一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收仿真掩模板形状数据；确定包括所述仿真掩模板形状数据的矩形计算域；在所述仿真掩模板形状数据的边缘位置确定预设厚度的界面区域；根据去除所述界面区域的所述仿真掩模板形状数据确定定义域；对所述矩形计算域中的点引入场变量；通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据。本发明专利技术在扩散方程中整理出包含边界条件的项，也即相当于将边界条件整合进算式中，避免了在扩散方程的基础上面对不规则的掩模板边缘手动添加各种边界条件，省去了单独处理边界条件的步骤，缩短了对光刻过程的计算机仿真时间，提升了仿真效率。提升了仿真效率。提升了仿真效率。

【技术实现步骤摘要】
一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置及设备


[0001]本专利技术涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在芯片生产的过程中，光刻是必不可少的步骤，但随着半导体器件的尺寸越来越小，光刻需要用到的光线的衍射效应也越来越明显，导致光穿过掩模板后得到的图形与掩模板自身的图形存在差异，这就需要对光刻过程进行模拟，以便对掩模板的形状进行修正，保证光穿过掩模板后的图形符合预期。而根据掩模板形状信息及光刻环境信息推导出光穿过所述掩膜板后的图案信息，需要用到计算机仿真。
[0003]在计算机仿真领域，对于处理二维矩形边框范围的问题，可以由边界条件的类型，确定边界点满足的约束条件。使用正交网格，很容易让边界点落在网格的格点上，用有限差分的方法近似一阶导数和高阶导数。由于边界条件和初始条件（如有）已知，可以将原方程离散成可解的线性方程组，然后利用迭代法求得近似解。在实际芯片制造过程中，由于光化学的刻蚀，通常计算域（光刻胶和基底）的形状是复杂无规则的。由于计算域是任意不规则形状的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特征在于，包括：接收仿真掩模板形状数据；确定包括所述仿真掩模板形状数据的矩形计算域；在所述仿真掩模板形状数据的边缘位置确定预设厚度的界面区域；根据去除所述界面区域的所述仿真掩模板形状数据确定定义域；对所述矩形计算域中的点引入场变量；其中，所述定义域内的点赋予第一常数场变量，非定义域且非界面区域内的点赋予第二常数场变量，所述界面区域内的点赋予沿梯度方向变化的值；通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据；其中，所述扩散方程为两边乘上所述场变量，并通过链式法则进行分解、变形，在等式右侧的第二项中包括通量与法向量乘积的方程。2.如权利要求1所述的利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特征在于，所述通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据包括：通过正交网格的扩散方程，利用迭代法计算求解，得到光刻模拟形状数据。3.如权利要求2所述的利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特征在于，所述通过正交网格的扩散方程，利用迭代法计算求解，得到光刻模拟形状数据包括：通过正交网格的扩散方程，利用雅各比迭代或高斯塞德尔迭代计算求解，得到光刻模拟形状数据。4.如权利要求1所述的利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特征在于，所述第二常数场变量为0。5.如权利要求1所述的利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特征在于，所述界面区域内的点从与所述定义域接触的边缘向外，由所述第一常数场变量变化至所述第二常数场变量。6.如权利要求1所述的利用扩散边界层的刻蚀仿真方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：