高电导钌金属薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及高电导钌金属薄膜及其制备方法。根据一实施例，一种形成钌金属薄膜的方法可包括使用金属钌或者钌氧化物作为生长源或靶材，在具有钙钛矿晶体结构的衬底上外延或取向生长钌金属层。所述衬底的表面可以是(110)晶面，所形成的钌金属层是单晶钌金属层，并且其表面是(002)晶面。所述衬底可包括LaAlO3。。。

【技术实现步骤摘要】
高电导钌金属薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术总体上涉及材料领域，更特别地，涉及一种高电导钌金属薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]钌是六种铂族金属之一，具有较低的电阻率和较好的化学稳定性，同时钌具有优异的催化活性，因此在电子信息、电化学等领域有广泛的应用。除催化作用外，金属钌的薄膜被广泛运用于电子信息工业的半导体器件中，在集成电路中作为铜的粘结层/扩散阻挡层，磁记录媒介中作为中间层/籽晶层，此外还在抗氧化保护层材料和电接触材料等方面具有广泛的应用。
[0003]金属钌在常温下为密排六方结构，晶格参数为a＝b＝270.59pm，c＝428.15pm，轴角α＝β＝90
°
，γ＝120
°
。钌的熔点高达大约2310℃，需要在较高的温度下进行沉积，一般在Si、玻璃、Al2O3、TiO2等衬底上沉积，获得的是非晶和多晶样品，而难以获得具有良好单晶形态的金属钌。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种制备钌金属薄膜的方法，其能够制备高质量的单晶形态的金属钌薄膜，所得钌薄膜具有高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成钌金属薄膜的方法，包括使用金属钌或者钌氧化物作为生长源或靶材，在具有钙钛矿晶体结构的衬底上外延或取向生长钌金属层。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述钌金属层是单晶钌金属层。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述具有钙钛矿晶体结构的衬底的表面是(110)晶面，所述单晶钌金属层的表面是(002)晶面。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述具有钙钛矿晶体结构的衬底包括LaAlO3。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述具有钙钛矿晶体结构的衬底与所述单晶钌金属层的晶格匹配度在
±
3％的范围内。6.如权利要求1所述的方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈允忠，胡凤霞，沈保根，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：