一种终端、通信设备、滤波器及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种终端、通信设备、滤波器及其形成方法，其中，滤波器，包括：谐振结构，包括衬底、底电极、压电层和顶电极，衬底包括空腔部，底电极设置于空腔部的上方，且底电极和空腔部之间形成有第一空腔，压电层设置于底电极的上方，顶电极设置于压电层的上方；第一导电塞，设置于底电极的上方，且与底电极电连接；第二导电塞，设置于顶电极的上方，且与顶电极电连接；基板，设置于第一导电塞和第二导电塞的上方，与第一导电塞和第二导电塞均电连接，且与第一导电塞、第二导电塞和谐振结构的上表面形成第二空腔。本发明专利技术实施例所提供的通信设备、滤波器及其形成方法，滤波器具有较小的体积。的体积。的体积。

【技术实现步骤摘要】
一种终端、通信设备、滤波器及其形成方法


[0001]本申请实施例涉及半导体
，具体涉及一种终端、通信设备、滤波器及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着互联网、人工智能等技术的发展，半导体器件的研究越来越受到重视，滤波器作为射频前端的重要组成部分，是用于在通信系统中消除干扰的器件，在通信系统中发挥着重要的作用。
[0003]随着5G时代的到来，手机等终端需要满足3G，4G，5G以及多个运营商的多个波段，所以一般需要至少50颗滤波器满足手机等终端对于射频的需要，然而目前各种无线终端对于轻薄化、轻量化的追求越来越迫切，这就对各种电子元件的封装体积提出新的需求。
[0004]因此，如何减小滤波器的体积，成为了亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请实施例提供一种终端、通信设备、滤波器及其形成方法，以减小滤波器的体积。
[0006]为解决上述问题，本申请实施例提供一种滤波器，包括：
[0007]谐振结构，包括衬底、底电极、压电层和顶电极，所述衬底包括空腔部，所述底电极设置于所述空腔部的上方，且所述底电极和所述空腔部之间形成有第一空腔，所述压电层设置于所述底电极的上方，所述顶电极设置于所述压电层的上方；
[0008]第一导电塞，设置于所述底电极的上方，且与所述底电极电连接；
[0009]第二导电塞，设置于所述顶电极的上方，且与所述顶电极电连接；
[0010]基板，设置于所述第一导电塞和所述第二导电塞的上方，与所述第一导电塞和所述第二导电塞均电连接，且与所述第一导电塞、所述第二导电塞和所述谐振结构的上表面形成第二空腔。
[0011]可选地，所述压电层的上下表面均为平面。
[0012]可选地，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部，所述底电极设置于所述衬底的上方，所述底电极和所述衬底形成所述第一空腔。
[0013]可选地，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部，所述底电极开设有底隔离槽，至少部分所述衬底空腔的侧壁穿过所述底隔离槽支撑所述压电层，至少所述底电极和所述衬底形成所述第一空腔。
[0014]可选地，所述谐振结构还包括：
[0015]绝缘支撑层，设置于所述衬底的上方，开设有支撑空腔，所述支撑空腔所对应的衬底为所述空腔部；
[0016]所述底电极设置于所述绝缘支撑层的上方，所述绝缘支撑层、所述底电极和所述空腔部形成所述第一空腔。
[0017]可选地，所述谐振结构还包括：
[0018]绝缘支撑层，设置于所述衬底的上方，开设有支撑空腔，所述支撑空腔所对应的衬底为所述空腔部；
[0019]所述底电极开设有底隔离槽，至少部分所述绝缘支撑层穿过所述底隔离槽支撑所述压电层，且至少与所述底电极和所述空腔部形成所述第一空腔。
[0020]可选地，所述谐振结构还包括：
[0021]顶电极保护层，设置于所述顶电极的上方；
[0022]所述第一导电塞穿过所述顶电极保护层、所述顶电极、所述压电层中的至少一层与所述底电极电连接，所述第二导电塞穿过所述顶电极保护层与所述顶电极电连接。
[0023]可选地，所述谐振结构还包括：
[0024]底电极保护层，设置于所述底电极的下方。
[0025]可选地，所述第一导电塞包括：
[0026]第一导电支撑柱，穿过所述顶电极、所述压电层与所述底电极电连接；
[0027]第一封装焊球，与所述第一导电支撑柱电连接，且与所述基板电连接。
[0028]可选地，所述第二导电塞包括：
[0029]第二导电支撑柱，与所述顶电极电连接；
[0030]第二封装焊球，与所述第二导电支撑柱电连接，且与所述基板电连接。
[0031]可选地，还包括：
[0032]保护膜，包覆所述衬底，且覆盖未与所述衬底对应的所述基板，与所述基板密封连接。
[0033]可选地，还包括：
[0034]第一重新布线层，设置于所述第一导电塞和所述底电极之间，且电连接所述第一导电塞和所述底电极。
[0035]可选地，还包括：
[0036]第二重新布线层，设置于所述第二导电塞和所述顶电极之间，且电连接所述第二导电塞和所述顶电极。
[0037]为解决前述问题本申请还提供一种滤波器的形成方法，包括：
[0038]形成谐振结构，所述谐振结构包括衬底、底电极、压电层和顶电极，所述衬底包括空腔部，所述底电极设置于所述空腔部的上方，且所述底电极和所述空腔部之间形成有第一空腔，所述压电层设置于所述底电极的上方，所述顶电极设置于所述压电层的上方；
[0039]在所述谐振结构上形成第一导电塞和第二导电塞，所述第一导电塞位于所述底电极的上方，与所述底电极电连接，所述第二导电塞位于所述顶电极的上方与所述顶电极电连接；
[0040]将基板与所述第一导电塞和所述第二导电塞电连接，使所述基板与所述第一导电塞、所述第二导电塞和所述谐振结构的上表面形成第二空腔。
[0041]可选地，所述形成谐振结构的步骤包括：
