本发明专利技术涉及一种在磁共振设备中用于控制天线装置的装置，包括围绕检查区域并具有至少一个用于辐射放大了的发射信号的天线元件的天线装置。设置了至少一个放大器，在其输入端连接高频发射信号，该高频发射信号作为放大了的发射信号出现在该放大器的输出侧。放大器在输出侧与所述天线装置的馈入点相连，以便辐射所述放大了的发射信号。此外还设置初级梯度线圈的线圈绕组，其至少部分地包括天线装置和检查区域。次级梯度线圈的线圈绕组至少部分地包括初级梯度线圈的线圈绕组、天线装置和检查区域。次级梯度线圈的线圈绕组和初级梯度线圈的线圈绕组互相之间有一个间隔，所述至少一个放大器被设置在该间隔中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种按照权利要求1的前序部分的、在磁共振设备中用于控制 天线装置的装置。
技术介绍
具有用于多通道测量的发射天线的磁共振设备越来越重要。在此值得期待 的是，将所需的高频发射功率放大器在紧邻各自天线接头处设置。该愿望由于 在天线旁可用的位置而受到限制。在天线装置的多通道运行中，在靠近天线设置的情况下必须用大的费用来 屏蔽分别所使用的发射功率放大器，以便避免一方面放大器和另一方面天线场 的互相影响。特别是对于所描述的多通道发射天线来说这点具有较大意义，因另 一个问题是在发射运行中通过放大器附加地产生的热，必要时需要进行 昂贵的冷却。在放大器远离天线设置的情况下，通过将放大器输出端与天线装置的对应 的馈入点相连的引入电缆又产生附加的信号衰减。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题是，提供一种用于控制天线装置的装置， 该装置允许发射功率放大器靠近天线设置而无需昂贵的冷却。本专利技术应用于具有以下结构形式的梯度线圏系统的磁共振设备。 梯度线圏系统通常由导电的结构围绕，其中通过接通的梯度场而感应涡 流。由涡流产生的场使得期望的梯度场的时间上的变化被衰减和失真。为了尽 可能补偿场失真，采用主动屏蔽的梯度线圈。在此，属于梯度线圈的屏蔽线圈 例如具有小的压数并且与梯度线圏如下连接，使得与梯度线圈的相同但是方向 相反的电流流过屏蔽线圈。由于连接的接线，屏蔽线圏一般被称为次级梯度线圏，而磁共振成像本身所需的、产生场的梯度线圏被称为初级梯度线圈。按照本专利技术的在磁共振设备中用于控制天线装置的装置，包括围绕检查区 域并且具有至少一个用于辐射放大了的发射信号的天线元件的天线装置。放大 器具有在其上连接了高频发射信号的输入端。该发射信号作为放大了的发射信 号出现在放大器的输出端。放大器的输出端与天线装置的馈入点相连，以便辐 射放大了的发射信号。初级梯度线圈的线圈绕组部分地包括天线装置和检查区 域。次级梯度线圏的线圏绕组至少部分地包括初级梯度线圈的线圈绕组、天线 装置和检查区域。次级梯度线圈的线圈绕组和初级梯度线圏的线圈绕组互相之 间有一个间隔。放大器被设置在初级和次级梯度线圈的线圈绕组之间的间隔中。 借助初级梯度线圈在检查区域中形成用于对患者待进行磁共振检查的实 际的梯度场，而借助次级梯度线圈实现磁共振设备的周围环境的电气屏蔽。场铁(Shim-Eisen)"。借助该"匀场铁"可以将磁共振检查所需的磁场均匀化。 本专利技术优选地利用以下事实，不必完全用匀场铁占据该可用的间隔。 借助按照本专利技术的装置可以实现靠近天线的放大器设置，从而在放大器输出端和天线元件之间只需短的引线。由此，避免了沿着引线的导线损耗和信号衰减。初级和/或次级梯度线圈的必要时存在的冷却优选地也被用来一起排出由 放大器所产生的热。由此，优选地避免了用于功率放大器的附加的冷却装置并 且降低了硬件开销。附图说明下面对照附图对本专利技术作进一步说明。附图中图1A和1B举例示出了对本专利技术所应用于其中的天线装置的控制，图2示出了本专利技术的第一实施方式，以及图3示出了本专利技术的第二实施方式。具体实施例方式图1A举例示出了对本专利技术所应用于其中的天线装置ANT1的控制。 在此，天线装置ANT1被构造为圓柱体形状的鸟笼天线并且在磁共振检查 中用于容纳患者。天线装置ANT1具有八条纵向棒LSll至LS18。在此，纵向棒LS11至LS18 的两端分别通过一个圓形闭合环AR11和AR12互相连接。在此，所考虑的闭 合环必要时具有在圆周方向上的电容器。天线装置ANT1在此被构造为用于多通道系统，从而所示出的纵向棒LSll 至LS18分别具有一个对应的馈入点EP11至EP18。在每个馈入点EP11至EP18 上分别连接了一个用来辐射的放大了的发射信号SV11至SV18，其中发射信号 SV11至SV18互不相同。在这里未示出的替换实施方式中，馈入不是经过纵向棒进行，而是在闭合 环上进行。借助高频发射功率放大器PAll至PA18从所连接的高频发射信号SS11至 SS18形成放大了的发射信号SV11至SV18。