像素以及包括该像素的显示装置制造方法及图纸

技术编号:38788794 阅读:15 留言:0更新日期:2023-09-10 11:22
本实用新型专利技术提供一种像素以及包括该像素的显示装置。像素可以包括:发光二极管,包括阳极和阴极;第一晶体管,包括与传输驱动电压的驱动电压线电连接的第一源极区域、与阳极电连接的第一漏极区域、布置在第一源极区域与第一漏极区域之间的第一沟道区域以及与第一沟道区域重叠的第一栅极电极;第一子晶体管,包括第一子源极区域、第一子漏极区域、第一子沟道区域以及第一子栅极电极;第二子晶体管,包括第二子源极区域、第二子漏极区域、第二子沟道区域以及第二子栅极电极;存储线,在平面上与第一子漏极区域和第二子源极区域重叠;第一保持图案,在平面上与第一子漏极区域、第二子源极区域以及存储线重叠且连接到第一子漏极区域和第二子源极区域。域和第二子源极区域。域和第二子源极区域。

【技术实现步骤摘要】
像素以及包括该像素的显示装置


[0001]本技术涉及一种显示装置。更加详细地,本技术涉及像素以及包括该像素并适用于多种电子设备的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括多个像素。像素中的每一个可以包括发出光的发光二极管以及控制发光二极管的发光的像素电路。
[0003]像素电路可以包括多个晶体管以及至少一个电容器。晶体管可以包括驱动晶体管以及至少一个开关晶体管。为了减少开关晶体管的泄漏电流,开关晶体管可以具有双栅极结构。

