超低轮廓铜箔及其制备方法技术

技术编号:38895997 阅读:21 留言:0更新日期:2023-09-22 14:17
本发明专利技术提供了一种超低轮廓铜箔及其制备方法。该制备方法包括:酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干,其中粗化过程采用的电解液中加入表面提升添加剂,其中表面提升添加剂选自3

【技术实现步骤摘要】
超低轮廓铜箔及其制备方法


[0001]本专利技术涉及VLP铜箔制造领域,具体而言,涉及一种超低轮廓铜箔及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有的印刷线路板具有向多层印刷电路板发展的趋势,而用于制备印刷线路板的铜箔应具有较高的抗剥离强度和较低的粗糙度。当铜箔剥离强度相对于初始剥离强度降低较多时,铜箔图案和基材之间的界面容易吸收盐酸溶液而易被腐蚀。但现有制造VLP铜箔(超低轮廓铜箔)技术在保证抗剥离强度处于最佳范围内时,毛面粗糙度远远大于产品要求的3.0μm。
[0003]鉴于上述问题的存在,需要提供一种能够制得兼具高剥离强度和低粗糙度的VLP电解铜箔的生产工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种超低轮廓铜箔及其制备方法,以解决现有的表面处理工艺无法制得兼具高剥离强度和低粗糙度的超低轮廓铜箔的问题。
[0005]为了实现上述目的,本专利技术一方面提供了一种超低轮廓铜箔的制备方法,包括:酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干,其中粗化过程采用的电解液中加入表面提升添加剂,其中表面提升添加剂选自3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨酸盐和可溶性钼酸盐中的一种或多种。
[0006]进一步地,粗化过程包括:采用第一电解液在粗化槽中进行第一电镀过程,然后采用第二电解液在粗化槽中进行第二粗化处理,其中第一电镀过程和第二电镀过程的电流密度分别独立地选自10~50A/dm2,温度分别独立地选自15~40℃,第一电解液和第二电解液均包括:50~200g/L硫酸,5~20g/L Cu
2+
,10~40mg/L Cl

,20~90mg/L 3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠,50~300mg/L9

苯基吖啶,0~60mg/L可溶性钨酸盐和0~50mg/L可溶性钼盐。
[0007]进一步地,表面提升添加剂包括3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐,且四者的重量比依次为(40~60):(100~200):(20~40):(20~30)。
[0008]进一步地,在固化处理步骤和常温防氧化步骤之间,超低轮廓铜箔的制备方法包括:通过电镀过程在经固化处理得到的铜箔表面形成合金防腐蚀层,其中合金防腐蚀层包含锡、镧和铈中的一种或多种。
[0009]进一步地,电镀过程的电流密度3~8A/dm2,温度30~60℃,镀液包括:200~350mg/L硫酸亚铈或1000~2200mg/L硫酸镧,0.5~3g/LSn
2+
,2~20g/L Zn
2+
,70~350g/L焦磷酸钾,pH为9.0~10.0。
[0010]进一步地,酸洗过程在30~40℃下进行,采用的酸性洗液包括110~190g/L硫酸和20~30g/L铜离子。
[0011]进一步地,固化处理过程在40~50℃下进行,电流密度为10~50A/dm2,采用的电解液包括:50~150g/L硫酸和50~80g/L Cu
2+

[0012]进一步地,常温防氧化过程在30~40℃下进行,电流密度为5~8A/dm2,采用的电解液包括3~7g/L Cr
6+
,pH为10.0~12.0。
[0013]进一步地,硅烷喷涂过程在20~30℃下进行,有机膜偶联剂的浓度为0.5~2.0g/L,烘干过程的温度为180~200℃。
[0014]本申请的第二方面还提供了一种超低轮廓铜箔,超低轮廓铜箔的毛面粗糙度<3.0μm,且超低轮廓铜箔采用上述超低轮廓铜箔的制备方法制得。
[0015]应用本专利技术的技术方案,采用酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干等表面处理工艺能够制得具有高剥离强度的铜箔;通过在粗化处理工序中加入特定的添加剂(如9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐)能够从铜的晶体成核和成长方面改善铜箔的表面形态,从而降低粗糙度。在此基础上,通过上述方法能够制得兼具高剥离强度和低粗糙度的VLP铜箔。
具体实施方式
[0016]需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本专利技术。
[0017]正如
技术介绍
所描述的,现有的表面处理工艺无法制得兼具高剥离强度和低粗糙度的超低轮廓铜箔的问题。为了解决上述技术问题,本申请提供了一种超低轮廓铜箔的制备方法,包括:酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干,其中粗化过程采用的电解液中加入表面提升添加剂,其中表面提升添加剂选自3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐中的一种或多种。
[0018]采用酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干等表面处理工艺能够制得具有高剥离强度的铜箔;通过在粗化处理工序中加入特定的添加剂(如3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐)能够从铜的晶体成核和成长方面改善铜箔的表面形态,从而降低粗糙度。在此基础上,通过上述方法能够制得兼具高剥离强度和低粗糙度的VLP铜箔。
[0019]为了进一步改善制得的VLP铜箔的粗糙度,在一种优选的实施例中,粗化过程包括:采用第一电解液在粗化槽中进行第一电镀过程,然后采用第二电解液在粗化槽中进行第二粗化处理,其中第一电镀过程和第二电镀过程的电流密度分别独立地选自10~50A/dm2,温度分别独立地选自15~40℃,第一电解液和第二电解液均包括:50~200g/L硫酸,5~20g/L Cu
2+
,10~40mg/L Cl

,20~90mg/L 3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠,50~300mg/L 9

苯基吖啶,0~60mg/L可溶性钨酸盐和0~50mg/L可溶性钼盐。
[0020]上述表面活性剂均能够起到改善铜箔的表面形态的效果,为了发挥上述四种组分的协同作用,以获得更好的改善效果,优选地,上述表面提升添加剂包括3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐,且三者的重量比依次为(40~60):(100~200):(20~40):(20~30)。
[0021]优选地,上述钨酸盐包括但不限于钨酸钠,钼酸盐包括但不限于本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低轮廓铜箔的制备方法,其特征在于,所述超低轮廓铜箔的制备方法包括:酸洗、粗化处理、固化处理、常温防氧化、硅烷喷涂及烘干,其中所述粗化过程采用的电解液中加入表面提升添加剂,其中所述表面提升添加剂选自3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨酸盐和可溶性钼酸盐中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的超低轮廓铜箔的制备方法,其特征在于,所述粗化过程包括:采用第一电解液在粗化槽中进行第一电镀过程,然后采用第二电解液在粗化槽中进行第二粗化处理,其中所述第一电镀过程和所述第二电镀过程的电流密度分别独立地选自10~50A/dm2,温度分别独立地选自15~40℃,所述第一电解液和所述第二电解液均包括:50~200g/L硫酸,5~20g/L Cu
2+
,10~40mg/L Cl

,20~90mg/L 3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠,50~300mg/L所述9

苯基吖啶,0~60mg/L所述可溶性钨酸盐和0~50mg/L所述可溶性钼盐。3.根据权利要求1或2所述的超低轮廓铜箔的制备方法,其特征在于,所述表面提升添加剂包括3

(苯并噻唑

2巯基)

丙烷磺酸钠、9

苯基吖啶、可溶性钨盐和可溶性钼盐,且四者的重量比依次为(40~60):(100~200):(20~40):(20~30)。4.根据权利要求1至3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:闫瑞刚李帅周建华王卫王文斐
申请(专利权)人:江苏中天科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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