一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜及其连续化制备方法技术

技术编号:38945471 阅读:14 留言:0更新日期:2023-09-25 09:41
本发明专利技术涉及一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜及其连续化制备方法,属于聚芳酯薄膜技术领域。解决了现有技术中聚芳酯薄膜的制备方法无法做到宽幅和连续化制备的技术问题。本发明专利技术的制备方法,先将可溶性聚芳酯采用良溶剂稀释,搅拌均匀,得到聚芳酯浓溶液,过滤;然后将过滤后的聚芳酯浓溶液消泡,刮涂在基底上,通过溶液流延法成膜,得到聚芳酯薄膜;最后将聚芳酯薄膜进行干燥和连续微波处理,得到可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜。该制备方法对设备要求低、成本低,能够连续化制备聚芳酯薄膜,得到的聚芳酯薄膜综合性能优异。聚芳酯薄膜综合性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜及其连续化制备方法


[0001]本专利技术属于聚芳酯薄膜
,具体涉及一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜及其连续化制备方法。

技术介绍

[0002]聚芳酯薄膜作为一种高附加值聚合物材料,具有良好的耐热性、可见光透过率、尺寸稳定性,以及高强高模性能。
[0003]现有技术中,聚芳酯薄膜的制备方法主要为溶液流延法。但溶液流延法仅适用于实验室级聚芳酯薄膜的制备,无法做到宽幅和连续化制备,因为基带的牵引速率、温区数目、温度设置、风量大小对溶剂的挥发都将影响连续化制备聚芳酯薄膜的品质。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜及其连续化制备方法,该制备方法对设备要求低、成本低,能够连续化制备聚芳酯薄膜,得到的聚芳酯薄膜综合性能优异。
[0005]本专利技术实现上述目的采取的技术方案如下。
[0006]本专利技术提供一种可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法,步骤如下:
[0007]步骤一:将可溶性聚芳酯采用良溶剂稀释,搅拌均匀,得到聚芳酯浓溶液,过滤;
[0008]步骤二:将过滤后的聚芳酯浓溶液消泡,刮涂在基底上,通过溶液流延法成膜,得到聚芳酯薄膜;
[0009]所述溶液流延法成膜的工艺条件为:牵引速率为0.02

2.00m/min,烘干温区三个以上,每个温区长度为1.0

10.0m,烘干温度为20

240℃,热风温度为50

200℃,风速为0

800m3/h;
[0010]步骤三:将聚芳酯薄膜进行连续微波处理,得到可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜;
[0011]所述连续微波处理的微波段长度为5

10m,微波频率为2450KHz或915KHz,微波功率为100KW

500KW。
[0012]优选的是,所述良溶剂选自二甲基亚砜(DMSO)、N,N

二甲基甲酰胺(DMF)、N,N

二甲基乙酰胺(DMAc)、N

甲基吡咯烷酮(NMP)、N

环己基吡咯烷酮(NCP)、环丁砜(TMS)、二氯甲烷(CH2Cl2)、氯仿(CHCl3)、二氯乙烷(DCE)和三氯乙烷(TCE)中的一种或几种。
[0013]优选的是,所述聚芳酯浓溶液的固含量为20

40%。
[0014]优选的是,所述可溶性聚芳酯的结构式如式I或式II所示:
[0015][0016]式I中,n为正整数,范围3

100;
[0017][0018]式II中,n为正整数,范围3

100,m为正整数,范围3

100。
[0019]优选的是,所述基底为PET离型膜或铝带。
[0020]本专利技术还提供上述可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法制备升温可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜。
[0021]优选的是,所述可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的厚度为5

100μm,溶剂含量低于0.2%。
[0022]牵引速率为0.02

2.00m/min,烘干温区三个以上,每个温区长度为1.0

10.0m,烘干温度为20

240℃,热风温度为50

200℃,风速为0

800m3/h;
[0023]优选的是,所述可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的拉伸强度为85MPa

