一种KNbO3/MoS2压电光催化剂及其制备方法和应用技术

技术编号:38972403 阅读:58 留言:0更新日期:2023-09-28 09:36
本发明专利技术属于材料制备技术领域,具体涉及一种KNbO3/MoS2压电光催化剂及其制备方法和应用。本发明专利技术所述KNbO3/MoS2压电光催化剂的结构为二硫化钼纳米片均匀分布在KNbO3上。本发明专利技术制得的KNbO3/MoS2压电光催化剂可以将捕获的更多的机械应变转化为增强的压电极化场,促进载流子的分离和迁移,从而具有优异的压电催化活性和较高的污染物降解率,并且制备工艺简单,具有显著的技术优势。具有显著的技术优势。具有显著的技术优势。

【技术实现步骤摘要】
一种KNbO3/MoS2压电光催化剂及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于材料制备
,具体涉及一种KNbO3/MoS2压电光催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]光催化降解是处理工业、农业和生活污染物的一种清洁高效的方法。该过程主要包括光收集、光诱导载流子分离转移、表面催化反应三个步骤。因此,抑制光生载流子的复合并促进其迁移是提高光催化性能的最有效途径之一。为了实现这一目标,已经开发了各种方法,如杂质掺杂、缺陷工程、半导体异质结构筑。一般的光催化异质结在接触界面附近包含一个内置电场,它提高了光生载流子的分离效率。然而,由于静电屏蔽效应,静态内置电场可以被自由载流子饱和,这对改善界面电荷分离很有效,但对体电荷效果不足。压电场构建是解决光催化系统这一问题的有效策略。具有非中心对称结构的压电材料可以通过周期性的外部机械能产生改变的极化场。压电催化剂中的自由载流子可以有效分离,迅速向表面转移,然后参与氧化反应。因此,由于压电场可以抑制催化剂界面和催化剂内部的电子

空穴复合,提高催化性能,压电
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种KNbO3/MoS2压电光催化剂,其特征在于,所述KNbO3/MoS2压电光催化剂的结构为二硫化钼纳米片均匀分布在KNbO3上。2.如权利要求1所述KNbO3/MoS2压电光催化剂,其特征在于,所述KNbO3/MoS2中Mo与Nb的摩尔比为(1~4):1。3.一种如权利要求1~2任一所述KNbO3/MoS2压电光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将Na2MoO4‑
2H2O和C2H5NS溶解在去离子水中,搅拌,调节pH值,将KNbO3分散到溶液中,连续搅拌,将混合溶液放入反应釜中,反应,得到沉淀物,将沉淀物进行洗涤,干燥,制得所述KNbO3/MoS2压电光催化剂。4.如权利要求3所述制备方法,其特征在于,至少包括以下(1)~(3)中的一项:(1)所述Na2MoO4‑
2H2O和C2H5NS中S和Mo的摩尔比为(4~6):1;(2)所述去离子水的加入量为30~100mL;(3)所述KNbO3的加入量为去离子水加入量的0.003~0.005倍。5.如权利要求3所述制备方法,其特征在于,至少包括以下(1)~(2)中的一项:(1)所述搅拌的时间为30~60min;(2)所述调节pH值为采用盐酸将溶液的pH值调节至5。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:王青盘思伟钱艺华赵耀洪方鹏飞马文妹李媛媛
申请(专利权)人:广东电网有限责任公司电力科学研究院
类型:发明
国别省市:

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