【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法和图像显示装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法和图像显示装置。
技术介绍
[0002]期望实现高辉度、广视角、高对比度且耗电低的薄型图像显示装置。为了应对这样的市场需求，当前正推进利用了自发光元件的显示装置的开发。
[0003]作为自发光元件，期待着使用了作为微细发光元件的微型LED的显示装置的推出。作为使用了微型LED的显示装置的制造方法，介绍了将单独形成的微型LED向驱动电路依次转印的方法。然而，随着全高清、4K、8K等而成为高画质，微型LED的元件数量变多，如果将大量微型LED单独形成并向形成有驱动电路等的基板依次转印，则转印工序需要庞大的时间。而且，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等而导致成品率下降。
[0004]已知以下技术：在Si基板上使包含发光层的半导体层生长，在半导体层上形成电极后，向形成有驱动电路的电路基板粘合(例如，参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，具备：在基板的第一面上形成包含石墨烯的层的工序；在包含所述石墨烯的层上形成包含发光层的半导体层的工序；对所述半导体层进行加工，形成包含发光面和所述发光面的相反侧的上面在内的发光元件的工序，所述发光面是包含所述石墨烯在内的层上的发光面；形成将所述第一面、包含所述石墨烯在内的层以及所述发光元件覆盖的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成将所述第一绝缘膜和所述电路元件覆盖的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一过孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序；所述第一过孔设置在所述第一配线层与所述上面之间，并且将所述第一配线层和所述上面电连接。2.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第二过孔的工序，所述发光元件包含沿着所述第一面设置的连接部，所述第二通孔设置在所述第一配线层与所述连接部之间，并且将所述第一配线层和所述连接部电连接。3.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备在形成包含石墨烯在内的层之前、在所述第一面上形成具有透光性的第二配线层的工序，还具备形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第二过孔的工序，所述第二过孔设置在所述第一配线层与所述第二配线层之间，并且将所述第一配线层和所述第二配线层电连接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的图像显示装置的制造方法，所述基板具有透光性。5.根据权利要求4所述的图像显示装置的制造方法，还具备在所述发光面侧形成波长转换部件的工序。6.根据权利要求1至5中任一项所述的图像显示装置的制造方法，还具备在形成所述第一绝缘膜的工序之前、以覆盖所述发光元件的方式形成第三配线层的工序。7.根据权利要求1或2所述的图像显示装置的制造方法，还具备：将所述基板除去的工序；使所述发光面粗糙化的工序。8.根据权利要求7所述的图像显示装置的制造方法，还具备代替所述基板而形成波长转换部件的工序。9.根据权利要求1至8中任一项所述的图像显示装置的制造方法，还具备在所述第一绝缘膜上形成遮光层的工序。10.根据权利要求1至9中任一项所述的图像显示装置的制造方法，
所述半导体层包含氮化镓系化合物半导体。11.一种图像显示装置，具备：光透过性部件，其具有第一面；发光元件，其包含所述第一面上的发光面和所述发光面的相反侧的上面；第一绝缘膜，其覆盖所述第一面和所述发光元件；电路元件，其设置在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜和所述电路元件；第一过孔，其以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置；第一配线层，其设置在所述第二绝缘膜上；所述第一过孔设置在所述第一配线层与所述上面之间，并且将所述第一配线层和所述上面电连接。12.根据权利要求11所述的图像显示装置，还具备以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置的第二过孔，所述发光元件包含沿着所述发光面设置的连接部，所述第一配线层包含第一配线和从所述第一配线分离的第二配线，所述第一过孔设置在所述第一配线与所述上面之间，并且将所述第一配线和所述上面电连接，所述第二过孔设置在所述第二配线与所述连接部之间，并且将所述第二配线和所述连接部电连接。13.根据权利要求11所述的图像显示装置，还具备：第二配线层，其设置在所述第一面上并且具有光透过性；第二过孔，其以...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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