120MPa,弹性模量为2.0Gpa

3.1Gpa,断裂伸长率为10%

150%。
[0024]与现有技术相比,本专利技术的有益效果为:
[0025]本专利技术的可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法,先制备聚芳酯浓溶液,然后再通过溶液流延法成膜,通过调节工艺参数,得到平整度好,RMS<50nm,透明度更高的聚芳酯薄膜,可见光透过率>88%,在保持高耐热的同时,提高了聚芳酯薄膜的拉伸强度、拉伸模量、断裂伸长率等,并可方便的实现连续化宽幅制备,并在此基础上,采用微波加热的方式进一步降低聚芳酯薄膜中溶剂的含量。实验结果表明:本专利技术的制备方法得到的聚芳酯薄膜的拉伸强度为85MPa

120MPa,弹性模量为2.0Gpa

3.1Gpa,断裂伸长率为10%

150%。
具体实施方式
[0026]为了进一步理解本专利技术,下面对本专利技术优选实施方案进行描述,但是应当理解,这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点,而不是对本专利技术权利要求的限制。
[0027]本专利技术的可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法,步骤如下:
[0028]步骤一:将可溶性聚芳酯采用良溶剂稀释,搅拌均匀,得到聚芳酯浓溶液,过滤;
[0029]步骤二:将过滤后的聚芳酯浓溶液消泡,刮涂在基底上,通过溶液流延法成膜,得
到聚芳酯薄膜;
[0030]步骤三:将聚芳酯薄膜进行连续微波处理,得到可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜。
[0031]按照本专利技术,将可溶性聚芳酯溶于良溶剂中,良溶剂优选选自二甲基亚砜(DMSO)、N,N

二甲基甲酰胺(DMF)、N,N

二甲基乙酰胺(DMAc)、N

甲基吡咯烷酮(NMP)、N

环己基吡咯烷酮(NCP)、环丁砜(TMS)、二氯甲烷(CH2Cl2)、氯仿(CHCl3)、二氯乙烷(DCE)和三氯乙烷(TCE)中的一种或几种。更优选的为N,N

二甲基甲酰胺(DMF)和四氢呋喃(THF)。
[0032]按照本专利技术,基底优选为PET离型膜或铝带。
[0033]按照本专利技术,可溶性聚芳酯的结构式优选为式I或式II:
[0034][0035]式I中,n为正整数,范围3

100;
[0036][0037]式II中,n为正整数,范围3

100,m为正整数,范围3

100。
[0038]按照本专利技术,聚芳酯浓溶液的固含量为5

40%,优选为20

30%,更优选为25

30%,溶液流延法成膜的条件为:牵引速率为0.02

2.00m/min,烘干温区三个以上,每个温区长度为1.0

10.0m,烘干温度为20

240℃,热风温度为50

200℃,风速为0

800m3/h。
[0039]按照本专利技术,连续微波处理的设备优选为连续微波装置,微波段长度为5

10m,优本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法,其特征在于,步骤如下:步骤一:将可溶性聚芳酯采用良溶剂稀释,搅拌均匀,得到聚芳酯浓溶液,过滤;步骤二:将过滤后的聚芳酯浓溶液消泡,刮涂在基底上,通过溶液流延法成膜,得到聚芳酯薄膜;所述溶液流延法成膜的工艺条件为:牵引速率为0.02

2.00m/min,烘干温区三个以上,每个温区长度为1.0

10.0m,烘干温度为20

240℃,热风温度为50

200℃,风速为0

800m3/h;步骤三:将聚芳酯薄膜进行连续微波处理,得到可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜;所述连续微波处理的微波段长度为5

10m,微波频率为2450KHz或915KHz,微波功率为100KW

500KW。2.根据权利要求1所述的可溶性低溶剂含量聚芳酯薄膜的连续化制备方法,其特征在于,所述良溶剂选自甲苯、二甲苯、二甲基亚砜、N,N

二甲基甲酰胺、N,N

二甲基乙酰胺、N

甲基吡咯烷酮、N

环己基吡咯烷酮、环丁砜、二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、三氯乙烷中的一种或几种。...

【专利技术属性】
技术研发人员:王刚杨楠
申请(专利权)人:大连中科聚合新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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