技术实现思路

[0004]本技术的一目的在于提供一种显示品质得到提高的像素以及包括该像素的显示装置。
[0005]然而,本技术的目的并不限于如上所述的目的,在不脱离本技术的思想以及区域的范围内,可以进行各种扩张。
[0006]为了实现前述的本技术的一目的,根据实施例的像素可以包括:发光二极管,包括阳极和阴极;第一晶体管,包括与传输驱动电压的驱动电压线电连接的第一源极区域、与所述阳极电连接的第一漏极电极、布置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域以及与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极;第一子晶体管,包括与所述第一漏极区域连接的第一子源极区域、第一子漏极区域、布置在所述第一子源极区域与所述第一子漏极区域之间的第一子沟道区域以及与所述第一子沟道区域重叠的第一子栅极电极;第二子晶体管,包括与所述第一子漏极区域连接的第二子源极区域、与所述第一栅极电极连接的第二子漏极区域、布置在所述第二子源极区域与所述第二子漏极区域之间的第二子沟道区域以及与所述第二子沟道区域重叠的第二子栅极电极;存储线,在平面上与所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域重叠;以及第一保持图案,在平面上与所述第一子漏极区域、所述第二子源极区域和所述存储线重叠且连接到所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域。
[0007]在一实施例中,所述像素还可以包括:连接图案,布置在与所述第一栅极电极不同的层且连接所述第一栅极电极和所述第二子漏极区域。
[0008]在一实施例中,所述第一保持图案可以布置在与所述连接图案相同的层。
[0009]在一实施例中,所述存储线可以布置在与所述第一栅极电极不同的层,并且可以在平面上与所述第一栅极电极重叠。
[0010]在一实施例中,所述存储线可以接收所述驱动电压。
[0011]在一实施例中,所述存储线可以布置在所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域上,并且所述第一保持图案可以布置在所述存储线上。
[0012]在一实施例中,所述第一保持图案可以通过在布置于所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域与所述第一保持图案之间的绝缘层定义的接触孔而与所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域接触。
[0013]在一实施例中,所述存储线中可以定义有开口,所述接触孔可以在平面上位于所述开口内。
[0014]在一实施例中,所述像素还可以包括:第三子晶体管,包括与传输初始化电压的初始化电压线电连接的第三子源极区域、第三子漏极区域、布置在所述第三子源极区域与所述第三子漏极区域之间的第三子沟道区域以及与所述第三子沟道区域重叠的第三子栅极电极;第四子晶体管,包括与所述第三子漏极区域连接的第四子源极区域、与所述第一栅极电极连接的第四子漏极区域、布置在所述第四子源极区域与所述第四子漏极区域之间的第四子沟道区域以及与所述第四子沟道区域重叠的第四子栅极电极;以及第二保持图案,在平面上与所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域重叠且连接到所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域,其中,所述存储线可以在平面上与所述第三子漏极区域、所述第四子源极区域以及所述第二保持图案重叠。
[0015]在一实施例中,所述第二保持图案可以布置在与所述第一保持图案相同的层。
[0016]为了实现本技术的一目的,根据实施例的像素可以包括:发光二极管,包括阳极和阴极;第一晶体管,包括与传输驱动电压的驱动电压线电连接的第一源极区域、与所述阳极电连接的第一漏极区域、布置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域以及与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极;第三子晶体管,包括与传输初始化电压的初始化电压线连接的第三子源极区域、第三子漏极区域、布置在所述第三子源极区域与所述第三子漏极区域之间的第三子沟道区域以及与所述第三子沟道区域重叠的第三子栅极电极;第四子晶体管,包括与所述第三子漏极区域连接的第四子源极区域、与所述第一栅极电极连接的第四子漏极区域、布置在所述第四子源极区域与所述第四子漏极区域之间的第四子沟道区域以及与所述第四子沟道区域重叠的第四子栅极电极;存储线,在平面上与所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域重叠;以及第二保持图案,在平面上与所述第三子漏极区域、所述第四子源极区域以及所述存储线重叠且连接到所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域。
[0017]在一实施例中,所述第二保持图案可以布置在与所述初始化电压线相同的层。
[0018]在一实施例中,所述存储线可以布置在与所述第一栅极电极不同的层,并且可以在平面上与所述第一栅极电极重叠。
[0019]在一实施例中,在存储线可以接收所述驱动电压。
[0020]在一实施例中,所述存储线可以布置在所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域上,并且所述第二保持图案可以布置在所述存储线上。
[0021]在一实施例中,所述第二保持图案可以通过在布置于所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域与所述第二保持图案之间的绝缘层定义的接触孔而与所述第三子漏极区域和所述第四子源极区域接触。
[0022]在一实施例中,所述存储线中可以定义有开口,所述接触孔在平面上可以位于所述开口内。
[0023]为了实现前述的本技术的一目的,根据实施例的显示装置可以包括:显示面
板,包括如上所示的像素;栅极驱动部,向所述像素提供栅极信号;数据驱动部,向所述像素提供数据信号;以及发光控制部,向所述像素提供发光控制信号。
[0024]所述像素电路可以包括:第一晶体管,包括与传输驱动电压的驱动电压线电连接的第一源极区域、与所述阳极电连接的第一漏极区域、布置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域以及与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极;第一子晶体管,包括与所述第一漏极区域连接的第一子源极区域、第一子漏极区域、布置在所述第一子源极区域与所述第一子漏极区域之间的第一子沟道区域以及与所述第一子沟道区域重叠的第一子栅极电极;第二子晶体管,包括与所述第一子漏极区域连接的第二子源极区域、与所述第一栅极电极连接的第二子漏极区域、布置在所述第二子源极区域与所述第二子漏极区域之间的第二子沟道区域以及与所述第二子沟道区域重叠的第二子栅极电极;存储线,在平面上与所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域重叠;以及第一保持图案,在平面上与所述第一子漏极区域、所述第二子源极区域以及所述存储线重叠且连接到所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域。
[0025]在一实施例中,所述像素电路还本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素,包括:发光二极管,包括阳极和阴极;第一晶体管,包括与传输驱动电压的驱动电压线电连接的第一源极区域、与所述阳极电连接的第一漏极区域、布置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域以及与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极;第一子晶体管,包括与所述第一漏极区域连接的第一子源极区域、第一子漏极区域、布置在所述第一子源极区域与所述第一子漏极区域之间的第一子沟道区域以及与所述第一子沟道区域重叠的第一子栅极电极;第二子晶体管,包括与所述第一子漏极区域连接的第二子源极区域、与所述第一栅极电极连接的第二子漏极区域、布置在所述第二子源极区域与所述第二子漏极区域之间的第二子沟道区域以及与所述第二子沟道区域重叠的第二子栅极电极;存储线,在平面上与所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域重叠;以及第一保持图案,在平面上与所述第一子漏极区域、所述第二子源极区域以及所述存储线重叠且连接到所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域。2.根据权利要求1所述的像素,还包括:连接图案,布置在与所述第一栅极电极不同的层且连接所述第一栅极电极和所述第二子漏极区域。3.根据权利要求2所述的像素,其中,所述第一保持图案布置在与所述连接图案相同的层。4.根据权利要求1所述的像素,其中,所述存储线布置在所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域上,所述第一保持图案布置在所述存储线上。5.根据权利要求4所述的像素,其中,所述第一保持图案通过在布置于所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域与所述第一保持图案之间的绝缘层定义的接触孔而与所述第一子漏极区域和所述第二子源极区域接触。6.根据权利要求1所述的像素,还包括:第三子晶体管,包括与传输初始化电压的初始化电压线电连接的第三子源极区域、第三子漏极区域、布置在所述第三子源极区域与所述第三子漏极区域之间的第三子沟道区域以及与所述第三子沟道区域重叠的第三子栅极电极;第四子晶体管,包括与所述第三子漏...

【专利技术属性】
技术研发人员:金韩彩金圣旭薛粲烨吴允祯李廷洙李珍雅秋性伯
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:新型
国别省市:

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