阵列基板和显示设备制造技术

提供一种阵列基板。所述阵列基板包括限定多个子像素区域的像素限定层。所述像素限定层包括底切结构。所述底切结构包括：位于衬底基板上的第一绝缘层；以及位于第一绝缘层的远离衬底基板的一侧的第二绝缘层。所述第一绝缘层相对于所述第二绝缘层被底切。相对于所述第二绝缘层被底切。相对于所述第二绝缘层被底切。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板和显示设备


[0001]本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板和显示设备。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)显示设备是自发射器件，不需要背光。与传统的液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以比典型的LCD更具柔性、更薄、更轻。
[0003]OLED显示设备通常包括阳极、包括有机发光层的有机层和阴极。OLED可以是底发射型OLED或顶发射型OLED。在底发射型OLED中，光从阳极侧被提取。在底发射型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常是反射性的。在顶发射型OLED中，光从阴极侧被提取。阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。

技术实现思路

[0004]一方面，本公开提供了一种阵列基板，包括限定多个子像素区域的像素限定层；其中，所述像素限定层包括底切结构，所述底切结构包括：位于衬底基板上的第一绝缘层；以及位于所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧的第二绝缘层；以及所述第一绝缘层相对于所述第二绝缘层被底切。
[0005]可选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括限定多个子像素区域的像素限定层；其中，所述像素限定层包括底切结构，所述底切结构包括：位于衬底基板上的第一绝缘层；以及位于所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧的第二绝缘层；以及所述第一绝缘层相对于所述第二绝缘层被底切。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一绝缘层在所述衬底基板上的正投影。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一绝缘层的沿着跨越两个相邻子像素的方向的第一最大宽度小于所述第二绝缘层的沿着跨越两个相邻子像素区域的所述方向的第二最大宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，还包括在子像素间区域中延伸的第一沟槽，所述第一沟槽被构造为容纳所述第二绝缘层的至少一部分；其中，所述第一沟槽的侧壁和底部由所述第一绝缘层的表面形成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其中，所述像素限定层包括分别位于子像素间区域的多个第一环区域中的多个第一环结构；以及所述多个第一环结构由所述底切结构的多个突起形成。6.根据权利要求5所述的阵列基板，包括在所述子像素间区域中延伸的第二沟槽；以及其中，所述第二沟槽的侧壁和底部由所述第二绝缘层的表面形成。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述多个突起中的各个突起远离所述第二沟槽的底部突出。8.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述多个第一环结构彼此间隔开；以及所述多个第一环区域中的各个第一环区域围绕所述多个子像素区域中的相应子像素区域。9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其中，所述像素限定层的至少一部分包括堆叠结构；以及所述堆叠结构包括第三绝缘层、位于所述第三绝缘层上的所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层的远离所述第三绝缘层的一侧的所述第二绝缘层。10.根据权利要求9所述的阵列基板，还包括有机层；其中，所述堆叠结构还包括所述有机层的位于所述第二绝缘层的远离所述第一绝缘层的一侧的部分。11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述第三绝缘层包括彼此分离的第一绝缘部分和第二绝缘部分；所述第一绝缘部分与层间介质层接触；以及所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王英涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：