【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芯片组件和制造芯片组件的方法
[0001]本专利技术涉及离子微阱芯片组件和制造离子微阱芯片组件的方法,在优选实施例中涉及光学离子微阱芯片组件。
技术介绍
[0002]离子微阱因其对诸如信息处理和计量等量子技术的适用性而备受关注。它们被期望成为未来高性能量子计算机的关键部件。这些将包含许多量子比特(或“量子位”)的计算机将能够解决当今难以解决的问题。
[0003]更具体地,微制造的离子阱(微阱)提供了一种陷俘单个离子或离子串的方法,以创建用于量子计算、传感、精密计量、科学研究、量子通信和网络的器件。由于这些阱是基于原子的,因此与固态电路设计相比,它们的优势在于可以潜在地制造可靠且相同的阱,从而能够扩大规模以在实际系统中使用。
[0004]目前已知几种类型的微阱,这些微阱通常根据其电极几何形状分类为二维(2
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dimention,2D)和三维(3
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dimention,3D)阱。微阱的性能通常随着尺寸方面而增加。然而,由于可用性的限制,许多研究人员使用2D阱。只有3D阱几何形状 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造离子微阱芯片组件的方法,所述组件包括具有芯片衬底的离子微阱芯片,以及布置在所述芯片衬底上的至少一个微结构;所述方法包括以下步骤:在所述芯片衬底中直接形成一个或更多个第一对准元件,在所述至少一个微结构中形成一个或更多个第二对准元件;其中,所述第一对准元件和所述第二对准元件是凹槽或突起,并且将所述至少一个微结构定位在所述芯片衬底上,其中至少一个第二对准元件键合到至少一个第一对准元件;以及将所述微结构附接在相对于所述芯片结构的位置,由此所述第一对准元件和所述第二对准元件键合以在所述微结构的平面的所有方向上将所述微结构固定到所述芯片衬底。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述凹槽或每个凹槽被蚀刻到所述芯片衬底和/或所述微结构中。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述突起或所述突起中的至少一个直接位于所述芯片衬底和/或所述微结构上。4.根据权利要求1或2所述的方法,包括以下步骤:将间隔件元件定位在所述第一对准元件或第一对准元件中,并将所述微结构定位在所述间隔件元件上。5.根据权利要求4所述的方法,包括在所述芯片衬底中形成至少一个对准元件以及在所述间隔件元件中形成至少两个对准元件,其中,至少一个间隔件对准元件被布置为与所述芯片结构中的至少一个对准元件接合,并且另一个间隔件对准元件被布置为与所述微结构的至少一个第二对准元件接合。6.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述对准元件由刚性材料制成。7.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述芯片衬底和所述微结构由刚性材料制成。8.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述芯片衬底是晶体。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述对准元件或所述对准元件中的至少一个沿着所述芯片衬底的晶面形成。10.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述芯片衬底由硅制成。11.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述对准元件或每个对准元件是光刻形成的。12.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述芯片是3D离子微阱芯片。13.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述微结构或至少一个微结构是光学模块或原子屏蔽件。14.根据任一前述权利要求所述的方法,包括形成用于容纳多个突起的多个凹槽,所述微结构是包含波导和微透镜的阵列的光学模块。15.一种离子微阱芯片组件,包括:离子微阱芯片,其具有芯片衬底;一个或更多个第一对准元件,其直接...
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