本发明专利技术公开了一种发光装置，其包含发光面板及导光结构。发光面板包含像素，而像素包含第一子像素。导光结构设置于发光面板上，并包含多个导光单元。在发光装置的俯视方向上，部分的导光单元与第一子像素重叠的数量N满足下列方程：(25540(X*Y)^
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种对其导光单元的数量进行优化的发光装置。
技术介绍
[0002]在一般的发光装置中，其光源所发出的光线会通过透镜结构进行导引，以减少光源的驱动电流，而达到节能省电。但透镜要使用多少颗数量才能有效地将导引光线，现有技术对此并未有教示。
技术实现思路
[0003]根据一些实施例，本专利技术公开了一种发光装置，其包含发光面板及导光结构。发光面板包含像素，而像素包含第一子像素。导光结构设置于发光面板上，并包含多个导光单元。在发光装置的俯视方向上，部分的导光单元与第一子像素重叠的数量N满足下列方程：(25540(X*Y)^
‑
1)+(173600000(X*Y)^
‑
2)－(0.000749(X*Y)^
‑
3)+(0.0791(X*Y)^
‑
4)－(2.548(X*Y)^
‑
5)－0.1085≤N≤(44027(X*Y)^
‑
1)+(430300000(X*Y)^
‑
2)－(0.005148(X*Y)^
‑
3)+(0.5005(X*Y)^
‑
4)－(15.6(X*Y)^
‑
5)－0.00081967。其中，X为发光面板以每英寸像素为单位时的分辨率，而Y为单一个导光单元以微米为单位时的尺寸。
附图说明
[0004]图1为本专利技术一实施例的发光装置的剖视示意图。
[0005]图2为图1的发光装置的俯视示意图。
[0006]图3用以说明图1的导光单元与像素的子像素之间的对应位置和大小。
[0007]图4A用以说明本专利技术不同实施例的导光单元的几种可能的形状。
[0008]图4B至图4D用以说明本专利技术的导光单元的尺寸的定义方式。
[0009]图5A和图5B用以说明本专利技术的导光单元的几种排列方式。
[0010]图6A至图6C用以说明本专利技术的其他发光装置的单一基板、发光结构层、导光结构及光转换结构的不同设置方式。
[0011]图7A至图7C用以说明本专利技术的其他发光装置的两个基板、发光结构层、导光结构及光转换结构的不同设置方式。
[0012]图8至图12为本专利技术不同实施例的具有双基板的发光装置的剖视示意图。
[0013]图13A至图13D用以说明本专利技术的具有单一基板的发光装置的不同结构。
[0014]图14为图1的发光装置的另一俯视示意图。
[0015]图15为图14的发光装置沿虚线15
‑
15
’
的剖面图。
[0016]附图标记说明：10、20、30、40、50、60
‑
发光装置；100
‑
发光面板；101、102
‑
基板；104
‑
缓冲层；110
‑
电路层；112
‑
发光单元；120
‑
像素；122G、122B、122R
‑
子像素；126
‑
电极；128
‑
电容；129
‑
辅助电极；130
‑
像素界定层；140
‑
发光结构层；142a、142b
‑
有机发光层；
144a、144b
‑
无机材料层；145
‑
电极层；146、148
‑
无机材料层；147
‑
有机材料层；149
‑
保护层；149A
‑
斜坡；150、150B
‑
导光结构；152
‑
导光单元；154
‑
柱状隔垫物；160
‑
密封层；162
‑
绝缘层；164
‑
保护层；170
‑
光转换结构；172G、172B、172R
‑
光转换单元；174
‑
遮光结构；176
‑
绝缘层；180
‑
滤光结构；182G、182B、182R
‑
滤光单元；184
‑
遮光结构；200
‑
出光结构；310
‑
非显示区域；320
‑
显示区域；HD1、HD2、TD
‑
方向；h
‑
距离；h1、h2
‑
间距；OP1至OP9
‑
开口；p
‑
宽度；q
‑
长度；x、x1、x2、x3
‑
宽度；Y
‑
尺寸；y
‑
长度。
具体实施方式
[0017]下文结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本专利技术中的多张图式只绘出装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术的范围。
[0018]本专利技术通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或“具有”时，其指定了所述特征、区域、步骤、操作和/或元件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、区域、步骤、操作、元件和/或其组合的存在或增加。
[0019]当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”或“电性连接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，或是通过一或多个构件间接地连接到此另一构件。
[0020]本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本专利技术。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
[0021]说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包含：发光面板，包含像素，该像素包含第一子像素；以及导光结构，设置于该发光面板上，并包含多个导光单元；其中，在该发光装置的俯视方向上，部分的该多个导光单元与该第一子像素重叠的数量N满足下列方程：(25540(X*Y)^
‑
1)+(173600000(X*Y)^
‑
2)－(0.000749(X*Y)^
‑
3)+(0.0791(X*Y)^
‑
4)－(2.548(X*Y)^
‑
5)－0.1085≤N≤(44027(X*Y)^
‑
1)+(430300000(X*Y)^
‑
2)－(0.005148(X*Y)^
‑
3)+(0.5005(X*Y)^
‑
4)－(15.6(X*Y)^
‑
5)－0.00081967；其中，X为该发光面板以每英寸像素为单位时的分辨率，而Y为单一个导光单元以微米为单位时的尺寸。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在该发光装置的该俯视方向上，该多个导光单元为多边形，而该重叠的数量N满足下列方程：(23707(X*Y)^
‑
1)+(231700000(X*Y)^
‑
2)－(0.00277(X*Y)^
‑
3)+(0.2695(X*Y)^
‑
4)－(8.4(X*Y)^
‑
5)－0.000441361≤N≤(44027(X*Y)^
‑
1)+(430300000(X*Y)^
‑
2)－(0.005148(X*Y)^
‑
3)+(0.5005(X*Y)^
‑
4)－(15.6(X*Y)^
‑
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗翰，林小郎，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。