显示元件制造技术

本发明专利技术的显示元件在平坦化膜(5)的上侧具备：线状的多个堤(W1～W4)；线状的多个活性层(Fr

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示元件


[0001]本专利技术涉及一种显示元件。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了在相邻的倒锥形的分隔壁之间层叠阳极、发光介质层和阴极的显示元件。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本国公开专利公报“特开2018
‑
45873(2018年3月22日)公开”
技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0004]在专利文献1的构成中，存在在线状的阴极中发生了断线的情况下，线状地产生像素缺陷之类的问题。解决问题的方案
[0005]本专利技术的一个方式所涉及的显示元件在平坦化膜的上侧具备：多个下部反射电极；线状的多个堤；线状的多个活性层，各自形成在相邻的堤之间；以及上部透明电极，其形成在各活性层上，在所述显示元件中，各活性层在所述多个下部反射电极中共通地设置，并构成多个同色像素，各堤为朝向下方尖端变细的倒锥形，以所述平坦化膜为基准的各堤的高度大于以所述平坦化膜为基准的所述上部透明电极的高度，位于相邻的活性层之间的堤中形成有1个以上的切口，所述切口的以所述平坦化膜为基准的高度局本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示元件，其在TFT层的上侧具备：多个下部反射电极；线状的多个堤；线状的多个活性层，各自形成在相邻的堤之间；以及上部透明电极，其形成在各活性层上，所述显示元件的其特征在于，各活性层在所述多个下部反射电极中共通地设置，并构成多个同色像素，各堤为朝向所述TFT层侧尖端变细的倒锥形，以所述TFT层为基准的各堤的高度大于以所述TFT层为基准的所述上部透明电极的高度，位于相邻的活性层之间的堤中形成有1个以上的切口，所述切口的以所述TFT层为基准的高度局部变小，在所述相邻的活性层中，一个活性层上形成的所述上部透明电极与另一个活性层上形成的所述上部透明电极经由形成于所述切口内的导通电极电连接。2.根据权利要求1所述的显示元件，其特征在于，在各堤的上表面形成有遮光膜。3.根据权利要求1或2所述的显示元件，其特征在于，在各堤的锥面形成有光反射膜或光散射膜。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述切口的最下部的最大宽度小于堤的底面的宽度。5.根据权利要求4所述的显示元件，其特征在于，所述最大宽度为1μm以下。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述切口设置于将位于所述相邻的活性层之间的堤沿长边方向等分为规定数量的位置中的至少一处。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述切口相对于多个同色像素设置有一个。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示元件，其特征在于，各堤形成于堤台上，以所述TFT层为基准，所述堤台的高度与所述相邻的活性层的各自邻接于所述切口的部分的高度之差小于所述上部透明电极的厚度。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的显示元件，其特征在于，相邻的两个堤的切口在堤的俯视下的延伸方向上错开的方式配置。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示元件，其特征在于，相邻的两个堤的切口在堤的俯视下的延伸方向上配置成交叉状。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示元件，其特征在于，以所述TFT层为基准，所述切口的最深部的高度与所述相邻的活性层的各自邻接于所述切口的部分的高度相等。12.根据权利要求2所述的显示元件，其特征在于，所述切口内形成有遮光膜。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述上部透明电极以及所述导通电极由相同材料形成于同一层。
14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：喜田扇太郎，青森繁，镰田豪，浅冈康，佐久间惇，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：