调平装置、调平方法和键合设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种调平装置、调平方法和键合设备，所述调平装置包括：解耦单元，设置于所述上压盘的背向所述下压盘的一面上，所述解耦单元用于使得所述上压盘沿着Rx和Ry方向偏转；至少三组垂直调整单元，设置于所述上压盘和所述下压盘的外围，所述垂直调整单元包括阻尼调节杆和压缩调节杆，所述阻尼调节杆具备随压缩量变化而变化的阻尼；至少三组测量单元，用于在所述压缩调节杆压缩所述阻尼调节杆时，测量获得所述上压盘与所述基片之间的楔形误差。本发明专利技术的技术方案使得上压盘与基片之间的平行度能够自适应调平，进而使得键合精度得到提高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
调平装置、调平方法和键合设备


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种调平装置、调平方法和键合设备。

技术介绍

[0002]随着芯片产业的发展，越来越多的应用中需要将两片基片进行键合，以满足各种各样的需求。随着芯片的制程要求越来越高，两片基片键合时的键合精度要求也就显得越发重要。现有的键合方式一般为：将两片基片在下压盘上对准后，上压盘从基片上方向下对基片进行加压，从而使得两片基片进行键合。在该种键合方式下，上压盘在下压时其与基片之间的平行度对于最终的键合精度影响较大。
[0003]因此，如何控制上压盘与基片之间的平行度，以提高键合精度是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种调平装置、调平方法和键合设备，使得上压盘与基片之间的平行度能够自适应调平，进而使得键合精度得到提高。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种调平装置，用于调整上压盘与位于下压盘上的基片之间的平行度，所述上压盘与所述下压盘相对设置，所述上压盘和所述下压盘设置于一真空腔体中，所述调平装置包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调平装置，用于调整上压盘与位于下压盘上的基片之间的平行度，所述上压盘与所述下压盘相对设置，所述上压盘和所述下压盘设置于一真空腔体中，其特征在于，所述调平装置包括：解耦单元，设置于所述上压盘的背向所述下压盘的一面上，所述解耦单元用于使得所述上压盘沿着Rx和Ry方向偏转；至少三组垂直调整单元，设置于所述上压盘和所述下压盘的外围，所述垂直调整单元包括阻尼调节杆和压缩调节杆，所述阻尼调节杆具备随压缩量变化而变化的阻尼；至少三组测量单元，用于在所述压缩调节杆压缩所述阻尼调节杆时，测量获得所述上压盘与所述基片之间的楔形误差。2.如权利要求1所述的调平装置，其特征在于，所述解耦单元包括上下相对设置的两组解耦组件，所述解耦组件包括球窝和球面部件，所述球面部件在所述球窝中旋转，以使得所述上压盘沿着Rx和Ry方向偏转。3.如权利要求2所述的调平装置，其特征在于，两个所述球面部件位于两个所述球窝之间，两个所述球面部件的非球面相对设置，一个所述球窝与所述上压盘接触。4.如权利要求1所述的调平装置，其特征在于，所述解耦单元包括簧片，所述簧片的边缘区域固定于所述上压盘的背向所述下压盘的一面上，以使得所述簧片的中间区域与所述上压盘之间存在间隙。5.如权利要求1所述的调平装置，其特征在于，所述阻尼调节杆垂直地设置于所述上压盘上，所述压缩调节杆可垂向升降地设置于所述真空腔体的底壁上，且所述压缩调节杆从所述真空腔体的内部延伸至外部。6.如权利要求5所述的调平装置，其特征在于，所述测量单元包括测量板、透明视窗和测量传感器，所述测量板平行地设置于所述上压盘的边缘，所述阻尼调节杆通过所述测量板垂直地设置于所述上压盘上，所述透明视窗设置于所述真空腔体的底壁上，所述测量传感器用于在所述压缩调节杆压缩所述阻尼调节杆时，透过所述透明视窗测量所述测量板与所述测量传感器之间的距离，以计算获得所述楔形误差。7.如权利要求5所述的调平装置，其特征在于，所述压缩调节杆的位于所述真空腔体外部的部分与所述真空腔体的底壁之间连接有第一波纹管，以使得所述压缩调节杆与所述真空腔体之间密封。8.如权利要求1所述的调平装置，其特征在于，所述压缩调节杆垂直地设置于所述上压盘上，所述阻尼调节杆可垂向升降地设置于所述真空腔体的底壁上，且所述阻尼调节杆从所述真空腔体的内部延伸至外部。9.如权利要求8所述的调平装置，其特征在于，所述测量单元包括测量板和测量传感器，所述测量板垂直地设置于所述阻尼调节杆的位于所述真空腔体外部的部分上，所述测量传感器用于在所述压缩调节杆压缩所述阻尼调节杆时，测量所述测量板与所述测量传感器之间的距离，以计算获得所述楔形误差。10.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鸷，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：