【技术实现步骤摘要】
一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置
[0001]本技术涉及硫酸镍生产
,尤其是涉及一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置。
技术介绍
[0002]在硫酸镍生产过程中,外购高镍锍原料经过磨矿、常压浸出、加压浸出过滤后得到粗制硫酸镍溶液,粗制硫酸镍溶液含有几十甚至上百个mg/L含量的硅,为了确保电池级硫酸镍的质量,硅成分含量需要小于6mg/L。这就需要设计安全可靠的除硅装置对粗制硫酸镍进行除硅除杂,从而满足进入萃取箱的硫酸镍溶液标准要求。
技术实现思路
[0003]为了实现粗制硫酸镍进入精制硫酸镍工序进行萃取之前进行除硅,使得硅含量成分小于6mg/L的目的。本技术提供一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置,能够稳定可靠地将浸出后的粗制硫酸镍溶液除硅除杂。
[0004]本技术的技术方案为:
[0005]一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置,其特征在于,包括:
[0006]四级除硅釜,在每级所述除硅釜的相对两侧壁上部分别设有进料口和出料口,在每级除硅釜的顶部均设有搅拌装置和加料口,所述进料口和出料口均设有法兰接口,两级相邻除硅釜之间设有300mm的高差,相邻两级除硅釜的出料口和进料口之间通过溢流管连接;
[0007]中转槽,该中转槽设有中转槽进料口和搅拌装置,所述中转槽的中转槽进料口与所述四级除硅釜的最后一级除硅釜的出料口通过溢流管进行连接;所述中转槽的侧底部安装有除硅后液输送泵,所述除硅后液输送泵连接压滤机。
[0008]优选的,每级所述除硅釜和中转槽均为不锈钢316L材质。 >[0009]优选的,所述压滤机采用板框压滤机。
[0010]优选的,两级相邻除硅釜之间的高度差通过所述除硅釜底部的除硅釜基础的高度差实现。
[0011]本技术的有益效果为:
[0012](1)本技术通过四级除硅釜的设计,实现更高效率的除硅,能够稳定可靠地将浸出后的粗制硫酸镍溶液除硅除杂。
[0013](2)本技术通过两级相邻除硅釜之间的高度差,实现溢流作用。
附图说明
[0014]图1为具体实施方式中本技术的结构示意图;
[0015]图2为图1的俯视图。
[0016]图中,1—进料口,2—除硅釜,3—搅拌装置,4—除硅釜基础,5—出料口,6—溢流
管,7—中转槽进料口,8—中转槽,9—除硅后液输送泵。
具体实施方式
[0017]下面将结合附图和具体实施方式,对本技术作进一步描述。
[0018]如图1
‑
2所示,本技术的一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置包括:
[0019]四级除硅釜,在每级所述除硅釜2的相对两侧壁上部分别设有进料口1和出料口5,在每级除硅釜2的顶部均设有搅拌装置3和加料口(图中未画出),所述进料口1和出料口5均设有法兰接口;两级相邻除硅釜2之间设有300mm的高差,高差的设置是有助于实现溢流作用,所述高差是通过所述除硅釜2底部设置的除硅釜基础4的高度差来实现的,即上一级除硅釜基础和下一级除硅釜基础的高度差为300mm;相邻两级除硅釜2的出料口5和进料口1之间通过溢流管6连接,上一级除硅釜2的出料口2和下一级除硅釜2的进料口1与溢流管6通过法兰连接形成硫酸镍液通道,相邻两级除硅釜2之间的硫酸镍液通过溢流方式进行流通;
[0020]中转槽8,该中转槽8设有中转槽进料口7和搅拌装置3,所述中转槽8的中转槽进料口7与所述四级除硅釜的最后一级除硅釜2的出料口5通过溢流管6进行连接;所述中转槽8的侧底部安装有除硅后液输送泵9,所述除硅后液输送泵9连接压滤机(图中未画出),所述压滤机采用板框压滤机。
[0021]本实施例中,除硅流程主要为,浸出工序来的粗制硫酸镍溶液经过所述四级除硅釜中的第一级除硅釜的进料口1进入除硅釜2,与从加料口10加入的絮凝剂聚合硫酸铝在所述搅拌装置3搅拌作用下发生反应生成硅酸盐胶体,从所述出料口5溢流出来,经过所述溢流管6进入下一级除硅釜2,经过四级除硅完成后经所述溢流管6通过所述中转槽进料口7进入所述中转槽8中转缓存后,经所述除硅后液输送泵9送入下一阶段过滤工序,经至两级板框压滤进行粗过滤。过滤后合格的硫酸镍液达到硅含量小于6mg/L,送至精制硫酸镍工序进行萃取精制。
[0022]在另一优选实施例中,每级所述除硅釜2和中转槽8均为不锈钢316L材质。
[0023]显然,上述实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。上述实施例仅用于解释本技术,并不构成对本技术保护范围的限定。基于上述实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,也即凡在本申请的精神和原理之内所作的所有修改、等同替换和改进等,均落在本技术要求的保护范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于硫酸镍生产系统的除硅装置,其特征在于,包括:四级除硅釜,在每级所述除硅釜(2)的相对两侧壁上部分别设有进料口(1)和出料口(5),在每级除硅釜(2)的顶部均设有搅拌装置(3)和加料口,所述进料口(1)和出料口(5)均设有法兰接口,两级相邻除硅釜(2)之间设有300mm的高差,相邻两级除硅釜(2)的出料口(5)和进料口(1)之间通过溢流管(6)连接;中转槽(8),该中转槽(8)设有中转槽进料口(7)和搅拌装置(3),所述中转槽(8)的中转槽进料口(7)与所述四级除硅釜的最后一级除硅釜(2)的出料口(5)通过溢流...
【专利技术属性】
技术研发人员:于金龙,王春燕,王鹃,张金勇,李祖如,马治卿,张素超,张津,王海玉,李云子,兰禹弈,李元杰,
申请(专利权)人:金川镍钴研究设计院有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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