【技术实现步骤摘要】
一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头及其制备方法
[0001]本专利技术属于超导领域,具体涉及一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头及其制备方法。
技术介绍
[0002]NbTi超导体自发现以来,得到了广泛的关注。NbTi超导体是目前所有超导体中发展最成熟,应用最广泛的超导材料。NbTi超导体是一种金属铌和钛的合金,具有金属材料特有的金属特性,具有良好的塑性延展性,同时还具有较高的超导转变温度和临界磁场(转变温度大于9K,上临界磁场约11T@4.2K)。
[0003]NbTi超导线是原始锭通过多次拉拔和退火成型,虽然单根线材可做到公里级,但是用于绕制超导磁体特别是大型超导磁体,长度还远远不够。此外,由于磁体设计的需要,要求对磁体进行分级,需要多种线规,不同尺寸的NbTi超导线绕制超导线圈,以分散不同的应力。因此,需要制备NbTi超导接头,对不同长度、不同尺寸规格的NbTi超导线进行超导连接,使NbTi超导线圈形成一个完整的超导回路,根据设计需要产生足够高的磁场大小。
[0004]超导接头的超导性能对于超导磁体至关重 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头,其特征在于,所述耐磁场超低电阻NbTi接头由从上到下分别为第一NbTi超导丝、第一Nb过渡层、Nb3Sn超导块、第二Nb过渡层和第二NbTi超导丝;所述的Nb3Sn超导块由微米级Nb粉、Sn粉高温烧结得到;所述第一Nb过渡层、第二Nb过渡层由纳米Nb粉压力成型后与Nb3Sn同步烧结得到。2.根据权利要求1所述的一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、去除NbTi超导线端部的绝缘层,所述绝缘层包括绝缘漆或者编织物绝缘层;步骤2、将去除绝缘后的NbTi超导线两端浸入硝酸溶液中,浸入长度为1cm
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10cm,去除超导线两端的Cu,暴露出NbTi超导丝;步骤3、将第一Nb粉和Sn粉混合后通过压力成型,形成块体,成型压力在2t
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10t;第一Nb粉和Sn粉的粒径为5
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50um;将压力成型后的块体上、下表面重新加入第二Nb粉,进行二次压力成型,分别形成第一Nb过渡层和第二Nb过渡层,成型压力在10t
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40t,第二次压力成型后,第一Nb过渡层、第二Nb过渡层的厚度不超过0.5mm,第二Nb粉的粒径为10
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100nm;步骤4、将第一Nb过渡层、压力成型的块...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙万硕,王磊,程军胜,戴银明,胡新宁,陈顺中,王晖,刘建华,王秋良,
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所,
类型:发明
国别省市:
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