【技术实现步骤摘要】
半导体元件及半导体装置
[0001]本技术涉及半导体元件，特别是涉及半导体发光元件，例如发光二极管。
技术介绍
[0002]半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的III
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V族半导体材料可应用于各种光电半导体元件如发光二极管(Light emitting diode，LED)、激光二极管(Laser diode，LD)、光电侦测器或太阳能电池(Solar cell)，或者可以是例如开关或整流器的功率元件，能用于照明、医疗、显示、通信、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用。
技术实现思路
[0003]本
技术实现思路
提供一种半导体元件包括：基板；半导体叠层位于基板上；接合结构位于基板及半导体叠层之间；以及解离层位于接合结构及基板之间且与基板直接接触；以及中介结构，位于解离层和结合结构之间。
[0004]在本技术的一实施例中，该解离层有100nm至1μm的厚度。
[0005]在本...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：基板；半导体叠层，位于该基板上；接合结构，位于该基板及该半导体叠层之间；解离层，位于该接合结构及该基板之间且与基板直接接触；以及中介结构，位于该解离层和该接合结构之间。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该解离层有100nm至1μm的厚度。3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该中介结构具有为3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该中介结构具有为至的厚度。4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体叠层用以发出红光或红外光。5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该接合结构包含第一接合层及第二接合层。6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该第一接合层具有6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该第一接合层具有至的厚度。7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该第二接合层具有至的厚度。8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体叠层包含第一半导体结构、活性结构位于该第一半导体结构上、及第二半导体结构位于该活性结构上，且该第一半导体结构具有粗化表面接触于该接合结构。9.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：半导体叠层；接合结构，位于该半导体叠层上；以及多个残留部分，位于该接合结构上且彼此不相连。10.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该多个残留部分具有不同的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏英阳，高慧芳，李世昌，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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