一种薄膜生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜生长设备，包括盘体；电阻片，螺旋弯曲设置在盘体的下方，外侧被保温筒包裹，加热产生热辐射给盘体加热；基座，安装于电阻片的下方，且上表面设有凹槽；电阻支撑件，在电阻片的外边缘下方均匀环绕分布设置，上表面与电阻片接触并配置有凹槽，下端置于基座的凹槽内；隔热板，位于电阻片和基座之间，被电阻支撑件贯穿连接，其上方涂有热反射材料；电极接线柱，一端与电阻片连接，另一端与导电支撑板连接；导电支撑板，通过穿过基座和隔热板的电极接线柱与电阻片相连，为电阻片提供电流。本实用新型专利技术使电阻片提供更加稳定重复的温场，提高电阻片的辐射效率，提升薄膜生长厚度均匀性。长厚度均匀性。长厚度均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜生长设备


[0001]本技术涉及半导体材料制造领域，具体而言涉及一种薄膜生长设备。

技术介绍

[0002]MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、
Ⅵ
族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种
Ⅲ‑
V族、
Ⅱ‑Ⅵ
族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压，即10
‑
100Torr下通H2的冷壁石英或不锈钢反应室中进行，衬底温度为500
‑
1200℃，用直流加热在衬底基片下方的石墨基座，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
[0003]温度是薄膜生长的核心影响因素之一，但是现有的加热装置温度的稳定性比较小，温度波动较大，无法提供稳定重复的温场，影响薄膜生长，鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要一种能够使薄膜均匀生长的设备。

