本申请实施例公开了一种多芯片装置及电子设备，涉及芯片领域，能够提升相控阵性能。具体方案为：多芯片装置包括具有第一内置信号产生器和第一倍频器的第一芯片，具有第二内置信号产生器和第二倍频器的第二芯片；第二倍频器包括第一接收电路、第二接收电路和负载电路，第一接收电路的输入端耦合至第一内置信号产生器的输出端，第二接收电路的输入端耦合至第二内置信号产生器的输出端，第一接收电路的输出端与第二接收电路的输出端耦合至负载电路的输入端；第二倍频器用于通过第一接收电路接收第一内置信号产生器产生的第一本振信号，通过第二接收电路接收第二内置信号产生器产生的第二本振信号，并用于将第一本振信号或第二本振信号进行倍频。本振信号进行倍频。本振信号进行倍频。本振信号进行倍频。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁博文，崔科技，郭万易，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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