【技术实现步骤摘要】
基于同轴TSV和CPW的分支线耦合器
[0001]本专利技术属于三维集成电路
,涉及一种基于同轴TSV和CPW的分支线耦合器。
技术介绍
[0002]目前针对分支线耦合器的设计国内外已经做了大量研究,微带线分支线耦合器由于结构简单,易于实现,是比较常见的类型,但随着高工作频率的普及,微带线的劣势逐渐显现出来,它在高频下的损耗严重影响了分支线耦合器的性能;而共面波导(CPW)与微带线相比在高频下损耗较小,因此在毫米波频段多采用CPW来进行分支线耦合器的设计,但这种方式仍存在尺寸大、不能和其他片上系统集成的问题,因此迫切的需要新的方法解决目前分支线耦合器在高频下尺寸和性能不能兼顾的问题。
[0003]近些年发展起来的硅通孔(TSV)技术,主要被用于三维集成(3DIC)中进行信号垂直互连,它可以大大缩短互连长度,实现三维异构集成。现如今,TSV技术已经被应用于射频无源器件的设计方面,如TSV螺旋电感、SIW滤波器、LC滤波器等,使小型化三维硅基片上无源器件成为现实。它不仅可以实现紧凑的尺寸,在提高电气性能、封装密度和 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于同轴TSV和CPW的分支线耦合器,其特征在于:包括两组对称设置的基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线,两组所述基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线之间分别通过两组平面曲折CPW的中心导带(23)连接。2.根据权利要求1所述的基于同轴TSV和CPW的分支线耦合器,其特征在于:每组所述基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线包括依次等距设置在同一条直线上的TSV一(15)、TSV二(16)、TSV三(17)、TSV四(18),TSV一(15)的上端连接CPW一中心导带(8)的一端;TSV一(15)的下端连接CPW二中心导带(9)的一端,CPW二中心导带(9)的另一端连接TSV二(16)的下端,TSV二(16)的上端连接CPW三中心导带(10)的一端,CPW三中心导带(10)的另一端连接TSV三(17)的上端,TSV三(17)的下端连接CPW四中心导带(11)的一端,CPW四中心导带(11)的另一端连接TSV四(18)的下端,TSV四(18)的上端连接CPW五中心导带(12)的一端;两组基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线中的两个CPW一中心导带(8)的另一端分别与一组平面曲折CPW的中心导带(23)的两端连接,该组平面曲折CPW的中心导带(23)的两个输出端口处分别设有用于引出耦合端的CPW(21)和用于引出隔离端的CPW(22);两组基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线中的两个CPW五中心导带(12)的另一端分别与另一组平面曲折CPW的中心导...
【专利技术属性】
技术研发人员:王凤娟,肖洒,杨媛,余宁梅,朱樟明,尹湘坤,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:
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