技术实现思路

[0004]本技术正是基于现有技术的上述需求而提出的，本技术要解决的技术问题是提供一种薄膜生长设备以使薄膜生长的更加均匀。
[0005]为了解决上述问题，本技术提供的技术方案包括：
[0006]一种薄膜生长设备，包括：
[0007]盘体；
[0008]电阻片，螺旋弯曲设置在所述盘体的下方，外侧被保温筒包裹，加热产生热辐射给所述盘体加热；
[0009]基座，安装于所述电阻片的下方，且上表面设有凹槽；
[0010]电阻支撑件，在所述电阻片的外边缘下方均匀环绕分布设置，上表面与所述电阻片接触并配置有凹槽，下端置于所述基座的凹槽内；
[0011]隔热板，位于所述电阻片和所述基座之间，被所述电阻支撑件贯穿连接，其上方涂有热反射材料；
[0012]电极接线柱，一端与所述电阻片连接，另一端与导电支撑板连接；
[0013]所述导电支撑板，通过穿过所述基座和所述隔热板的电极接线柱与所述电阻片相连，为所述电阻片提供电流。
[0014]可选地，所述薄膜生长设备还包括：盘体支撑柱，与所述电阻片在竖直方向上相隔一段距离连接设置。
[0015]可选地，所述薄膜生长设备还包括：隔热板固定件，安装在所述隔热板的中心，穿过所述隔热板，拧入至所述基座内。
[0016]可选地，所述薄膜生长设备还包括：基座固定件，设置在所述基座的下方，向所述基座提供向上的支持力。
[0017]可选地，所述盘体的上表面设有凹槽，用于容纳进行MOCVD工艺的衬底；所述凹槽在盘体中心向外边缘的方向上，沿多个同心圆的边缘均匀分布设置。
[0018]可选地，所述薄膜生长设备包括两个电阻片，分别为第一电阻片和第二电阻片，所述第一电阻片围绕所述第二电阻片设置。
[0019]可选地，所述电极接线柱包括正极接线柱和负极接线柱，所述正极接线柱穿过在所述基座和所述隔热板的左右两边开设的两个通孔中任意一个通孔，与所述电阻片和所述导电支撑板连接；所述负极接线柱穿过在所述基座和所述隔热板的左右两边开设的另一个通孔，与所述电阻片和所述导电支撑板连接。
[0020]可选地，所述薄膜生长设备包括两个导电支撑板，分别为第一导电支撑板和第二导电支撑板，所述第一导电支撑板被所述正极接线柱下端穿过，所述第二导电支撑板被所述负极接线柱下端穿过。
[0021]可选地，所述薄膜生长设备包括四个隔热板，在所述基座的上方层叠设置。
[0022]可选地，所述保温筒还包裹电阻片以下的部件。
[0023]与现有技术相比，本技术提供的一种薄膜生长设备通过对起到支撑电阻片作用的电阻支撑件的结构和形状设置，稳定电阻片并且减少阻挡电阻片辐射面积，使电阻片提供更加稳定重复的温场，提高电阻片的辐射效率，提升薄膜生长厚度均匀性。通过配置隔热板、基座等部件，提高设备的稳定性，减少热量的散失，增加电阻片的辐射效率，提高薄膜生长质量。本实施例提供的薄膜生长设备制作得到的薄膜厚度均匀性在2.5％左右。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本实施例提供的一种薄膜生长设备的结构示意图；
[0026]图2是本实施例提供的一种薄膜生长设备的电阻支撑件的结构示意图；
[0027]图3是本实施例提供的一种薄膜生长设备的电阻片和电阻支撑件装配示意图。
[0028]附图标记：
[0029]1‑
保温筒；2
‑
电阻片；3
‑
电阻支撑件；4
‑
基座固定件；5
‑
导电支撑板；6
‑
隔热板固定件；7
‑
第一隔热板；8
‑
第二隔热板；9
‑
第三隔热板；10
‑
第四隔热板；11
‑
基座；12
‑
电极接线柱；13
‑
盘体。
具体实施方式
[0030]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0031]在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接可以是
机械连接，也可以是电连接可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]全文中描述使用的术语“顶部”、“底部”、“在
……
上方”、“下”和“在
……
上”是相对于装置的部件的相对位置，例如装置内部的顶部和底部衬底的相对位置。可以理解的是装置是多功能的，与它们在空间中的方位无关。
[0033]为便于对本申请实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本技术的限定。
[0034]MOCVD设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、热学、光学等多学科为一体，是一种自动化程度高，技术集成度高的高端半导体材料、光电子专用设备。
[0035]MOCVD设备包括气路机构、加热机构、反应腔和控制机构，所述加热机构是MOCVD设备的核心组件，不同的反应腔对应不同的控制机构与加热机构。加热机构通过热辐射对发生反应的石墨盘进行加热，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜生长设备，其特征在于，包括：盘体；电阻片，螺旋弯曲设置在所述盘体的下方，外侧被保温筒包裹，加热产生热辐射给所述盘体加热；基座，安装于所述电阻片的下方，且上表面设有凹槽；电阻支撑件，在所述电阻片的外边缘下方均匀环绕分布设置，上表面与所述电阻片接触并配置有凹槽，下端置于所述基座的凹槽内；隔热板，位于所述电阻片和所述基座之间，被所述电阻支撑件贯穿连接，其上方涂有热反射材料；电极接线柱，一端与所述电阻片连接，另一端与导电支撑板连接；所述导电支撑板，通过穿过所述基座和所述隔热板的电极接线柱与所述电阻片相连，为所述电阻片提供电流。2.根据权利要求1所述的一种薄膜生长设备，其特征在于，所述薄膜生长设备还包括：盘体支撑柱，与所述电阻片在竖直方向上相隔一段距离连接设置。3.根据权利要求1所述的一种薄膜生长设备，其特征在于，所述薄膜生长设备还包括：隔热板固定件，安装在所述隔热板的中心，穿过所述隔热板，拧入至所述基座内。4.根据权利要求1所述的一种薄膜生长设备，其特征在于，所述薄膜生长设备还包括：基座固定件，设置在所述基座的下方，向所述基座提供向上的支持力。5.根据权利要求1所述的一种薄膜生长设备，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋涛，李辉，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：