半导体封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体封装结构及其制造方法，半导体封装结构包括衬底、封装基板、金属柱体、金属层和引脚；封装基板、金属柱体和金属层安置于衬底上；金属层内开设有第一金属孔；金属柱体的第一端与封装基板电连接，金属柱体的第二端穿设第一金属孔与引脚电连接。本发明专利技术提供的半导体封装结构中的金属柱体与引脚之间直接电连接，不需要通过锡金属材料焊接，因此，使得器件在引脚和金属柱体的通流方向上没有锡金属材料，减少了锡金属材料对器件通流能力的影响，提高了器件的通流能力。流能力。流能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体封装结构中，金属柱体和引脚之间以锡金属材料焊接，因此使得器件的通流方向存在锡金属。由于锡金属材料相比铜金属材料而言，熔断电流小，从而限制了器件的通流能力。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体封装结构及其制造方法，旨在提高器件的通流能力。
[0004]本专利技术提供一种半导体封装结构，包括衬底、封装基板、金属柱体、金属层和引脚；
[0005]所述封装基板、所述金属柱体和所述金属层安置于所述衬底上；
[0006]所述金属层内开设有第一金属孔；
[0007]所述金属柱体的第一端与所述封装基板电连接，所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述引脚电连接。
[0008]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属层包括金属半蚀层和金属实体层。
[0009]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属半蚀层内开设有所述第一金属孔；
[0010]所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述金属实体层的第一端电连接，所述金属实体层的第二端与所述引脚电连接。
[0011]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属柱体和所述金属半蚀层之间填充有含锡金属材料。
[0012]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属半蚀层内开设有第二金属孔，所述金属实体层内开设有第三金属孔，所述第二金属孔和所述第三金属孔连通形成所述第一金属孔；
[0013]所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述引脚电连接。
[0014]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属柱体与所述金属实体层之间填充有含锡金属材料，或，所述金属柱体与所述金属半蚀层之间以及所述金属柱体与所述金属实体层之间，都填充有含锡金属材料。
[0015]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述封装基板包括芯片基底层和芯片电路层；
[0016]所述芯片电路层的第一端与所述芯片基底层电连接，所述芯片电路层的第二端与所述金属柱体的第一端电连接。
[0017]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构，所述金属柱体和所述金属层的材料为非锡电极连接材料。
[0018]本专利技术还提供一种半导体封装结构的制造方法，包括：
[0019]在衬底上安置封装基板和金属层；其中，所述金属层内开设有第一金属孔；
[0020]将金属柱体的第一端与所述封装基板的一端进行电连接，并将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与引脚进行电连接。
[0021]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法，所述金属层包括金属半蚀层和金属实体层，所述金属半蚀层内开设有所述第一金属孔；
[0022]所述将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与引脚进行电连接，包括：
[0023]将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述金属实体层的第一端进行电连接，并将所述金属实体层的第二端与所述引脚进行电连接。
[0024]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法，还包括：
[0025]在所述金属柱体的第二端形成含锡金属材料的金属凸起点；
[0026]将所述金属实体层的第一端与所述引脚进行电连接；
[0027]将形成有金属凸起点的所述金属柱体的第二端，穿设所述第一金属孔与所述金属实体层的第二端进行焊接，以使得所述金属柱体的第二端与所述金属实体层的第二端电连接，所述金属半蚀层和所述金属柱体之间填充有所述锡金属材料。
[0028]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法，所述金属层包括金属半蚀层和金属实体层，所述金属半蚀层内开设有第二金属孔，所述金属实体层内开设有第三金属孔，所述第二金属孔和所述第三金属孔连通形成所述第一金属孔；
[0029]所述将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与引脚进行电连接，包括：
[0030]将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述引脚进行电连接。
[0031]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法，还包括：
[0032]在所述金属柱体的第二端形成含锡金属材料的金属凸起点；
[0033]将形成有金属凸起点的所述金属柱体的第二端，穿设所述第一金属孔与所述引脚进行焊接，以使得所述金属柱体的第二端与所述引脚电连接，所述金属柱体与所述金属实体层之间填充有含锡金属材料，或，所述金属柱体与所述金属半蚀层之间以及所述金属柱体与所述金属实体层之间，都填充有含锡金属材料。
[0034]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法，所述封装基板包括芯片基底层和芯片电路层；
[0035]将金属柱体的第一端与所述封装基板的一端进行电连接，包括：
[0036]将所述芯片电路层的第一端与所述芯片基底层进行电连接，并将所述芯片电路层的第二端与所述金属柱体的第一端进行电连接。
[0037]根据本专利技术提供的一种半导体封装结构包括衬底、封装基板、金属柱体、金属层和引脚；封装基板、金属柱体和金属层安置于衬底上；金属层内开设有第一金属孔；金属柱体的第一端与封装基板电连接，金属柱体的第二端穿设第一金属孔与引脚电连接。
[0038]本专利技术提供的半导体封装结构中的金属柱体与引脚之间直接电连接，不需要通过锡金属材料焊接，因此，使得器件在引脚和金属柱体的通流方向上没有锡金属材料，减少了锡金属材料对器件通流能力的影响，提高了器件的通流能力。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之一；
[0041]图2是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之二；
[0042]图3是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之三；
[0043]图4是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之四；
[0044]图5是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之五；
[0045]图6是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之六；
[0046]图7是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之七；
[0047]图8是本专利技术半导体封装结构的制造方法的流程示意图之一；
[0048]图9是本专利技术半导体封装结构的制造方法的流程示意图之二；
[0049]图10是本专利技术半导体封装结构的结构示意图之八；
[0050]图11是本专利技术半导体封装结构的制造方法的流程示意图之三。
具体实施方式
[0051]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括衬底、封装基板、金属柱体、金属层和引脚；所述封装基板、所述金属柱体和所述金属层安置于所述衬底上；所述金属层内开设有第一金属孔；所述金属柱体的第一端与所述封装基板电连接，所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述引脚电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属层包括金属半蚀层和金属实体层。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属半蚀层内开设有所述第一金属孔；所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述金属实体层的第一端电连接，所述金属实体层的第二端与所述引脚电连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属柱体和所述金属半蚀层之间填充有含锡金属材料。5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属半蚀层内开设有第二金属孔，所述金属实体层内开设有第三金属孔，所述第二金属孔和所述第三金属孔连通形成所述第一金属孔；所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与所述引脚电连接。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属柱体与所述金属实体层之间填充有含锡金属材料，或，所述金属柱体与所述金属半蚀层之间以及所述金属柱体与所述金属实体层之间，都填充有含锡金属材料。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装基板包括芯片基底层和芯片电路层；所述芯片电路层的第一端与所述芯片基底层电连接，所述芯片电路层的第二端与所述金属柱体的第一端电连接。8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属柱体和所述金属层的材料为非锡电极连接材料。9.如权利要求1
‑
8中任一项所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上安置封装基板和金属层；其中，所述金属层内开设有第一金属孔；将金属柱体的第一端与所述封装基板的一端进行电连接，并将所述金属柱体的第二端穿设所述第一金属孔与引脚进行电连接。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建平，曹凯，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：