膜和半导体封装体的制造方法技术

一种膜，其依次具备基材、基底层和粘接层，上述基底层包含(甲基)丙烯酸聚合物与固化剂的反应固化物，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定且由下式求得的上述基底层的伸长率为90％以上：伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜和半导体封装体的制造方法


[0001]本公开涉及膜和半导体封装体的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体元件以封装体的形态密封并安装在基板上，以阻隔外部气体及保护其免受外部气体的影响。在半导体元件的密封中，使用环氧树脂等固化性树脂。通过将半导体元件配置在模具内的规定位置，向模具内填充固化性树脂并使其固化，从而进行树脂密封。作为密封的方法，通常已知有传递成形法和压缩成形法。在半导体元件的密封中，为了提高封装体自模具的脱模性，大多在模具的内表面配置脱模用的膜。例如，专利文献1～3中记载了适合于半导体封装体制造的膜。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2015/133630号
[0006]专利文献2：国际公开第2016/093178号
[0007]专利文献3：国际公开第2016/125796号

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]半导体封装体中，为了散热性的提高和薄型化，有时使半导体元件、源电极、密封玻璃等电子部件从密封树脂露出。作为具有这种露出部的电子部件装置，代表性的是传感器。通过将想要露出的部分抵压在模具上同时填充固化性树脂并使其固化，从而制造电子部件的一部分从密封树脂露出的半导体封装体。
[0010]在具有该露出部的半导体封装体的制造中使用脱模用的膜的情况下，在使膜与电子部件的露出部直接接触的状态下进行密封。此时，将密封后的半导体封装体从膜剥离时膜的粘接层等的成分的一部分附着在电子部件上而残留，有时会造成对电子部件的污染。为了应对由膜的成分的迁移造成的对电子部件污染，专利文献3中提出了一种膜，其具备具有特定储能模量的基材、和包含具有特定官能团比率的丙烯酸聚合物和多官能异氰酸酯化合物的反应固化物的粘接层。
[0011]但是，随着近年来的半导体封装体形状的更加复杂化、具有露出部的半导体封装体的高低差的增加等，追随复杂的形状而使用膜的情况正在增加。此时发现，随着膜的拉伸，粘接层的成分容易向密封体迁移、即容易产生所谓的残胶，容易污染密封体。
[0012]本公开涉及提供一种即使拉伸也能抑制粘接层的成分向密封体迁移的膜、以及使用了该膜的半导体封装体的制造方法。
[0013]解决技术问题所采用的技术方案
[0014]用于解决上述技术问题的技术方案包括以下形态。
[0015]<1>一种膜，其为依次具备基材、基底层和粘接层的膜，其特征是，所述基底层包含
(甲基)丙烯酸聚合物与固化剂的反应固化物，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定、且由下式求得的所述基底层的伸长率为90％以上，
[0016]伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))
×
100/(拉伸前的夹具间距离(mm))。
[0017]<2>一种膜，其为依次具备基材、基底层和粘接层的膜，其特征是，所述基底层包含(甲基)丙烯酸聚合物与选自金属螯合物和环氧化合物的至少一种固化剂的反应固化物，所述(甲基)丙烯酸聚合物包含含羧基的(甲基)丙烯酸聚合物。
[0018]<3>如<2>所述的膜，其中，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定、且由下式求得的上述基底层的伸长率为90％以上，
[0019]伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))
×
100/(拉伸前的夹具间距离(mm))。
[0020]<4>如<1>～<3>中任一项所述的膜，其中，上述基底层的酸值为1～80mgKOH/g。
[0021]<5>如<1>～<4>中任一项所述的膜，其中，上述固化剂包含金属螯合物，相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸聚合物，上述金属螯合物的量为0.1～10质量份。
[0022]<6>如<1>～<5>中任一项所述的膜，其中，上述固化剂包含环氧化合物，相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸聚合物，上述环氧化合物的量为0.1～10质量份。
[0023]<7>如<1>～<6>中任一项所述的膜，其中，上述基材包含氟树脂。
[0024]<8>如<7>所述的膜，其中，上述氟树脂包含选自乙烯
‑
四氟乙烯共聚物、四氟乙烯
‑
六氟丙烯共聚物、四氟乙烯
‑
全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和四氟乙烯
‑
六氟丙烯
‑
偏二氟乙烯共聚物的至少一种。
[0025]<9>如<1>～<8>中任一项所述的膜，其中，上述基材经过电晕处理或等离子体处理。
[0026]<10>如<1>～<9>中任一项所述的膜，其中，上述粘接层包含含羟基的(甲基)丙烯酸聚合物与多官能异氰酸酯化合物的反应固化物。
[0027]<11>如<1>～<10>中任一项所述的膜，其中，在上述基底层和上述粘接层之间还具备防静电层。
[0028]<12>如<1>～<11>中任一项所述的膜，其中，其为在用固化性树脂密封半导体元件的工序中使用的脱模膜。
[0029]<13>一种半导体封装体的制造方法，其包括：
[0030]将上述<1>～<12>中任一项所述的膜配置在模具内表面；
[0031]在配置有上述膜的上述模具内配置固定有半导体元件的基板；
[0032]用固化性树脂密封上述模具内的半导体元件，制作密封体；以及
[0033]将上述密封体从上述模具脱模。
[0034]专利技术效果
[0035]根据本公开，提供一种即使拉伸也能抑制粘接层的成分向密封体迁移的膜、以及使用了该膜的半导体封装体的制造方法。
[0036]附图的简要说明
[0037]图1示出本公开的一形态中的膜的示意剖视图。
具体实施方式
[0038]以下，详细说明本公开的实施方式，但本公开的实施方式并不限定于以下的实施
方式。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种膜，其为依次具备基材、基底层和粘接层的膜，其特征在于，所述基底层包含(甲基)丙烯酸聚合物与固化剂的反应固化物，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定、且由下式求得的所述基底层的伸长率为90％以上，伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))
×
100/(拉伸前的夹具间距离(mm))。2.一种膜，其为依次具备基材、基底层和粘接层的膜，其特征在于，所述基底层包含(甲基)丙烯酸聚合物与选自金属螯合物和环氧化合物的至少一种固化剂的反应固化物，所述(甲基)丙烯酸聚合物包含含羧基的(甲基)丙烯酸聚合物。3.如权利要求2所述的膜，其中，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定、且由下式求得的所述基底层的伸长率为90％以上，伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))
×
100/(拉伸前的夹具间距离(mm))。4.如权利要求1～3中任一项所述的膜，其中，所述基底层的酸值为1～80mgKOH/g。5.如权利要求1～4中任一项所述的膜，其中，所述固化剂包含金属螯合物，相对于100质量份的所述(甲基)丙烯酸聚合物，所述金属螯合物的量为0.1～10质量份。6.如权利要求1～5中任一项所述的膜，其中，所述固化剂包含环氧化合物，相对于100质量...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹中聪史，小寺省吾，长谷川哲也，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：