一种充电装置负载接入检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种充电装置负载接入检测装置，包括检测回路；检测回路包括PMOS管M2～M3、二极管D2、三极管Q1～Q2、稳压管Z1、电阻R1～R13、熔断器r1、控制电源、控制信号接口。本发明专利技术的装置仅采用常规的三极管、MOS管、二极管等元件，没有控制元件、芯片等，对环境条件要求低，可靠性高；并且装置元件损坏修复成本低、维护方便；本发明专利技术具备关闭信号，可在充电、未充电状态下可靠关闭检测回路。状态下可靠关闭检测回路。状态下可靠关闭检测回路。

【技术实现步骤摘要】
一种充电装置负载接入检测装置


[0001]本专利技术涉及一种充电装置负载接入检测装置。

技术介绍

[0002]充电装置广泛应用于应急照明灯、汽车充电桩、手机充电器等场合。目前充电方式多是充电装置处于带电状态，将被充电设备插入充电插头充电。这种充电方式主回路长期处于一个带电状态，电缆、电抗等回路设备均存在损耗，对于充电使用率不高的场所，不经济，安全性也较低。一些充电设施上设置了开关按钮用于控制主回路开关状态，但是这种开关频繁使用后容易松动，使用者也容易遗忘关闭，在公用场合效果不明显。专利CN202110824042.7公开了一种负载检测装置，需要变压器、控制芯片等元件，专利CN202122966113.5公开了一种负载检测装置，采用了单片机，这两类装置均涉及了复杂的控制芯片，对运行环境条件要求高，成本高，且故障后维修麻烦，需要重新输入程序。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种充电装置负载接入检测装置，能够不使用变压器、控制芯片等元件，使用成本更低。
[0004]为此，本专利技术采用以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电装置负载接入检测装置，包括检测回路；其特征在于,所述检测回路包括PMOS管M2～M3、二极管D2、三极管Q1～Q2、稳压管Z1、电阻R1～R13、熔断器r1、控制电源、控制信号接口；所述电阻R2与控制电源正极连接，所述R2另一端与PMOS管M3的漏极连接；所述PMOS管M3的源极与电阻R3连接，所述电阻R3、熔断器r1与二极管D2阳极连接，所述二极管D2阴极与电阻R4连接；所述稳压管Z1阴极与熔断器r1阳极连接，稳压管Z1阳极接地；所述PMOS管M3的栅极与电阻R7连接，所述电阻R7另一端与三极管Q2的集电极连接；所述三极管Q2发射极接地；所述电阻R6一端与PMOS管M3漏极连接，另一端与PMOS管M3的栅极连接；所述电阻R5一端与PMOS管M3漏极连接，另一端与三极管Q1集电极连接，所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极连接；所述电阻R12一端与三极管Q1集电极连接，另一端接地；所述控制信号接口经过电阻R10与三极管Q1基极连接；所述电阻R11一端与三极管Q1的基极连接，另一端接地；所述三极管Q1的发射极接地；所述PMOS管M2的漏极与控制电源连接，栅极与电阻R2连接，源极与电阻R8连接；所述电阻R8另一端经过电阻R9接地，所述电阻R9与电阻R8连接点的电位信号FB与充电装置主回路的功率开关M1的控制端连接；所述二极管D2阴极通过电阻R1接至电容器C。2.如权利要求1所述的一种充电装置负载接入检测装置，其特征在于在控制信号接口没有关闭信号的状态下，当没有被充电的负载时，三极管Q1基极为零电位，因此处于断开状态；设计三极管Q2基极电位R12*i3高于三极管Q2的偏置导通电压，此时三极管Q2导通，所述PMOS管M3的栅极、电阻R7和电阻R6的连接点电位低于PMOS管M3栅极的关断电位，此时PMOS管M3处于导通状态，PMOS管M2栅极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：任洪涛，
申请(专利权)人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：