检查装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物的检查装置。检查装置具备：光源，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光；非线性光学晶体，其通过所述激发光的光波长转换而产生太赫兹波；以及检测器，其检测所述太赫兹波由检查对象物反射后的反射波。射波。射波。

【技术实现步骤摘要】
检查装置


[0001]本公开涉及一种检查装置。
[0002]本申请基于2022年3月9日向日本专利局提出的特愿2022
‑
036002号主张优先权，并将其内容援引于此。

技术介绍

[0003]在专利文献1中公开了一种反射型的太赫兹波计测装置(检查装置)，其构成为能够向构造物的表面照射作为电磁波的一种的太赫兹波，并且构成为能够检测被构造物反射后的太赫兹波。该太赫兹波计测装置具备作为太赫兹波发送单元的太赫兹波发送器、以及作为太赫兹波检测单元的太赫兹波检测器。在该太赫兹波计测装置中，太赫兹波发送器使用具备共振隧穿二极管(RTD)等的太赫兹波产生元件或光导天线(PCA)，太赫兹波发送器使用由RTD构成的太赫兹波检测元件。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2020
‑
26991号公报
[0007]但是，在专利文献1所示的现有结构中，太赫兹波发送器由RTD、PCA等半导体元件构成，因此由太赫兹波发送器发送的太赫兹波微弱，SN比(信噪比)小，难以检查位于难透过材料的下层的检查对象物。

技术实现思路

[0008]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物的检查装置。
[0009]为了实现上述目的，本公开的检查装置具备：
[0010]光源，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光；
[0011]非线性光学晶体，其通过所述激发光的光波长转换而产生太赫兹波；以及
[0012]检测器，其检测所述太赫兹波由检查对象物反射后的反射波。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本公开的检查装置，能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物。
附图说明
[0015]图1是概要地示出实施方式1的检查装置的结构的图。
[0016]图2是概要地示出实施方式2的检查装置的结构的图。
[0017]图3是概要地示出实施方式2的变形例的检查装置的结构的图。
[0018]图4是概要地示出实施方式3的检查装置的结构的图。
[0019]图5是概要地示出实施方式3的变形例的检查装置的结构的图。
[0020]图6是概要地示出实施方式4的检查装置的结构的图。
[0021]图7是概要地示出实施方式5的检查装置的结构的图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1A～1E...检查装置；
[0024]12...光源；
[0025]14...非线性光学晶体；
[0026]16...检测器；
[0027]18...反射镜；
[0028]20...半反射镜；
[0029]22...聚光透镜；
[0030]24...光学部件；
[0031]26...壳体；
[0032]28...臂机构；
[0033]30...多轴臂；
[0034]32...支承部；
[0035]34...数据记录器；
[0036]36...太赫兹波光纤；
[0037]38...圆筒透镜；
[0038]TG...检查对象物；
[0039]SP...铁制配管；
[0040]RM...树脂材料；
[0041]LB...脉冲激发光；
[0042]TH...太赫兹波；
[0043]RW...反射波；
[0044]TS...触发信号。
具体实施方式
[0045]以下，参照附图对实施方式的检查装置进行说明。其中，作为实施方式记载的或在附图中示出的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等并不旨在将本专利技术的范围限定于此，而只不过是说明例。
[0046][实施方式1][0047][实施方式1的检查装置的结构][0048]如图1所示，实施方式1的检查装置1A具备：光源12，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光LB；非线性光学晶体14，其通过激发光LB的光波长转换而产生太赫兹波TH；以及检测器16，其检测太赫兹波TH由检查对象物TG反射后的反射波RW。光源12输出脉冲激发光LB，脉冲激发光LB例如以1微秒以下、优选1纳秒以下的脉冲时间宽度输出。光源12例如由芯片激光器等光束光源构成。非线性光学晶体14例如是周期极化反转铌酸锂(LiNbO3)晶体，周期极化反转铌酸锂晶体通过反波太赫兹波TH振荡产生太赫兹波TH。需要说明的是，太赫兹波TH是频率处于10
12
Hz(1兆赫兹)附近(0.1～100THz)的电磁波。
[0049]由检查装置1A检查的对象即检查对象物TG配置于从非线性光学晶体14照射的太
赫兹波TH的行进方向上，检查装置1A也可以具备半反射镜20，以使得检测器16能够检测反射波RW。
[0050][检查装置1A的动作][0051]在实施方式1的检查装置1A中，在对检查对象物TG进行检查的情况下，从光源12输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光LB。脉冲激发光LB透过非线性光学晶体14而光波长转换为太赫兹波TH，并照射至检查对象物TG。照射至检查对象物TG的太赫兹波TH由检查对象物TG反射而成为反射波RW，并入射至检测器16。在检查装置1A具备半反射镜20的情况下，反射波RW由半反射镜20变更行进方向而向检测器16入射。入射至检测器16的反射波RW由检测器16检测，用于检查对象物TG的检查。
[0052][检查装置1A的效果][0053]根据实施方式1的检查装置1A，从光源12输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光LB，因此通过透过非线性光学晶体14而光波长转换后的太赫兹波TH比从上述的RTD、PCA等半导体元件照射的太赫兹波强(高输出)。因此，能够将光源12及非线性光学晶体14等光学部件24配置于与检查对象物TG分开的位置。例如，光源12及非线性光学晶体14等光学部件24能够配置于与检查对象物TG分开5cm以上的位置。
[0054]另外，即使在检查对象物TG被难透过材料覆盖的情况下，太赫兹波TH也透过难透过材料并由检查对象物TG反射。因此，即使在检查对象物TG被难透过材料覆盖的情况下，也能够对检查对象物TG进行检查。
[0055]另外，在难透过材料的成像中，为了确保信噪比，需要使光源12高输出化，但在回旋管那样的连续波下的振荡中，消耗电力大，有可能烧损对象物。另一方面，由于太赫兹波TH为脉冲振荡，因此光源12在确保高峰值功率的同时为低功耗。因此，不会烧损检查对象物TG，能够以高透过性能实现非破坏的成像。
[0056][实施方式2][0057][实施方式2的检查装置的结构][0058]如图2所示，实施方式2的检查装置1B在非线性光学晶体14与检查对象物TG之间具备聚光透镜22，该聚光透镜22将太赫兹波TH聚光并向检查对象物TG照射。其他结构与实施方式1的检查装置1A相同。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检查装置，其中，所述检查装置具备：光源，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光；非线性光学晶体，其通过所述激发光的光波长转换而产生太赫兹波；以及检测器，其检测所述太赫兹波由检查对象物反射后的反射波。2.根据权利要求1所述的检查装置，其中，所述检查装置具备聚光透镜，所述聚光透镜将所述太赫兹波聚光而向所述检查对象物照射。3.根据权利要求2所述的检查装置，其中，所述检查装置具备反射镜，所述反射镜使来自所述非线性光学晶体的所述太赫兹波在相对于所述太赫兹波的行进方向的角度为45
°
至135
°
的范围内偏转，且由所述反射镜反射后的所述太赫兹波入射至所述聚光透镜。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：山本修作，梶川敬介，神纳祐一郎，南出泰亚，绳田耕二，
申请(专利权)人：国立研究开发法人理化学研究所，
类型：发明
国别省市：