显示装置制造方法及图纸

提供一种高清晰的显示装置。提供一种兼具高显示品质及高清晰度的显示装置。显示装置包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。在第一像素电极与第二像素电极之间包括绝缘层。绝缘层包括与第一EL层重叠的第一区域、与第二EL层重叠的第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域。第一EL层的侧面及第二EL层的侧面分别位于绝缘层上且对置。公共电极沿着第一EL层的侧面、第二EL层的侧面及绝缘层的顶面设置。绝缘层的宽度为第一像素电极与第二像素电极之间的距离的2倍以上且4倍以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机等。另外，电视装置、监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。再者，作为最需求高清晰度的设备，例如有应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。
[0004]此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
[0005]例如，有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光有机化合物的发光。由于应用上述有机EL元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的一个例子。[先行技术文献][专利文献][0006][专利文献1]日本专利申请公开第2002
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324673号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种容易实现高清晰化的显示装置及其制造方法。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种对比度高的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。本专利技术的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。
[0009]注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：第一发光元件；以及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。在第一像素电极与第二像素电极之间包括绝缘层。绝缘层包括与第一EL层重叠的第一区域、与第二EL层重叠的第二区域以及位于第一区域与第二区域之间且不与第一EL层及第二EL层重叠的第三区域。第一EL层的侧面及第二EL层的侧面分别位于绝缘层上且对置。公共电极沿着第一EL层的侧面、第二EL层的侧面及绝缘层的顶面设置。绝缘层的宽度为第一像素电极与第二像素电极之间的距离的2倍以上且4倍以下。
[0011]本专利技术的另一个方式是一种显示装置，包括：第一发光元件；以及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。在第一像素电极与第二像素电极之间包括绝缘层。绝缘层包括与第一EL层重叠的第一区域、与第二EL层重叠的第二区域以及位于第一区域与第二区域之间且不与第一EL层及第二EL层重叠的第三区域。第一EL层的侧面及第二EL层的侧面分别位于绝缘层上且对置。公共电极沿着第一EL层的侧面、第二EL层的侧面及绝缘层的顶面设置。绝缘层的宽度为第一EL层的侧面与第二EL层的侧面之间的距离的2倍以上且4倍以下。
[0012]在上述任一个中，绝缘层优选包含有机树脂。
[0013]在上述任一个中，优选的是，绝缘层的第一区域的宽度比第三区域的宽度大且为3μm以下，绝缘层的第二区域的宽度比第三区域的宽度大且为3μm以下。
[0014]在上述任一个中，优选的是，绝缘层的第一区域的宽度和第二区域的宽度的总和大于第三区域的宽度的2倍。第一区域的宽度、第二区域的宽度及第三区域的宽度的总和优选为6μm以下。
[0015]在上述任一个中，第三区域的宽度优选为1μm以上且2μm以下。
[0016]在上述任一个中，显示装置的有效发光面积比优选为70％以上且小于100％。专利技术效果
[0017]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种容易实现高清晰化的显示装置及其制造方法。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种对比度高的显示装置。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。
[0018]另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。另外，根据本专利技术的一个方式，可以至少改善现有技术的问题中的至少一个。
[0019]注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。附图简要说明
[0020]图1A至图1D是示出显示装置的结构例子的图。图2A至图2C是示出显示装置的结构例子的图。图3A至图3F是示出显示装置的制造方法例子的图。图4A至图4F是示出显示装置的制造方法例子的图。
图5A至图5C是示出显示装置的制造方法例子的图。图6A至图6D是示出显示装置的结构例子的图。图7A至图7E是示出显示装置的制造方法例子的图。图8A至图8C是示出显示装置的结构例子的图。图9A至图9C是示出显示装置的结构例子的图。图10A至图10C是示出显示装置的结构例子的图。图11是示出显示装置的一个例子的立体图。图12A及图12B是示出显示装置的一个例子的截面图。图13A是示出显示装置的一个例子的截面图。图13B是示出晶体管的一个例子的截面图。图14A至图14D是示出发光元件的结构例子的图。图15A至图15J是示出显示装置的结构例子的图。图16A及图16B是示出电子设备的一个例子的图。图17A至图17D是示出电子设备的一个例子的图。图18A至图18F是示出电子设备的一个例子的图。图19A至图19F是示出电子设备的一个例子的图。图20是根据实施例的测量结果。图21A至图21C是根据实施例的观察照片。图22A是示出根据实施例的显示状态的照片。图22B至图22E是根据实施例的像素的光学显微镜照片。图23是根据实施例的分光辐射亮度的测量结果。实施专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：第一发光元件；以及第二发光元件，其中，所述第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极，所述第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极，在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间包括绝缘层，所述绝缘层包括与所述第一EL层重叠的第一区域、与所述第二EL层重叠的第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间且不与所述第一EL层及所述第二EL层重叠的第三区域，所述第一EL层的侧面及所述第二EL层的侧面分别位于所述绝缘层上且对置，所述公共电极沿着所述第一EL层的所述侧面、所述第二EL层的所述侧面及所述绝缘层的顶面设置，并且，所述绝缘层的宽度为所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的距离的2倍以上且4倍以下。2.一种显示装置，包括：第一发光元件；以及第二发光元件，其中，所述第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极，所述第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极，在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间包括绝缘层，所述绝缘层包括与所述第一EL层重叠的第一区域、与所述第二EL层重叠的第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间且不与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，池田隆之，冈崎健一，山根靖正，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：