波长可变干涉滤波器制造技术

本发明专利技术提供一种能够高精度地输出所期望的目标波长的光的波长可变干涉滤波器。该波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，其隔着预定的间隔而与第一基板对置；第一反射膜，其被设置在第一基板上；第二反射膜，其被设置在第二基板上，并隔着第一间隔而与第一反射膜对置；连结部，其被配置在第一基板与第二基板之间；驱动部，其对第一间隔进行变更，连结部的与第一基板对置的第一对置面的一部分与第一基板连接，连结部的第一对置面中的未与第一基板连接的部分构成隔着第二间隔而与第一基板对置的位移部，位移部的与第二基板对置的第二对置面的一部分与第二基板连接，驱动部通过使位移部挠曲而使第二间隔变化，从而变更第一间隔。隔。隔。

【技术实现步骤摘要】
波长可变干涉滤波器


[0001]本专利技术涉及一种波长可变干涉滤波器。

技术介绍

[0002]以往，已知有一种具有被对置配置的一对镜子并且能够对镜子之间的尺寸进行变更的波长可变干涉滤波器(例如，参照专利文献1)。
[0003]在专利文献1所记载的波长可变干涉滤波器中，将被设置有反射层的一对光学基板分别保持在保持架上，并通过这些保持架的压电元件来进行连接。一对反射层隔着间隙而对置配置，并通过向压电元件施加电压，从而使一对反射层之间的间隙尺寸发生变化。由此，能够在抑制各个光学基板的挠曲的同时，使透过一对反射层的光的波长发生变化。
[0004]但是，像专利文献1那样，在将压电元件配置在保持架之间并通过向该压电元件施加电压从而使反射层之间的间隙尺寸变化的结构中，在间隙尺寸的变化量上存在极限。相对于此，为了增大间隙尺寸的变化量，也考虑到增大压电元件的厚度尺寸的情况。但是，高精度地形成厚度较大的压电元件是很困难的，如果使用了尺寸精度较差的压电元件，则会在基板中产生形变或倾斜。当像这样在基板中产生形变或倾斜时，一对镜子的平行度会变差，从而由于从波长可变干涉滤波器透过的光的波长在面内发生不均、或者目标波长的光以外的光也从波长可变干涉滤波器透过，因而无法精度良好地使目标波长的光透过。
[0005]专利文献1：日本特开2002
‑
277758号公报

