狭缝式涂布装置和涂布方法制造方法及图纸

本公开的实施例提供一种狭缝式涂布装置和涂布方法，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；承载台，用于放置待涂布晶圆；涂布头，用于在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；在涂布头位于初始位置时，可升降顶环与承载台位于同一水平面，在涂布头移动至结束位置时，可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，刮刻结构在溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻，实现基于狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。狭缝式涂布装置对圆形硅晶片的均匀涂布。

【技术实现步骤摘要】
狭缝式涂布装置和涂布方法


[0001]本公开的实施例涉及半导体
以及相关
，具体地，涉及一种狭缝式涂布装置和涂布方法。

技术介绍

[0002]作为用于在被涂布部件(例如硅晶片的基板)上以均匀厚度形成涂膜的涂布装置，众所周知有缝式涂布器及旋转涂布器，它们的特性不同，根据其特性而扩展用途。
[0003]缝式涂布器例如用于在液晶显示器的彩色滤光片或TFT基板上形成涂膜。缝式涂布器还能够应对大型的玻璃基板，并且发挥涂布液的利用效率高(即，涂布液的浪费少)这一特性，但对于硅晶片那样的圆形的无法进行涂布。与缝式涂布器相比，旋转涂布器在应对大型基板或涂布液的利用效率的方面较差，但可以对于圆形的硅晶片涂膜，但无法保证涂布的均匀性。
[0004]基于现有技术存在的问题，本公开实施例提供一种狭缝式涂布装置，实现对圆形硅晶片的均匀涂布。

技术实现思路

[0005]本文中描述的实施例提供了一种狭缝式涂布装置和涂布方法，解决现有技术存在的问题。
[0006]根据本公开第一方面的内容，提供了一种狭缝式涂布装置，包括：承载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种狭缝式涂布装置，其特征在于，包括：承载台、涂布头、可升降顶环、溢流槽和刮刻结构；所述承载台，用于放置待涂布晶圆；所述涂布头，用于在第一驱动装置的作用下沿第一方向移动，实现在所述待涂布晶圆的表面涂布光刻胶；在所述涂布头位于初始位置时，所述可升降顶环与所述承载台放置的待涂布晶圆位于同一水平面，在所述涂布头移动至结束位置时，所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽，所述刮刻结构在所述溢流槽位置处对位于晶圆之外的光刻胶进行刮刻。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构设置在所述待涂布晶圆背离所述承载台一侧，所述刮刻结构在所述承载台的垂直投影位于所述溢流槽内；在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构与所述可升降顶环连接；在所述可升降顶环在所述第二驱动装置的作用下沿第二方向移动时，所述可升降顶环带动所述刮刻结构移动至所述溢流槽内。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刮刻结构设置在所述承载台边缘；在所述可升降顶环在第二驱动装置的作用下沿第二方向移动，形成溢流槽后，所述刮刻结构在第三驱动装置的作用下沿第四方向移动至所述溢流槽位置处，并在所述第三驱动装置的作用下沿第二方向移动至所述溢流槽内。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述溢流槽的深度为H1，所述待涂布晶圆的厚度为H2，所述溢流槽的深度H1满足：H1≥H2。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述溢流槽的深度为H...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏博，朱振华，李佳，李柯贤，
申请(专利权)人：苏州知睿精工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：