【技术实现步骤摘要】
用于制造太阳能电池的方法、装置、制造设备及电池
[0001]本申请涉及电池
,具体而言,涉及一种用于制造太阳能电池的方法、装置、制造设备及电池。
技术介绍
[0002]目前,在制造太阳能电池时,通常是在基板上镀膜和在膜层上刻划沟槽交叉进行,即需要镀一层膜,做一次刻划,从而导致产品的生产效率不高,且产品不良率较高。
技术实现思路
[0003]本申请实施例的目的在于提供一种用于制造太阳能电池的方法、装置、制造设备及电池,用于提高产品的生产效率,并提高产品的生产质量。
[0004]第一方面,本申请实施例提供一种用于制造太阳能电池的方法,包括:在基底的上表面设置层堆,所述层堆包括沿所述基底的厚度方向依次设置的底电极层、功能层和背电极层;在所述层堆中生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,所述第一沟槽延伸至所述基底的上表面,所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间,并延伸至所述底电极层,所述第三沟槽延伸至所述底电极层的上表面;使用导电材料填充所述第二沟槽,且使所述导电材料与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层导电连接。
[0005]在上述实施例中,在制造太阳能电池时,先在基底的上表面设置层堆,层堆中包括沿基底的厚度方向依次设置的底电极层、功能层和背电极层。然后在层堆中生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,以将太阳能电池分隔呈多个子电池。其中,可在层堆中一次性生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,也可先生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中的任意两个,然后再生成剩余的一个。也即,第一沟槽、第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造太阳能电池的方法,其特征在于,包括:在基底的上表面设置层堆,所述层堆包括沿所述基底的厚度方向依次设置的底电极层、功能层和背电极层;在所述层堆中生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,所述第一沟槽延伸至所述基底的上表面,所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间,并延伸至所述底电极层,所述第三沟槽延伸至所述底电极层的上表面;使用导电材料填充所述第二沟槽,且使所述导电材料与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层导电连接。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:使用绝缘材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述在所述层堆中生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,包括:通过刻划头在所述层堆中同时执行刻划动作生成。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述使用导电材料填充所述第二沟槽,在所述第一沟槽和所述第三沟槽中填充绝缘材料,包括:通过填充机构同时向所述第一沟槽和所述第三沟槽中填充绝缘材料,以及向所述第二沟槽中填充导电材料。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述层堆中同时生成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的同时,使用绝缘材料填充所述第一沟槽和所述第三沟槽,并使用导电材料填充所述第二沟槽。6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述使所述导电材料与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层导电连接,包括:在所述第二沟槽的顶部设置导电连接件,所述导电连接件覆盖于所述第二沟槽,用于电连接所述第二沟槽两侧的所述背电极层。7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述使所述导电材料与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层导电连接,包括:使用导电材料填充所述第二沟槽时,使所述导电材料从所述第二沟槽中溢出至与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层连接。8.一种刻划填充装置,用于制造太阳能电池,所述太阳能电池包括基底和设于所述基底的上表面的层堆,所述层堆包括沿所述基底的厚度方向依次设置的底电极层、功能层和背电极层;其特征在于,所述刻划填充装置包括:移动机构;刻划机构,与所述移动机构相连,用于在所述移动机构的带动下在所述层堆中刻划出第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,所述第一沟槽延伸至所述基底的上表面,所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间,并延伸至所述底电极层,所述第三沟槽延伸至所述底电极层的上表面;填充机构,与所述移动机构相连,用于在所述移动机构的带动下在所述第二沟槽中填充导电材料,并使所述导电材料与所述第一沟槽远离所述第二沟槽的一侧的所述背电极层导电连接。9.根据权利要求8所述的刻划填充装置,其特征在于,所述移动机构包括驱动件和与所述驱动件相连的连接件,所述刻划机构包括第一刻划头、第二刻划头和第三刻划头,所述第
一刻划头、第二刻划头和第三刻划头沿所述太阳能电池的长度方向间隔设置于所述连接件上,所述驱动件适于驱动所述连接件移动以带动所述第一刻划头、所述第二刻划头和所述第三刻划头同时刻划所述第一沟槽、第二沟槽和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈国栋,林维乐,苏硕剑,王燕东,刘召辉,王言芬,郭永胜,
申请(专利权)人:宁德时代新能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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