【技术实现步骤摘要】
晶片表面处理机构及晶片表面处理设备
[0001]本专利技术涉及半导体材料处理
,尤其涉及一种晶片表面处理机构及晶片表面处理设备。
技术介绍
[0002]晶片是一种在光伏产品、半导体器件等领域中广泛使用的物料。将晶棒切割成许多片状结构后经打磨获得圆形薄板状晶片,为了提高由晶片制成的产品的品质和可靠性,需要利用清洗液清洗晶片。
[0003]现有一种晶片表面处理设备,包括刷辊和驱动机构,刷辊用于刷洗晶片的圆形端面,驱动机构包括可转动的转轮,转轮接触晶片的外周以带动晶片转动,刷辊随着晶片往复转动反复刷洗晶片。
[0004]这类晶片表面处理设备难以充分满足目前的需求,刷辊和晶片之间的沟槽中容易积攒杂质和清洗废液,且杂质和废液难以排出,晶片清洗质量不达标,需要用额外的时间去除残余杂质和废液,晶片清洗效率低。
技术实现思路
[0005]有鉴于此,有必要提供一种能够减少杂质及废液残留、提高晶片清洗效果和清洗效率的晶片表面处理机构。
[0006]本专利技术提供的晶片表面处理机构包括供水系统、刷辊支 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片表面处理机构,用于清理晶片,其特征在于,包括供水系统(40)、刷辊支架(22)和至少两个转动安装于所述刷辊支架(22)的刷辊(21),至少一个所述刷辊(21)的外周沿轴向依次设有至少两个刷套(25),位于所述刷辊(21)的至少两个所述刷套(25)具有不同的热膨胀系数;所述供水系统(40)包括蓄水室(41)和供水通道(42),所述供水通道(42)连通所述蓄水室(41),并形成朝向所述刷套(25)设置的出水口(43)。2.根据权利要求1所述的晶片表面处理机构,其特征在于,至少一个所述刷辊(21)的外周沿轴向设有至少三个刷套(25),位于所述刷辊(21)的所述刷套(25)按照热膨胀系数的大小顺序依次设置。3.根据权利要求1所述的晶片表面处理机构,其特征在于,所述供水通道(42)包括开设于所述刷辊(21)的离心排水段(420),所述出水口(43)开设于所述刷辊(21)的外周,并且连通所述离心排水段(420)。4.根据权利要求3所述的晶片表面处理机构,其特征在于,所述刷辊(21)为中空结构,所述刷辊(21)的空腔形成所述离心排水段(420);及/或,所述蓄水室(41)安装于所述刷辊(21)。5.根据权利要求3所述的晶片表面处理机构,其特征在于,所述出水口(43)的数量为两个或两个以上,且所述出水口(43)沿所述刷辊(21)的轴向依次设置,任意一个所述刷套(25)对应至少一个所述出水口(43)。6.根据权利要求1所述的晶片表面处理机构,其特征在于,所述供水系统(40)还包括温度调节器,所述温度调节器用于调节所述蓄水室(41)内的温度;及/或,所述蓄水室(41)包括冷水室和热水室,所述供水通道(42)包括连通所述冷水室的冷水通道和连通所述热水室的热水通道,所述出水口(43)包括设于所述冷水通道的冷水口和设于所述热水通道的...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱亮,李阳健,陈道光,罗洪吉,夏希林,
申请(专利权)人:浙江晶盛机电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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