【技术实现步骤摘要】
半导体单晶硅用石英坩埚
[0001]本专利技术属于石英坩埚
，尤其涉及半导体单晶硅用石英坩埚。
技术介绍
[0002]当前制备单晶硅主要有两种技术，根据单晶硅晶体的生长方式不同可分为区熔法制单晶硅和直拉法制单晶硅，直拉法制备单晶硅是将单晶硅半成品放入坩埚内加热熔化，再通过提拉杆底端的籽晶使熔化的单晶硅沿着提拉杆生长成单晶硅棒，通过直拉法制备的单晶硅，单晶硅的完整性很高，同时具有较大的晶体尺寸。
[0003]如公开号为CN213113596U，高氧半导体单晶硅用石英坩埚，包括单晶炉，单晶炉内设有坩埚托盘，坩埚托盘内设有坩埚，坩埚托盘与坩埚之间设有定位装置，定位装置包括定位架、定位柱、弧形限位板、调节装置、限位盘和弹簧，坩埚托盘的两侧均固定设有定位架，两个定位架上均设有定位柱，两个定位柱的上端均设有弧形限位板，弧形限位板为倒L形，两个弧形限位板之间设有坩埚，定位柱与弧形限位板之间通过调节装置连接，定位柱的底端贯穿定位架，定位柱的底端设有限位盘，定位柱上套设有弹簧，弹簧设置在定位架与限位盘之间。本专利技术通过坩埚托盘...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体单晶硅用石英坩埚，其特征在于，包括单晶炉（1）和石英坩埚（23），所述单晶炉（1）底部设置有托盘（2），所述托盘（2）外侧固定设置有支撑板（3），所述支撑板（3）左右两端均设置有第一通孔（4），所述第一通孔（4）内滑动设置有限位杆（5），所述限位杆（5）底部设置有第一挡板（6），所述第一挡板（6）与所述支撑板（3）之间设置有第一弹簧（7），所述限位杆（5）外侧滑动设置有移动座（8），所述限位杆（5）前侧设置有限位孔（9），所述移动座（8）前侧设置有第二通孔（10），所述第二通孔（10）内滑动设置有插销（11），所述插销（11）远离所述限位杆（5）的一端设置有第二挡板（12），所述第二挡板（12）与所述移动座（8）之间设置有第二弹簧（25），所述插销（11）与所述限位孔（9）卡接配合，所述移动座（8）下端设置有夹紧装置（24）。2.根据权利要求1所述的半导体单晶硅用石英坩埚，其特征在于：所述夹紧装置（24）包括第一夹紧块（13）和第二夹紧块（14）...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱旦，陈治华，王吉祥，舒闵，
申请(专利权)人：常州裕能石英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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