一种具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化剂、制备方法及其应用技术

本发明专利技术属于光催化剂技术领域，公开了一种具有表面Cu、S双缺陷位点的Cu

【技术实现步骤摘要】
一种具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化剂、制备方法及其应用


[0001]本专利技术属于光催化剂
，尤其涉及一种具有表面Cu、S双缺陷位点的Cu
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光催化剂、制备方法及其在光催化还原CO2领域的应用。

技术介绍

[0002]目前，光催化还原CO2技术为“双碳”背景下去解决能源危机提供了一种有效策略。光催化技术的核心是光催化剂，近年来，CuS作为一种传统光催化剂已经在光催化领域展现出其独特的优势。为了进一步CuS光催化剂的催化性能，科研工作者开始设计一系列的改性策略。目前可通过掺杂其他元素、贵金属沉积、构建异质结结构等方法提升CuS光催化剂的活性，如Bi/CuS金属沉积光催化剂、CuS/Cu9S5异质结光催化剂、Ni
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CuS元素掺杂光催化剂等。但上述改性CuS光催化剂表面暴露反应活性位点数量较少，不利于大幅改善CuS的光催化活性。随着研究的深入，缺陷工程被认为是一种通过在光催化剂表面构建缺陷位点进而为光催化反应提供更多活性位点的有效策略。针对CuS催化剂，目前可通过控制反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在搅拌条件下，将含一定量铜元素的化合物溶于一定量的乙二醇中，得到乙二醇溶液；(2)将一定量的十六烷基溴化铵和乌洛托品加入至步骤(1)得到的乙二醇溶液中，得到混合物a；(3)将一定量的硫代乙酰胺加入至步骤(2)得到的混合物a中，搅拌一段时间，得到混合物b；(4)将步骤(3)得到的混合物b倒入反应釜中，在一定温度下水热反应一段时间后将反应产物取出清洗；(5)将清洗后的反应产物干燥，得到具有表面Cu、S双缺陷位点的Cu
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光催化剂。2.根据权利要求1所述的具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中含一定量铜元素的化合物选自二水氯化铜，所述的二水氯化铜的添加量为1mmol；溶解1mmol二水氯化铜的乙二醇的添加量为20～40mL。3.根据权利要求1所述的具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的十六烷基溴化铵的添加量为100～400mg。4.根据权利要求1所述的具有表面Cu、S双缺陷位点的光催化...

【专利技术属性】
技术研发人员：代玮东，石晛，盛剑平，孙艳娟，董帆，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：