溴硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途技术

技术编号:3876378 阅读:202 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种含溴的溴硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:K↓[3]B↓[6]O↓[10]Br,属于三方晶系,空间群为R3m,分子量为422.07,具有钙钛矿结构。该晶体采用高温溶液法,将溴硼酸钾化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将绑有Pt丝的刚玉杆放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到溴硼酸钾非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的2倍,透光波段210nm至3000nm。在空气中不潮解,生长周期短,易于切割、抛光加工和保存,适合于制作非线性光学器件。本发明专利技术的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非线性光学晶体及制备方法和用途,尤其涉及一 种含有卤素的溴硼酸钾非线性光学晶体及其助熔剂晶体制备方法和 用途。
技术介绍
近年来,随着非线性光学学科的迅速发展,非线性光学晶体已经 在光学、通讯、医疗、军事等方面获得广泛应用,非线性光学材料的 研究已成为高
的热门课题之一。紫外、深紫外光源在深紫外 光谱学,微电子学,微机械信息学等方面有极为广阔的应用前景,是用非线性光学晶体进行频率变换是获得紫外、深紫外相干光源的主要 手段之一。在不断研究与探索非线性光学晶体材料中,硼酸盐系列的化合物受到了极大的关注。在硼酸盐晶体分子中,由于B原子的电负性与O 原子的电负性相差较大,因此B-O键均能透过紫外光;同时B原子与 0原子既能发生三配位构型形成B03,又能发生四配位构型形成B04, 可供选择的种类繁多,基于此理论设计和合成出了许多性能优越的非 线性光学材料,如BaB204(BB0) 、LiB305(LBO) 、CsB305(CB0) 、CsLiB6010 (CLB0 )、 Sr2B2Be207 (SBB0) 、 K2A12B207(KAB0)。紫外波段的倍频转换 晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溴硼酸钾非线性光学晶体,其特征在于该晶体分子式为:K↓[3]B↓[6]O↓[10]Br,属于三方晶系,空间群为R3m,分子量为422.07,单胞参数为a=10.1077(14)*,c=8.8296(18)*。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:潘世烈范晓芸
申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
类型:发明
国别省市:65[中国|新疆]

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