技术实现思路

[0006]本公开的第一方式所涉及的波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，其隔着预定的间隔而与所述第一基板对置；第一反射膜，其被设置在所述第一基板上；第二反射膜，其被设置在所述第二基板上，并隔着预定的第一间隔而与所述第一反射膜对置；连结部，其被配置在所述第一基板与所述第二基板之间，并具有与所述第一基板对置的第一对置面以及与所述第二基板对置的第二对置面；驱动部，其对所述第一间隔进行变更，所述连结部的所述第一对置面的一部分与所述第一基板连接，在从自所述第一基板朝向所述第二基板的厚度方向进行观察时，所述连结部的所述第一对置面中的未与所述第一基板连接的部分构成位移部，所述位移部隔着预定的第二间隔而与所述第一基板对置，所述位移部的所述第二对置面的一部分与所述第二基板连接，所述驱动部通过使所述位移部挠曲而使所述第二间隔发生变化，从而变更所述第一间隔。
附图说明
[0007]图1为表示第一实施方式中的波长可变干涉滤波器的概要结构的俯视图。
[0008]图2为以图1的A
‑
A线来剖切波长可变干涉滤波器时的剖视图。
[0009]图3为表示第一实施方式中的去除了第二基板的波长可变干涉滤波器的概要结构的俯视图。
[0010]图4为表示第一实施方式中的第一基板的概要结构的俯视图。
[0011]图5为表示第一实施方式中的第二基板的概要结构的俯视图。
[0012]图6为在第一实施方式中放大了连结部附近的放大剖视图。
[0013]图7为通过驱动部而使连结部挠曲时的连结部的附近的放大剖视图。
[0014]图8为本实施方式中的波长可变干涉滤波器的制造方法的流程图。
[0015]图9为表示第一基板形成步骤的概要的图。
[0016]图10为表示第二基板形成步骤的概要的图。
[0017]图11为表示连结部形成步骤的概要的图。
[0018]图12为表示接合步骤的概要的图。
[0019]图13为表示第二实施方式的波长可变干涉滤波器的概要结构的剖视图。
[0020]图14为表示第三实施方式的波长可变干涉滤波器的概要结构的俯视图。
[0021]图15为以A
‑
A线来剖切图14的波长可变干涉滤波器时的剖视图。
[0022]图16为表示第四实施方式中的波长可变干涉滤波器的连结部的附近的概要剖视图。
[0023]图17为表示第五实施方式中的波长可变干涉滤波器的连结部的附近的概要剖视图。
[0024]图18为表示第六实施方式中的波长可变干涉滤波器的概要结构的俯视图。
[0025]图19为第六实施方式的波长可变干涉滤波器的连结部的附近的放大剖视图。
[0026]图20为表示第七实施方式的波长可变干涉滤波器的概要结构的俯视图。
[0027]图21为表示第八实施方式中的分光照相机的概要结构的图。
[0028]图22为表示变形例1所涉及的波长可变干涉滤波器的连结部的附近的概要剖视图。
具体实施方式
[0029]第一实施方式
[0030]以下，对第一实施方式的波长可变干涉滤波器进行说明。
[0031]1.波长可变干涉滤波器的整体结构
[0032]图1为表示第一实施方式的波长可变干涉滤波器1的概要结构的俯视图，图2为以A
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A线来剖切该波长可变干涉滤波器1的情况下的剖视图。
[0033]如图1以及图2所示那样，波长可变干涉滤波器1被构成为，具备第一基板10、第二基板20、连结部30以及驱动部40。
[0034]第一基板10以及第二基板20以彼此对置的方式而被平行配置。连结部30被配置在这些第一基板10与第二基板20之间，并且连结第一基板10和第二基板20。驱动部40被设置在第一基板10与连结部30之间，并且通过使连结部30发生变形从而使其朝向第二基板20和第一基板10进退。
[0035]以下，对这样的波长可变干涉滤波器1的各个结构进行详细地说明。
[0036]此外，在以后的说明中，将从第一基板10朝向第二基板20的方向设为Z方向，将与Z方向正交的一个方向设为X方向，将与Z方向以及X方向正交的方向设为Y方向，从而进行说明。Z方向相当于本公开的厚度方向。
[0037]2.第一基板的结构
[0038]图3为在图1中去除了第二基板20的情况下的波长可变干涉滤波器1的俯视图。此外，图4为在从+Z侧朝向
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Z侧进行观察时的第一基板10的俯视图。
[0039]第一基板10能够使用与透过波长可变干涉滤波器的光的波长区域相应的基板材料。例如，在本实施方式中，通过波长可变干涉滤波器1，从而从近红外区域到红外区域的光中使预定波长的光透过。在该情况下，能够通过可使近红外区域到红外区域的光透过的原材料来形成第一基板10，例如，在本实施方式中，通过Si(硅)基板来形成第一基板10。另外，在通过波长可变干涉滤波器1而使可见光区域的光透过的情况下，只要通过玻璃等的原材料来形成第一基板10即可。
[0040]虽然第一基板10的俯视观察时的外形形状没有被特别限定，但在制造工序上，优选为，在通过激光切割等而从成为原材料的基板中切出芯片单位的第一基板10的情况下，被形成为矩形形状。
[0041]此外，第一基板10的厚度也没有被特别限定，只要具有不会因被形成在第一基板10上的第一反射膜51等的膜应力而产生挠曲的程度的厚度即可。
[0042]在此，将第一基板10中的、与第二基板对置的面称为第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波长可变干涉滤波器，具备：第一基板；第二基板，其隔着预定的间隔而与所述第一基板对置；第一反射膜，其被设置在所述第一基板上；第二反射膜，其被设置在所述第二基板上，并隔着预定的第一间隔而与所述第一反射膜对置；连结部，其被配置在所述第一基板与所述第二基板之间，并具有与所述第一基板对置的第一对置面以及与所述第二基板对置的第二对置面；驱动部，其对所述第一间隔进行变更，所述连结部的所述第一对置面的一部分与所述第一基板连接，在从自所述第一基板朝向所述第二基板的厚度方向进行观察时，所述连结部的所述第一对置面中的未与所述第一基板连接的部分构成位移部，所述位移部隔着预定的第二间隔而与所述第一基板对置，所述位移部的所述第二对置面的一部分与所述第二基板连接，所述驱动部通过使所述位移部挠曲而使所述第二间隔变化，从而变更所述第一间隔。2.如权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其中，所述驱动部具备第一驱动电极和第二驱动电极，所述第一驱动电极被设置在所述第一基板上，所述第二驱动电极被设置在所述位移部上并隔着所述第二间隔而与所述第一驱动电极对置。3.如权利要求2所述的波长可变干涉滤波器，其中，所述连结部由硅形成，并且该连结部作为所述第二驱动电极而发挥功能。4.如权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其中，所述驱动部具备线圈和磁性体，所述线圈被设置在所述第一基板的与所述位移部对置的面以及所述第一对置面中的任意一方上，所述磁性体被设置在所述第一基板的与所述位移部对置的面以及所述第一对置面中的另一方上。5.如权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其中，所述驱动部具备被设置在所述第一对置面上的第一电极、被设置在所述第一电极上的压电膜、和被设置在所述压电膜上的第二电极，所述第一电极、所述压电膜以及所述第二电极沿着所述厚度方向而被层叠。6.如权利要求1至权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野朗，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：