目标结构单元在所述目标环境温度下的温度，以及指定参数得到的；其中，所述指定参数包含：该目标结构单元的结构参数，和/或所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率；该目标结构单元的结构参数包含以下至少一项：该目标结构单元的表面积、该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离、该目标结构单元与所述红外探测器的立体角、以及该目标结构单元的发射率。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，一个目标结构单元对应的第一内部辐射照度为基于以下算式计算得到的：E＝μ1×
μ2×
T
m
其中，E表示该目标结构单元对应的第一内部辐射照度；T表示该目标结构单元在所述目标环境温度下的热力学温度；μ1表示该目标结构单元对应的第一权重值，该目标结构单元对应的第一权重值为基于该目标结构单元的表面积、该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离、该目标结构单元与所述红外探测器的立体角、以及该目标结构单元的发射率中的至少一项得到的；μ2表示该目标结构单元对应的第二权重值，该目标结构单元对应的第二权重值为基于该目标结构单元在所述目标环境温度下的温度，和/或所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率得到的；m表示预设参数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，针对每一目标结构单元，该目标结构单元对应的第一权重值与该目标结构单元的表面积呈正相关、与该目标结构单元与所述红外探测器之间的距离呈负相关、与该目标结构单元与所述红外探测器的立体角呈正相关、与该目标结构单元的发射率呈正相关；该目标结构单元对应的第二权重值与所述红外探测器在所述目标环境温度下的透过率呈正相关；在所述目标环境温度下，若所述红外探测器对小于指定波长的红外光的透过率小于预设透过率，则该目标结构单元对应的第二权重值与该目标结构单元在所述目标环境温度下的温度呈负相关。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一变化曲线表示为第一算式，所述第一算式为：y＝k
·
R
v
(T1)
·
[E1(T2)+E2(T3)]
·
S
·
t+C
其中，针对所述红外探测器中的每一像元，y表示该像元在所述预设环境温度下对所述预设物体进行探测得到的电压值；k表示增益系数；T1表示所述红外探测器在所述预设环境温度下的温度；R
v
(T1)表示所述红外探测器在所述预设环境温度下的第二响应率；T2表示所述预设物体在所述预设环境温度下的温度；E1(T2)表示所述预设物体在所述预设环境温度下对该像元的辐射照度，E1(T2)为以物体的温度为自变量的函数；T3表示所述各目标结构单元在所述预设环境温度下的温度；E2(T3)表示所述各目标结构单元对应的第二内部辐射照度的总和；一个目标结构单元对应的第二内部辐射照度表示：该目标结构单元在所述预设环境温度下对所述红外探测器的辐射照度；S表示该像元的面积；t表示所述红外探测器的电路闭合工作时间；C表示偏移系数；所述基于所述红外探测器所属的红外设备中各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，以及所述红外探测器在目标环境温度下的第一响应率，对所述第一变化曲线进行调整，得到所述目标环境温度对应的第二变化曲线，包括：将所述第一算式中的所述第二响应率替换为所述红外探测器在目标环境温度下的第一响应率；将所述第一算式中所述各目标结构单元对应的第二内部辐射照度的总和，替换为所述各目标结构单元对应的第一内部辐射照度的总和，得到用于表示所述目标环境温度对应的第二变化曲线的算式。7.一种探测方法，其特征在于，所述方法包括：获取红外设备中的红外探测器在目标环境温度下对目标物体进行探测得到的电压值，作为目标电压值；按照所述目标环境温度对应的第二变化曲线，计算所述目标电压值对应的温度，作为所述目标物体在所述目标环境温度下的温度；其中，所述第二变化曲线为基于权利要求1
‑
6任一所述的方法得到的。8.一种红外设备，其特征在于，所述红外设备包括：红外探测器、处理器、以及各目标结构单元；其中，所述处理器用于执行权利要求1
‑
6，或7任一所述的方法。9.根据权利要求8所述的红外设备，其特征在于，所述目标结构单元为基于所述红外设备中的镜头、腔体以及挡片中的至少一项确定的。10.根据权利要求9所述的红外设备，其特征在于，所述红外设备还包括以下至少一项：用于检测所述镜头的温度的第一温...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，裴国超，吴辉阳，
申请(专利权)人：杭州微影软件有限公司，
类型：发明
国别省市：