一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法技术

本发明专利技术属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤；根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明专利技术可直观且精确地判断团簇注入深度。且精确地判断团簇注入深度。且精确地判断团簇注入深度。

【技术实现步骤摘要】
一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法


[0001]本专利技术属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法。

技术介绍

[0002]离子注入技术在现代集成电路的制造中占有非常重要的地位，在一个完整的半导体器件的制备流程中，通常会有20多步的离子注入工序。在上世纪几十年的发展中，离子注入已成为相对完备且成熟的技术。但是，随着器件尺度的逐渐缩小，离子注入开始面临一系列的困境。器件的结构、材料及工作机制均会受量子尺寸效应的制约，必须针对功耗、密度、性能提高、工艺集成等问题寻求新的突破。
[0003]自摩尔定律提出已有五十余年，半导体特征尺寸已接近极限，2021年IBM发布了全球首款2nm芯片，意味着半导体尺寸已经步入量子尺度。在这样的背景下，寻求更加精准且可控的超浅离子注入方法将愈发重要。20世纪末到21世纪初的几十年内，由于团簇的平均原子注入能量低，所以关于团簇离子注入的相关工作不断涌出。已有相关研究结果初步揭示了团簇注入石墨体系的标度律关系，但实验上缺乏对深度表征的直观证据。往年使用扫描隧道显微镜探测注入深度的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，其特征在于包括以下步骤：S1：将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；S2：使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；S3：对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；S4:选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤S1～S3；S5：根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；S6：根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。2.根据权利要求1所述的一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，其特征在于所述步骤S6中，注入深度取厚度区间的中点值。3.根据权利要求1所述的一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，其特征在于所述步骤S1中，将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上的方法包括以下步骤：S1.1：使用某厚度的石墨烯纳米片制作石墨烯分散液；S1.2：取石墨烯分散液滴在电镜载网上；S1.3：将石墨烯分散液烘干。4.根据权利要求1所述的一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，其特征在于步骤S3中对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋凤麒，胡国睿，张敏昊，汤司晨，左泽文，胡胜勇，顾陆薇，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：