狭缝式涂布装置和涂布方法制造方法及图纸

本公开的实施例提供一种狭缝式涂布装置和涂布方法，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；承载台，用于放置待涂布晶圆；涂布头，用于在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；在涂布头位于初始位置时，可升降顶环与承载台位于同一水平面，在涂布头移动至结束位置时，可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，刮刻结构在溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻，实现基于狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。

【技术实现步骤摘要】
狭缝式涂布装置和涂布方法


[0001]本公开的实施例涉及半导体
以及相关
，具体地，涉及一种狭缝式涂布装置和涂布方法。

技术介绍

[0002]作为用于在被涂布部件(例如硅晶片的基板)上以均匀厚度形成涂膜的涂布装置，众所周知有缝式涂布器及旋转涂布器，它们的特性不同，根据其特性而扩展用途。
[0003]缝式涂布器例如用于在液晶显示器的彩色滤光片或TFT基板上形成涂膜。缝式涂布器还能够应对大型的玻璃基板，并且发挥涂布液的利用效率高(即，涂布液的浪费少)这一特性，但对于硅晶片那样的圆形的无法进行涂布。与缝式涂布器相比，旋转涂布器在应对大型基板或涂布液的利用效率的方面较差，但可以对于圆形的硅晶片涂膜，但无法保证涂布的均匀性。
[0004]基于现有技术存在的问题，本公开实施例提供一种狭缝式涂布装置，实现对圆形硅晶片的均匀涂布。

技术实现思路

[0005]本文中描述的实施例提供了一种狭缝式涂布装置和涂布方法，解决现有技术存在的问题。
[0006]根据本公开第一方面的内容，提供了一种狭缝式涂布装置，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；
[0007]所述承载台，用于放置待涂布晶圆；
[0008]所述涂布头，用于在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在所述待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；
[0009]在所述涂布头位于初始位置时，所述可升降顶环与所述承载台放置的待涂布晶圆位于同一水平面，在所述涂布头移动至结束位置时，所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，所述刮刻结构在所述溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻。
[0010]在本公开的一些实施例中，所述刮刻结构设置在所述待涂布晶圆背离所述承载台一侧，所述刮刻结构在所述承载台的垂直投影位于所述溢流槽内；
[0011]在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。
[0012]在本公开的一些实施例中，所述刮刻结构与所述可升降顶环连接；
[0013]在所述可升降顶环在所述第二驱动装置的作用下沿第二方向移动时，所述可升降顶环带动所述刮刻结构移动至所述溢流槽内。
[0014]在本公开的一些实施例中，所述刮刻结构设置在所述承载台边缘；
[0015]在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所
述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第四方向移动至所述溢流槽位置处，并在所述第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。
[0016]在本公开的一些实施例中，所述溢流槽的深度为H1，所述待涂布晶圆的厚度为H2，所述溢流槽的深度H1满足：H1≥H2。
[0017]在本公开的一些实施例中，所述溢流槽的深度为H1，所述待涂布晶圆的厚度为H2，所述承载台的厚度为H3，所述溢流槽的深度H1满足：H1>H2+H3。
[0018]在本公开的一些实施例中，还包括容器，所述容器对应设置在所述溢流槽背离所述待涂布晶圆一侧；
[0019]在所述刮刻结构在所述溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻后，所述容器容纳刮刻掉的所述光刻胶。
[0020]在本公开的一些实施例中，还包括升降顶杆，所述升降顶杆位于承载台背离所述待涂布晶圆一侧；
[0021]在第四驱动装置的作用下沿第三方向移动至目标位置后，接收传送装置传送的待涂布晶圆，所述第三方向与第二方向相反。
[0022]根据本公开第二方面的内容，提供了一种涂布方法，应用于第一方面任一项所述的一种狭缝式涂布装置，包括：
[0023]输出第一驱动信号至第一驱动装置，以使所述涂布头在所述第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在所述待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；
[0024]在检测到所述涂布头移动至结束位置时，输出第二驱动信号至第二驱动装置，以使所述可升降顶环在所述第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽；
[0025]输出第三驱动信号至所述刮刻结构，以使所述刮刻结构在所述溢流槽内对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻。
[0026]在本公开的一些实施例中，所述输出第三驱动信号至所述刮刻结构，以使所述刮刻结构在所述溢流槽内对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻，包括：
[0027]输出第三驱动信号至所述刮刻结构，以使所述刮刻结构移动到所述溢流槽内；
[0028]根据所述溢流槽的结构，确定所述刮刻结构在所述溢流槽内的运动轨迹，以实现所述刮刻结构在所述溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻。
[0029]本公开实施例提供的狭缝式涂布装置和涂布方法，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；承载台放置待涂布晶圆；涂布头在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；在涂布头位于初始位置时，可升降顶环与承载台位于同一水平面，在涂布头移动至结束位置时，可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，刮刻结构在溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻，即在涂布头位于初始位置(即涂布头未对待涂布晶圆涂布光刻胶)，此时，可升降顶环与承载台位于同一水平面，保证涂布头对带涂布晶圆涂布光刻胶的均匀性，当涂布头对待涂布晶圆进行光刻胶涂布后，涂布头运动到结束位置(即涂布头完成对待涂布晶圆涂布光刻胶)，此时，第二驱动装置驱动可升降顶环沿第二方向移动，以在承载台上形成流溢槽，使的涂布在承载台上的光刻胶随着可升降顶环的移动，掉落到溢流槽内，并通过刮刻结构在流溢槽位置出对涂布在承载台上的光刻胶进行刮刻，即通过刮刻结构实现将涂布在承载台上的光刻胶与涂布在晶圆上的光刻胶分开，保证涂布完成的晶圆为一个独立的晶圆，提高
涂布工艺效率。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本公开的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制，其中：
[0031]图1是本公开实施例提供的一种狭缝式涂布装置的结构示意图；
[0032]图2是本公开实施例提供的一种狭缝式涂布装置的剖面结构示意图；
[0033]图3是本公开实施例提供的另一种狭缝式涂布装置的剖面结构示意图；
[0034]图4是本公开实施例提供的又一种狭缝式涂布装置的剖面结构示意图；
[0035]图5是本公开实施例提供的又一种狭缝式涂布装置的剖面结构示意图；
[0036]图6是本公开实施例提供的又一种狭缝式涂布装置的剖面结构示意图；
[0037]图7是本公开实施例提供的一种涂布方法的流程示意图。
具体实施方式
[0038]为了使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种狭缝式涂布装置，其特征在于，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；所述承载台，用于放置待涂布晶圆；所述涂布头，用于在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在所述待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；在所述涂布头位于初始位置时，所述可升降顶环与所述承载台放置的待涂布晶圆位于同一水平面，在所述涂布头移动至结束位置时，所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，所述刮刻结构在所述溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构设置在所述待涂布晶圆背离所述承载台一侧，所述刮刻结构在所述承载台的垂直投影位于所述溢流槽内；在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构与所述可升降顶环连接；在所述可升降顶环在所述第二驱动装置的作用下沿第二方向移动时，所述可升降顶环带动所述刮刻结构移动至所述溢流槽内。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构设置在所述承载台边缘；在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第四方向移动至所述溢流槽位置处，并在所述第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述溢流槽的深度为H1，所述待涂布晶圆的厚度为H2，所述溢流槽的深度H1满足：H1≥H2。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述溢流槽的深度为H...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏博，朱振华，李佳，李柯贤，
申请(专利权)人：苏州知睿精工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：