【技术实现步骤摘要】
一种稀土合金化高性能铜镍硅合金材料及其制备方法
[0001]本专利技术属于合金
,主要涉及一种稀土合金化高性能铜镍硅合金材料及其制备方法。其适用于大规模及超大规模集成电路所用引线框架材料,各种电路系统所用接触线、接插件和触点弹簧等。
技术介绍
[0002]随着智能时代的开启,高端制造业和电子工业得到了迅速发展,其中最核心的部件就是芯片。而引线框架材料是芯片制造领域不可或缺的一环。目前,各国已开发出的高性能铜基合金材料主要有CuNiSi系、CuFeP系、CuCr系、CuCrZr系等,21世纪被研发出来的Cu
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Ni
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Si合金具有高强度、高电导率、高导热性等优良的综合性能,更加符合电子行业未来小型化、高度集成化的发展方向,世界上多个国家都在加快基于CuNiSi系合金的研发与性能研究。
[0003]国内外专利文献涉及到的高性能铜基合金材料,多是有关控制添加的Ni、Si原子比或添加其他组元或通过调整工艺来提高相应的某项性能。如:
[0004]公开号为CN113308622A ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种稀土合金化高性能铜镍硅合金材料,其特征是,按重量百分比计,该铜镍硅合金材料含有:1.0~3.5wt%镍,0.2~1.0wt%硅,0.02~0.15wt%镁,0.01~0.1wt%锌,0~0.65wt%镧,其余为铜。2.根据权利要求1所述的稀土合金化高性能铜镍硅合金材料,其特征是,优选的,按重量百分比计,该铜镍硅合金材料含有:2.0~3.5wt%镍,0.4~0.6wt%硅,0.07~0.12wt%镁,0.03~0.08wt%锌,0.2~0.5wt%镧,其余为铜。3.根据权利要求1或2所述的稀土合金化高性能铜镍硅合金材料,其特征是,Ni、Si元素的重量比控制在3.5~5.5之间。4.一种权利要求1至3之一所述的稀土合金化高性能铜镍硅合金材料的制备方法,其特征是,包括如下步骤:(1)将原料在1200~1400℃进行保护气氛下的熔炼,熔融后注入铸模中;(2)合金的热锻:热锻温度为700~950℃,保温1~3小时,锻造比1~3;(3)合金的热轧变形:热轧温度700~900℃,轧制变形量6...
【专利技术属性】
技术研发人员:张士宏,宋鸿武,张孟枭,王铭飞,王松伟,陈帅峰,
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所,
类型:发明
国别省市:
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