一种镀膜遮蔽用钼环制造技术

本实用新型专利技术属于半导体材料工装技术领域，尤其涉及一种镀膜遮蔽用钼环，包括上圆台和下圆台，所述上圆台的底面与下圆台的顶面面积相同且通过外环紧固扣连接固定，所述上圆台和下圆台截面均为等腰梯形，上圆台和下圆台均由两个半环形扇面拼接而成，通过卷圆的方式制作钼环，制作简单，拆卸方便，运输便利，卡扣调节松紧，操作简单便捷，对特殊部位加强筋处理，增加钼环的强度和使用寿命，避免溅射过程中被击穿和钼环变形。和钼环变形。和钼环变形。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜遮蔽用钼环


[0001]本技术属于半导体材料工装
，尤其涉及一种镀膜遮蔽用钼环。

技术介绍

[0002]物理气相沉积是一种镀膜方式，通过物理方式将靶材的原子或者分子均匀覆盖到基体表面的过程，常用材料为铝、铜、钛、钽、钨、钼等。物理气相沉积作为半导体行业、面板显示行业、太阳能行业的核心技术，主要通过磁控溅射镀膜的方式实现。
[0003]磁控溅射是制备薄膜材料的重要方法之一，它通过电子源产生的高速离子，在真空中经过加速聚集，轰击靶材表面，与靶材原子交换，使靶材表面原子离开沉积在基体表面，整个过程在磁控溅射镀膜机中进行。
[0004]在镀膜机里包含溅射靶材和磁控溅射环件，靶材原子被撞击后，通常为自由散射状，需要磁控溅射环件和电磁场约束，才能最大程度的沉积在基体表面，由于撞击出的高速离子带有巨大的能量，就要求溅射用的环件要有耐冲击，耐高温，高密度等特点，钼环满足其使用要求。
[0005]因此开发一种能满足磁控溅射用，还要有经济实用性的钼环有重要意义。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是提供一种镀膜遮蔽用钼环。
[0007]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0008]一种镀膜遮蔽用钼环，包括上圆台和下圆台，上圆台顶部直径为350
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350.5mm，底部直径为400
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400.5mm，下圆台顶部直径为400
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400.5mm，底部直径为440.5
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441.5mm，所述上圆台的底面与下圆台的顶面面积相同且通过外环紧固扣连接固定，所述上圆台和下圆台截面均为等腰梯形，上圆台和下圆台均由两个半环形扇面拼接而成。
[0009]进一步的，为了适应多变的尺寸，在两个半环形扇面拼接处一端设有多排的圆形卡扣槽，另一端设有与卡扣槽配合使用的卡扣，这种设置能满足不同尺寸钼环的溅射，调节快捷方便。
[0010]进一步的，所述上圆台顶部边缘和下圆台底部边缘处均设有一圈加强筋，所述加强筋通过铆接形式与上圆台和下圆台连接，由于上下两端更容易承受更多的溅射离子冲击，在钼环外表面上半部分顶部，和下半部分底部各铆接一圈窄环固定，增加钼环强度。
[0011]为了安装上的方便和兼顾强度，所述加强筋为两个半圆环形拼成的圆环，通过铆接的方式固定在钼环表面。
[0012]具体制作时，先将钼片进行裁切呈扇形，通过卷圆机把钼片卷成半圆环呈锥形；两片拼接成环，拼接部位通过卡扣相连，并且卡扣距离可调节。
[0013]本技术具有的优点是：通过卷圆的方式制作钼环，制作简单，拆卸方便，运输便利，卡扣调节松紧，操作简单便捷，对特殊部位加强筋处理，增加钼环的强度和使用寿命，避免溅射过程中被击穿和钼环变形。
附图说明
[0014]图1是本技术结构示意图。
具体实施方式
[0015]如图1所示，一种镀膜遮蔽用钼环，包括上圆台1和下圆台2，上圆台1顶部直径为350
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350.5mm，底部直径为400
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400.5mm，下圆台2顶部直径为400
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400.5mm，底部直径为440.5
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441.5mm，所述上圆台1的底面与下圆台2的顶面面积相同且通过外环紧固扣3连接固定，所述上圆台和下圆台截面均为等腰梯形，上圆台和下圆台均由两个半环形扇面拼接而成；为了适应多变的尺寸，在两个半环形扇面拼接处一端设有多排的圆形卡扣槽4，另一端设有与卡扣槽配合使用的卡扣5，这种设置能满足不同尺寸钼环的溅射，调节快捷方便。所述上圆台顶部边缘和下圆台底部边缘处均设有一圈加强筋6，所述加强筋通过铆接形式与上圆台和下圆台连接，由于上下两端更容易承受更多的溅射离子冲击，在钼环外表面上半部分顶部，和下半部分底部各铆接一圈窄环固定，增加钼环强度。为了安装上的方便和兼顾强度，所述加强筋为两个半圆环形拼成的圆环，通过铆接的方式固定在钼环表面。
[0016]具体制作时，先将钼片进行裁切呈扇形，通过卷圆机把钼片卷成半圆环呈锥形；两片拼接成环，拼接部位通过卡扣相连，并且卡扣距离可调节。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜遮蔽用钼环，其特征在于：包括上圆台和下圆台，所述上圆台的底面与下圆台的顶面面积相同且通过外环紧固扣连接固定，所述上圆台和下圆台截面均为等腰梯形，上圆台和下圆台均由两个半环形扇面拼接而成。2.如权利要求1所述的镀膜遮蔽用钼环，其特征在于：在两个半环形扇面拼接处一端设有多排的圆形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉龙，崔冬乐，杨若雅，朱元华，乔新杰，
申请(专利权)人：凌顶电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：