一种导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统技术方案

本发明专利技术提供的一种导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统包括：第一旋转装置、第一磁吸盘、可伸缩工作台、第二磁吸盘、第二旋转装置、应力控制器以及同步传动装置，本发明专利技术导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统中至少一个水导激光头随切割顺序可水平移动，其中装置的一端由磁吸盘吸附以及辅助固定SiC晶锭，另一端由磁吸盘对要切割的部分进行吸附，装置的两端以一定的速度旋转从而带动晶锭旋转的方式实现导电型晶锭的快速、精准切割。精准切割。精准切割。

【技术实现步骤摘要】
一种导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统


[0001]本专利技术属于半导体材料的加工
，具体涉及一种导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统。

技术介绍

[0002]SiC作为一种典型的硬脆材料，莫氏硬度为9.2～9.5仅次于金刚石，使得其加工制造过程十分困难。SiC单晶衬底的制造过程可分成切割
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粗研
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细研
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抛光几个阶段。切割作为制造SiC单晶衬底首要关键的工序，其加工质量直接影响到材料切割损失、后续工序的材料去除量、最终加工质量(表面粗糙度和平整度)、产品出品率及加工成本等。随着晶体生长技术的发展和市场的需求持续增加，大直径SiC单晶衬底的需求量越来越大；目前SiC单晶衬底正由6英寸向8英寸过渡，对传统的晶片切割技术带来了严峻的挑战，如何高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率切割SiC单晶，已成为当前SiC单晶衬底加工领域重要的研究方向。
[0003]目前单晶SiC切割多采用固结金刚石磨粒线锯切割法，之后用复合电镀、钎焊、树脂硬化或烧结等方法把金刚石磨粒均匀固结在高强度不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电型SiC晶锭的水射流激光切割系统，其特征在于，包括：第一旋转装置、第一磁吸盘、可伸缩工作台、第二磁吸盘、第二旋转装置、应力控制器以及同步传动装置；所述第一磁吸盘开口一端用于对导电型SiC晶锭的籽晶部位进行吸附固定，另一端连接所述第一旋转装置，所述第二磁吸盘与所述第一磁吸盘相对设置，所述第二磁吸盘用于固定导电型SiC晶锭被切割部分，所述第一旋转装置、第二旋转装置、可伸缩工作台以及应力传感器通过同步传动装置连接，所述第一旋转装置、第一磁吸盘、第二磁吸盘、第二旋转装置以及应力控制器位于可伸缩工作台上，在切割过程中至少一个水导激光头正对第二磁吸盘吸附的导电型SiC晶锭的切割点，通过同步传动装置控制第一旋转装置以及第二旋转装置，使得第一磁吸盘与第二磁吸盘同步旋转带动导电型SiC晶锭旋转，同步传动装置控制所述可伸缩工作台在切割过程中给进导电型SiC晶锭实现切割；所述应力控制器在切割过程中检测导电型SiC晶锭的拉应力、压应力以及扭转应力，并且调节所述可伸缩工作台移动消除导电型SiC晶锭的压应力以及拉应力，通过调节第一旋转装置以及第二旋转装置消除扭转应力。2.根据权利要求1所述的水射流激光切割系统，其特征在于，第一磁吸盘以及第二磁吸盘都包括：吸盘体以及电磁铁，所述电磁铁位于吸盘体底部中心位置，导电型SiC晶锭放置在所述吸盘体中心，所述电磁铁的电磁力将所述导电型SiC晶锭固定在吸盘体上。3.根据权利要求2所述的水射流激光切割系统，其特征在于，所述第一磁吸盘还设置有多个软卡爪，多个软卡爪均匀设置在所述第一磁吸盘的吸盘体内部，一端卡接在电磁铁与吸盘体形成的凹槽上，一端相互配合卡紧吸盘体上的导电型SiC晶锭，以对SiC晶锭辅助固定。4.根据权利要求1所述的水射流激光切割系统，其特征在于，所述应力控制器集成有拉应力传感器、压应力传感器以及扭转应力传感器，分别用于当导电型SiC晶锭切割晶片时，检测导电型SiC晶锭受到的拉应力、压应力、扭转应力，所述应力控制器一端与第二磁吸盘连接，一端与第二旋转装置连接，所述应力控制器如果检测到拉应力、压应力、扭转应力中的任何一个，应力控制器进行报警闪烁，并传输至同步传动装置，同步传动装置通过可伸缩工作台移动消除拉应力以及压应力，通过调节第一旋转装置以及第二旋转装置同步消除扭转应力。5.根据权利要求1所述的水射流激光切割系统，其特征在于，所述可伸缩工作台包括：伺服电机、滚珠丝杠装置、固定座、手轮、控制手柄、导轨、夹具台、第一锥齿轮、第二锥齿轮、开合螺母以及控制凸轮，所述夹具台与导轨固定安装，所述伺服...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭辉，
申请(专利权)人：郭辉，
类型：发明
国别省市：