电路结构制造技术

技术编号:38983887 阅读:12 留言:0更新日期:2023-10-03 22:17
本实用新型专利技术提供了一种电路结构,包括:电感结构,用于产生磁场;传导元件,包围电感结构,以屏蔽磁场;磁性元件,设置在传导元件和电感结构之间,磁性元件与电感结构之间的距离小于磁性元件与传导元件之间的距离,磁性元件用于集中磁场。本实用新型专利技术的目的在于提供一种电路结构,以至少实现提高电路结构的电感效益。以至少实现提高电路结构的电感效益。以至少实现提高电路结构的电感效益。

【技术实现步骤摘要】
电路结构


[0001]本技术涉及一种电路结构。

技术介绍

[0002]图1示出了现有的金属遮蔽盖的上部10,图2示出了现有的电感线圈20,图3示出现有的金属遮蔽盖的下部30,上部10和下部20卡扣在一起以包围电感线圈20。在现有的无线充电装置(例如穿戴式产品、无线充电产品,例如助听器、蓝芽耳机、手表、助听器充电盒)中,因防止电磁干扰(EMI)的需求,需要在电感线圈20的外部设计金属遮蔽盖,但电感线圈20作动时,金属遮蔽盖会感应到磁场,而产生涡电流(Eddy current),涡电流造成反向磁场,进而影响电感线圈20的整体效益。为解决上述问题,目前已知在电感线圈20和金属遮蔽盖之间增加磁性物质的涂层,可减少金属遮蔽盖上的涡电流的产生,但目前的设计中,磁性物质只能贴近金属遮蔽盖喷涂,对电感线圈20发出的磁力线集中效果较差,且电感线圈20的磁力线仍有穿透磁性物质的可能,使得穿透后在金属遮蔽盖产生涡电流。例如申请号为18/090438的现有技术也存在这样的问题。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题,本技术的目的在于提供一种电路结构,以至少实现提高电路结构的电感效益。
[0004]为实现上述目的,本技术提供了一种电路结构,包括:电感结构,用于产生磁场;传导元件,包围电感结构,以屏蔽磁场;磁性元件,设置在传导元件和电感结构之间,磁性元件与电感结构之间的距离小于磁性元件与传导元件之间的距离,磁性元件用于集中磁场。
[0005]在一些实施例中,电感结构具有第一端部和第二端部,并且电感结构是第一端部和第二端部隔开的C形环状结构。
[0006]在一些实施例中,电路结构还包括:核心层,具有嵌在其中的磁性核心,电感结构还具有穿过核心层并且围绕磁性核心的线路。
[0007]在一些实施例中,电感结构的线路与磁性核心隔开。
[0008]在一些实施例中,磁性元件具有分别位于电感结构上方和外侧的第一上部分和第一外侧部分,第一外侧部分穿过核心层延伸并且与电感结构隔开。
[0009]在一些实施例中,第一上部分与电感结构之间的距离小于第一外侧部分与电感结构之间的距离。
[0010]在一些实施例中,第一上部分接触电感结构。
[0011]在一些实施例中,传导元件具有分别位于电感结构上方和外侧的第二上部分和第二外侧部分,第二外侧部分穿过核心层延伸并且与磁性元件的第一外侧部分隔开。
[0012]在一些实施例中,传导元件还具有位于电感结构内侧的第二内侧部分,第二内侧部分接触磁性元件的第一上部分。
[0013]在一些实施例中,电路结构还包括:贯穿孔,位于第一端部和第二端部之间,磁性元件从贯穿孔暴露。
[0014]本技术的有益技术效果在于:
[0015]本申请的实施例通过设置磁性元件,避免在传导元件上形成涡电流,并且磁性元件与电感结构之间的距离小于磁性元件与传导元件之间的距离,提升了电路结构的品质因数。
附图说明
[0016]图1示出了现有的金属遮蔽盖的上部。
[0017]图2示出了现有的电感线圈。
[0018]图3示出现有的金属遮蔽盖的下部。
[0019]图4示出了本申请的一个实施例的电感结构的核心层。
[0020]图5、图6示出了在本申请实施例的核心层内填充磁性核心的步骤。
[0021]图7示出了压合本申请实施例的介电层的第一层以及第一金属层的步骤。
[0022]图8、图9示出了形成本申请实施例的电感结构的步骤。
[0023]图10、图11示出了形成本申请实施例的第二孔的步骤。
[0024]图12、图13示出了形成本申请实施例的磁性元件的步骤。
[0025]图14示出了压合本申请实施例的介电层的第二层以及第二金属层的步骤。
[0026]图15示出了形成本申请实施例的第三孔以及定位孔的步骤。
[0027]图16、图17示出了形成本申请实施例的传导元件的步骤。
[0028]图18示出了根据本申请实施例的预留金属圈的残留环状结构。
[0029]图19、图20示出了形成本申请实施例的阻焊层和贯穿孔的步骤。
[0030]图21示出了根据本申请实施例的电感结构及其围绕的磁性核心。
[0031]图22示出了根据本申请实施例的传导元件,其中用虚线示出了其不可见的轮廓。
[0032]图23示出了根据本申请实施例的磁性元件,其中用虚线示出了其不可见的轮廓。
[0033]图24用实线示出了根据本申请实施例的电感结构及其围绕的磁性核心,用间距较小的虚线示出了磁性元件的未被电感结构遮盖的部分的轮廓,用间距较大的虚线示出了传导结构的未被电感结构遮盖的部分的轮廓,以说明电感结构、磁性元件、传导结构之间的位置及组装关系。
具体实施方式
[0034]为更好的理解本申请实施例的精神,以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0035]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中,将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0036]如本文中所使用,术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时,所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其
中事件或情形极近似地发生的例子。
[0037]在本说明书中,除非经特别指定或限定之外,相对性的用词例如:“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便,且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0038]为便于描述,“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等不意欲描述对应组件。
[0039]下面将参照附图,说明本申请的电路结构1000及其形成过程。
[0040]图4示出了核心(core)层40。
[0041]图5示出了俯视图,图6示出了沿图5的a

a线截取的截面图,在核心层40钻孔,并在孔内填充磁性核心50。
[0042]参见图7,在图6所示结构的上侧和下侧均压合介电层70的第一层71以及第一金属层74。
[0043]图8示出了俯视图,图9示出了沿图8的b

b线截取的截面图,图8省略了图9中的预留金属圈80。参见图9,图案化图7所示结构的第一金属层74以本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路结构,其特征在于,包括:电感结构,用于产生磁场;传导元件,包围所述电感结构,以屏蔽所述磁场;磁性元件,设置在所述传导元件和所述电感结构之间,所述磁性元件与所述电感结构之间的距离小于所述磁性元件与所述传导元件之间的距离,所述磁性元件用于集中所述磁场。2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述电感结构具有第一端部和第二端部,并且所述电感结构是所述第一端部和所述第二端部隔开的C形环状结构。3.根据权利要求2所述的电路结构,其特征在于,还包括:核心层,具有嵌在其中的磁性核心,所述电感结构还具有穿过所述核心层并且围绕所述磁性核心的线路。4.根据权利要求3所述的电路结构,其特征在于,所述电感结构的所述线路与所述磁性核心隔开。5.根据权利要求3所述的电路结构,其特征在于,所述磁性元件具有分别位于所述电感结构上方和外侧的第一上部分和第一外侧部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:许程翔陈金汉李哲廷
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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