每个单个放大器PA11至PA18分 别单独对应于一个馈入点EP11至EP18，从而每个放大了的发射信号SV11至 SV18分別到达对应的々贵入点EP11至EP18。在图1B中仅仅代表性地描述了在第一纵向棒LSll的第一馈入点EP11上 的馈入情形。相应地构造在馈入点EP12至EP18情况下的馈入情形。第一纵向棒LSll用作天线元件并且具有带有两个接头ES11和ES12的第 一馈入点EPll。在两个接头ES11和ES12上连接了用于辐射的第一放大了的 发射信号SVll。放大了的发射信号SV11是通过放大器PA11形成的，高频发射信号SS11 经过信号导线SL11到达该放大器的输入端。放大器PA11在输出侧经过两条引线ZL11和ZL12与馈入点EP11的两个 才妄头ES11和ES12相连。此处所示出的这种天线激励被称为"单棒激励"。图2参照图1A和1B示出了本专利技术的第一实施方式。被称为发射线圏的天线装置ANT1围绕检查区域USB,该检查区域被构造 为用于容纳患者。如所描述的那样，天线装置ANT1具有馈入点EP11至EP18,在多通道系 统中用于辐射的放大了的发射信号SVU至SV18到达这些馈入点EP11至 EP18。借助放大器PA11至PA18从高频发射信号SS11至SS18形成放大了的发 射信号SV11至SV18。高频发射信号SS11至SS18分别单个地连接到对应的放大器PAll至PA18输入侧。为此所需要的单条引入电缆被综合成共同的第一传 输线束SSL1。放大了的发射信号SV11至SV18从各个放大器PA11至PA18的输出端到 达对应的馈入点EP11至EP18。为此所需要的单条引入电缆被综合成共同的第 二传输线束SSL2。在示意图中可以看到初级梯度线圏GSP的线圏绕组，该线圈绕组至少部分 地包括天线装置ANT1和;险查区域USB。相应地，次级梯度线圈GSS的线圈绕组至少部分地包括初级梯度线圏GSP 的线圈绕组、天线装置ANT1和检查区域USB。次级梯度线圈GSS的线圈绕组和初级梯度线圈GSP的线圈绕组互相之间 具有一个间隔ABS，在该间隔中按照本专利技术设置放大器PAll至PA18。在天线装置ANT1和初级梯度线圏GSP之间设置高频屏蔽HFS。在该实施方式中，第二传输线束SSL2从初级梯度线圈GSP和次级梯度线 圏GSS之间的间隔ABS引出并且围绕高频屏蔽HFS引导到天线装置ANT1的 馈入点EP11至EP18。图3参照图1A和1B以及图2示出了本专利技术的第二实施方式。在该实施方式中，第二传输线束SSL2从初级梯度线圈GSP和次级梯度线 圈GSS之间的间隔中直接穿过高频屏蔽HFS引导到天线装置ANT1的馈入点 EP11至EP18。通过高频屏蔽HFS屏蔽了放大器PA1至PA8免受天线装置ANT1的高频 场。由此，优选地避免了功率放大器的附加的HF屏蔽并且因此降低了硬件开销。权利要求1.一种在磁共振设备中用于控制天线装置的装置，包括-天线装置(ANT1)，其围绕检查区域(USB)并具有至少一个用于辐射放大了的发射信号(SV11)的天线元件(LS11)，-至少一个放大器(PA11)，在其输入端连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在磁共振设备中用于控制天线装置的装置，包括： －天线装置（ＡＮＴ１），其围绕检查区域（ＵＳＢ）并具有至少一个用于辐射放大了的发射信号（ＳＶ１１）的天线元件（ＬＳ１１）， －至少一个放大器（ＰＡ１１），在其输入端连接了高频发射 信号（ＳＳ１１），该高频发射信号作为放大了的发射信号（ＳＶ１１）出现在所述放大器（ＰＡ１１）的输出侧， －其中，至少一个放大器（ＰＡ１１）在输出侧与所述天线装置（ＡＮＴ１）的馈入点（ＬＳ１１，ＥＰ１１）相连，以便辐射所述放大了的发射信 号（ＳＶ１１）， －其中，初级梯度线圈（ＧＳＰ）的线圈绕组部分地包括所述天线装置（ＡＮＴ１）和检查区域（ＵＳＢ）， －其中，次级梯度线圈（ＧＳＳ）的线圈绕组至少部分地包括所述初级梯度线圈（ＧＳＰ）的线圈绕组、所述天线装置（ＡＮＴ １）和所述检查区域（ＵＳＢ）， －其中，所述次级梯度线圈（ＧＳＳ）的线圈绕组和初级梯度线圈（ＧＳＰ）的线圈绕组互相之间有一个间隔（ＡＢＳ）， 其特征在于， －所述至少一个放大器（ＰＡ１１）被设置在所述初级梯度线圈（ＧＳＰ） 和次级梯度线圈（ＧＳＳ）的线圈绕组之间的间隔（ＡＢＳ）中。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克A格里斯沃尔德，杰里迈亚海尔曼，沃尔夫冈伦兹，马库斯韦斯特，
申请(专利权)人：卡斯西部储备大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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