半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，并配备把每个电极连接到基板外部的主电流配线、电流控制配线和电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。因此，本实用新型专利技术的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。半导体特性。半导体特性。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]近年来，为了实现低碳社会或脱碳社会的努力活跃化，在车辆中，也削减CO2的排放量或改善能源效率，为此而正在进行与有关电动汽车的研究开发。
[0003]具有高密度、低功耗和高速大驱动能力等特点的双极金属氧化物(BiMOS)半导体装置已被公开，其中同时使用双极晶体管(BJT)和金属氧化物半导体(MOS)晶体管，如专利公布号CN 115148804A。这样的半导体装置具有四个端子，包括漏极、源极、栅极与作为控制端子的基极。在具有所述四端子的半导体装置中，会在沟道区与漏电极侧的漂移层之间形成超结(SJ)结构。
[0004]可是，在与电动汽车有关的技术中，当上述半导体装置的源极端、栅极端与基极端的电极都形成在顶部方向时，从源极与基极连接到外部的配线势必须要做成多层的构造，导致制造成本增加。此外，如果为了设置配线而改变源极与基极的位置，则不利于半导体特性。

技术实现思路

[0005]本技术为了解决所述课题，而以达成良好的半导体特性并且抑制配线成本为目的提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，其特征在于，所述半导体装置进一步包括：主电流配线，把所述主电流电极连接到所述半导体基板的外部，电流控制配线，把所述电流控制电极连接到所述半导体基板的外部；以及电压控制配线，把所述电压控制电极连接到所述半导体基板的外部，其中所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置，多个所述电压控制配线沿与所述第一方向不同的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田真也，中村研贵，前田康宏，塚田能成，小堀俊光，根来佑树，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：新型
国别省市：