低频辐射单元及阵列天线制造技术

技术编号:38944169 阅读:24 留言:0更新日期:2023-09-25 09:41
本发明专利技术提供一种低频辐射单元及阵列天线,低频辐射单元包括:馈电基座,包括两个呈正交分布的巴伦;以及,低频辐射元,包括基板以及中心对称分布于所述基板上的四个第一辐射体,四个所述第一辐射体呈极化正交分布;其中,每个所述第一辐射体均包括环形辐射臂以及开口谐振环,所述环形辐射臂与所述开口谐振环分布于所述基板的不同介质层,每个所述环形辐射臂对应多个所述开口谐振环;各所述环形辐射臂呈中心对称分布,各所述开口谐振环呈半包围设置且具有开口,各所述开口谐振环的正投影位于对应的所述环形辐射臂上。本发明专利技术提供的低频辐射单元及阵列天线旨在解决传统技术中不同频段天线之间存在干扰的问题。线之间存在干扰的问题。线之间存在干扰的问题。

【技术实现步骤摘要】
低频辐射单元及阵列天线


[0001]本专利技术涉及基站天线
,尤其涉及一种低频辐射单元及阵列天线。

技术介绍

[0002]随着无线通信应用的广泛普及以及人们需求的日益提升,无线通信系统需要满足更低延时、更大传输量、更稳定等等的要求,其中,拓展频谱资源是提高信道容量的主要手段,无线通信发展至今从低频的600、700/900MHz一直拓展到如今的高频的3.5GHz、4.9GHz,基站天线领域中,频段的不断拓展,但基站站址有限,无法在现有资源情况下布下足够频段的天线,因此,在有限的天面口径下业内通常采用多种频段放置于同一天面下,节省资源。此种形式下,解决不同频段天线之间的互扰、实现超宽频天线成为了技术难点。
[0003]为了解决频段之间的干扰,业内常用的减小低频对中频和高频的干扰的方法,通常包括:高阻线形式、添加滤波枝节的形式、或者添加电感元件。但往往添加此种结构后低频辐射单元本身的阻抗带宽会变窄,难以实现一种阻抗带宽宽且透射高频辐射波的低频辐射单元。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种低频辐射单元及阵列天线,旨在解决传统技术中不同频段天线之间存在干扰的问题。
[0005]为了解决上述问题,本专利技术提供一种低频辐射单元,包括:
[0006]馈电基座,包括两个呈正交分布的巴伦;以及,
[0007]低频辐射元,包括基板以及中心对称分布于所述基板上的四个第一辐射体,四个所述第一辐射体呈极化正交分布;
[0008]其中,每个所述第一辐射体均包括环形辐射臂以及开口谐振环,所述环形辐射臂与所述开口谐振环分布于所述基板的不同介质层,每个所述环形辐射臂对应多个所述开口谐振环;
[0009]各所述环形辐射臂呈中心对称分布,各所述开口谐振环呈半包围设置且具有开口,各所述开口谐振环的正投影位于对应的所述环形辐射臂上。
[0010]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述环形辐射臂具有多个辐射支臂,每个所述辐射支臂上相邻的两个所述开口谐振环的开口朝向相差180
°

[0011]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,各所述开口谐振环的正投影的中心位于对应的所述辐射支臂上。
[0012]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,每相邻的两个所述开口谐振环之间的间距相等。
[0013]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述开口谐振环包括圆环开口型、方环开口型或者六边形开口型。
[0014]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述低频辐射元还包括设于所述基板中心
处的的四个第二辐射体,四个所述第二辐射体位于各所述第一辐射体之间且呈中心对称分布,所述巴伦分别与各所述第二辐射体电连接。
[0015]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述第二辐射体呈L型。
[0016]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述低频辐射元还包括设于所述基板上的四个第三辐射体,各所述第三辐射体位于相邻的两个所述第一辐射体之间且呈中心对称分布。
[0017]根据本专利技术提供的一种低频辐射单元,所述第三辐射体呈线型。
[0018]本专利技术还提供一种阵列天线,包括:
[0019]低频辐射单元,所述低频辐射单元为如上任一项所述的低频辐射单元;以及,高频辐射单元;
[0020]其中,每个所述低频辐射单元对应四个所述高频辐射单元,每个所述低频辐射单元的各所述第一辐射体均对应一个所述高频辐射单元,各所述第一辐射体的正投影部分位于对应的所述高频辐射单元上,所述开口谐振环的周长为对应的所述高频辐射单元的0.25~0.35λ。
[0021]本专利技术提供的低频辐射单元设置有第一辐射体,在不影响低频辐射单元本身特性的基础上添加了开口谐振环结构,能够对高频信号产生透波作用,减小了低频信号与高频信号之间的干扰,提升了天线的工作效果。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术提供的低频辐射单元的结构示意图;
[0024]图2是图1的俯视图结构示意;
[0025]图3是图1中开口谐振环的第一实施例结构示意图;
[0026]图4是图1中开口谐振环的第二实施例结构示意图;
[0027]图5是图1中开口谐振环的第三实施例结构示意图;
[0028]图6是本专利技术提供的阵列天线的结构示意图;
[0029]附图标记:
[0030]10:阵列天线;100:低频辐射单元;110:馈电基座;120:巴伦;130:低频辐射元;131:基板;132:第一辐射体;133:第二辐射体;134:第三辐射体;135:环形辐射臂;136:开口谐振环;137:辐射支臂;200:高频辐射单元。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术中的附图,对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0032]在本专利技术实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术实施例的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本专利技术实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0034]在本专利技术实施例中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0035]在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低频辐射单元,其特征在于,包括:馈电基座,包括两个呈正交分布的巴伦;以及,低频辐射元,包括基板以及中心对称分布于所述基板上的四个第一辐射体,四个所述第一辐射体呈极化正交分布;其中,每个所述第一辐射体均包括环形辐射臂以及开口谐振环,所述环形辐射臂与所述开口谐振环分布于所述基板的不同介质层,每个所述环形辐射臂对应多个所述开口谐振环;各所述环形辐射臂呈中心对称分布,各所述开口谐振环呈半包围设置且具有开口,各所述开口谐振环的正投影位于对应的所述环形辐射臂上。2.根据权利要求1所述的低频辐射单元,其特征在于,所述环形辐射臂具有多个辐射支臂,每个所述辐射支臂上相邻的两个所述开口谐振环的开口朝向相差180
°
。3.根据权利要求1所述的低频辐射单元,其特征在于,各所述开口谐振环的正投影的中心位于对应的所述辐射支臂上。4.根据权利要求1所述的低频辐射单元,其特征在于,每相邻的两个所述开口谐振环之间的间距相等。5.根据权利要求1所述的低频辐射单元,其特征在于,所述开口谐振环包括圆环开口型、方环开口型或者六边形开口...

【专利技术属性】
技术研发人员:李慧敏刘正贵程伟张宁黄超杰
申请(专利权)人:中信科移动通信技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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