【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件
[0001]本公开涉及一种发光元件。
技术介绍
[0002]近年来，作为可利用于例如显示装置、照明装置等多种领域的发光元件，QLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子点发光二极管)或OLED(Organic Light Emitting Diode:有机发光二极管)备受关注。
[0003]但是，以往的QLED和OLED存在无法得到能够令人满意程度的发光效率的问题，正在积极地进行用于改善发光效率的研究。
[0004]专利文献1中记载了发光层为含有核壳型量子点的QLED，核由金属氮化物构成。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本国特开2018
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154666号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题
[0006]然而，在专利文献1所记载的QLED中，由于发光层中包含的核壳型量子点的核心材料仅由金属氮化物构成，因此，不能改善注入发光层的空穴与电子的平衡、即载流子平衡，存在无法得到能够满足的程度的发光
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，其特征在于，包括:阴极；阳极，与所述阴极相对配置；发光层，在所述阴极与所述阳极之间；以及电子传输层，其在所述阴极与所述发光层之间，并包含:含有IIB(12)族元素、IVB(14)族元素和氮元素的化合物、或含有IVB(14)族元素、VIB(16)族元素和硼元素的化合物。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述电子传输层包含含有所述IIB(12)族元素、所述IVB(14)族元素和所述氮元素的所述化合物，所述化合物满足化学式A
x
D
y
N
z
，所述A是IIB(12)族元素，所述D是IVB(14)族元素，所述N是所述氮元素，所述x是0.75以上且1.25以下的数值，所述y是0.75以上且1.25以下的数值，所述z是1.5以上且2.5以下的数值。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述电子传输层含有所述IIB(12)族元素、所述IVB(14)族元素和所述氮元素的所述化合物，所述IIB(12)族元素为Zn。4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述化合物满足化学式D
x
E
y
B
z
，所述D是IVB(14)族元素，所述E是VIB(16)族元素，所述B是所述硼元素，所述x是0.75以上且1.25以下的数值，所述y是0.75以上且1.25以下的数值，所述z是1.5以上且2.5以下的数值。5.根据权利要求1或4所述的发光元件，其特征在于，所述电子传输层包含含有所述IVB(14)族元素、所述VIB(16)族元素和所述含硼元素的所述化合物，所述VIB(16)族元素选自S、Se及O中的1种以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述IVB(14)族元素为选自Si、Ge和Sn中的一种。7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述IVB(14)族元素为选自Si、Ge和Sn中的两种以上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述电子传输层是n型半导体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述电子传输层是简并
半导体。10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含第一量子点。11.根据权利要求1至9中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含第一量子点，所述电子传输层与所述发光层连接。12.根据权利要求1至9中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含第一量子点，在所述电子传输层和所述发光层之间具备膜厚为5nm以下的绝缘层，所述电子传输层与所述绝缘层连接，并且所述绝缘层与所述发光层连接。13.根据权利要求1至10中任一项所述的发光元件，其特征在于，在所述电子传输层和所述发光层之间具备包含第二量子点的量子点层，所述电子传输层与所述量子点层连接，并且所述量子点层与所述发光层连接。14.根据权利要求10至13中任一项所述的发光元件，其特征在于，各所述量子点分别包含核和壳，且在可见光区域具有发光峰值波长。15.一种发光元件，其特征在于，包括:阴极；阳极，与所述阴极相对配置；发光层，其在所述阴极与所述阳极之间并包含量子点层；以及电子传输层，其在所述阴极与所述发光层之间，与所述发光层接触，并且是导带下端与真空能级之差的绝对值小于所述发光层的导带下端与所述真空能级之差的绝对值的n型半导体，所述发光层由与所述电子传输层相接的第一层以及与所述第一层相接且远离所述电子传...
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