[0042]提供支撑衬底；
[0043]在所述支撑衬底上依次形成顶电极层、压电材料层和所述底电极；
[0044]提供所述衬底并键合，以使所述底电极和所述衬底的空腔部之间形成所述第一空
腔；
[0045]去除所述支撑衬底；
[0046]去除部分所述顶电极层，在所述顶电极层上形成所述顶隔离槽，得到所述顶电极，在所述压电材料层上开设所述导电通孔，形成所述压电层。
[0047]可选地，所述提供所述衬底并键合的步骤包括：
[0048]提供所述衬底，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部；
[0049]键合所述底电极和所述衬底空腔的侧壁，以使所述底电极和所述衬底形成所述第一空腔。
[0050]可选地，所述底电极开设有底隔离槽，所述提供所述衬底并键合的步骤包括：
[0051]提供所述衬底，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部；
[0052]至少键合所述压电材料层和所述衬底空腔的侧壁，以使所述底电极、所述压电材料层和所述衬底形成所述第一空腔。
[0053]可选地，所述提供所述衬底并键合的步骤之前还包括：
[0054]在所述底电极上形成绝缘支撑层，所述绝缘支撑层开设有支撑空腔；
[0055]所述提供所述衬底并键合的步骤包括：
[0056]提供所述衬底；
[0057]键合所述绝缘支撑层和所述衬底，以在所述底电极和所述空腔部之间形成所述第一空腔，所述支撑空腔所对应的衬底为所述空腔部。
[0058]可选地，所述底电极开设有底隔离槽，所述提供所述衬底并键合的步骤之前还包括：
[0059]至少在所述底隔离槽所对应的所述压电材料层上形成绝缘支撑层，所述绝缘支撑层开设有支撑空腔；
[0060本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括：谐振结构，包括衬底、底电极、压电层和顶电极，所述衬底包括空腔部，所述底电极设置于所述空腔部的上方，且所述底电极和所述空腔部之间形成有第一空腔，所述压电层设置于所述底电极的上方，所述顶电极设置于所述压电层的上方；第一导电塞，设置于所述底电极的上方，且与所述底电极电连接；第二导电塞，设置于所述顶电极的上方，且与所述顶电极电连接；基板，设置于所述第一导电塞和所述第二导电塞的上方，与所述第一导电塞和所述第二导电塞均电连接，且与所述第一导电塞、所述第二导电塞和所述谐振结构的上表面形成第二空腔。2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述压电层的上下表面均为平面。3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部，所述底电极设置于所述衬底的上方，所述底电极和所述衬底形成所述第一空腔。4.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部，所述底电极开设有底隔离槽，至少部分所述衬底空腔的侧壁穿过所述底隔离槽支撑所述压电层，至少所述底电极和所述衬底形成所述第一空腔。5.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振结构还包括：绝缘支撑层，设置于所述衬底的上方，开设有支撑空腔，所述支撑空腔所对应的衬底为所述空腔部；所述底电极设置于所述绝缘支撑层的上方，所述绝缘支撑层、所述底电极和所述空腔部形成所述第一空腔。6.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振结构还包括：绝缘支撑层，设置于所述衬底的上方，开设有支撑空腔，所述支撑空腔所对应的衬底为所述空腔部；所述底电极开设有底隔离槽，至少部分所述绝缘支撑层穿过所述底隔离槽支撑所述压电层，且至少与所述底电极和所述空腔部形成所述第一空腔。7.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振结构还包括：顶电极保护层，设置于所述顶电极的上方；所述第一导电塞穿过所述顶电极保护层、所述顶电极、所述压电层中的至少一层与所述底电极电连接，所述第二导电塞穿过所述顶电极保护层与所述顶电极电连接。8.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振结构还包括：底电极保护层，设置于所述底电极的下方。9.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一导电塞包括：第一导电支撑柱，穿过所述顶电极、所述压电层与所述底电极电连接；第一封装焊球，与所述第一导电支撑柱电连接，且与所述基板电连接。10.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第二导电塞包括：第二导电支撑柱，与所述顶电极电连接；第二封装焊球，与所述第二导电支撑柱电连接，且与所述基板电连接。11.如权利要求1
‑
10任一项所述的滤波器，其特征在于，还包括：
保护膜，包覆所述衬底，且覆盖未与所述衬底对应的所述基板，与所述基板密封连接。12.如权利要求1
‑
10任一项所述的滤波器，其特征在于，还包括：第一重新布线层，设置于所述第一导电塞和所述底电极之间，且电连接所述第一导电塞和所述底电极。13.如权利要求1
‑
10任一项所述的滤波器，其特征在于，还包括：第二重新布线层，设置于所述第二导电塞和所述顶电极之间，且电连接所述第二导电塞和所述顶电极。14.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括：形成谐振结构，所述谐振结构包括衬底、底电极、压电层和顶电极，所述衬底包括空腔部，所述底电极设置于所述空腔部的上方，且所述底电极和所述空腔部之间形成有第一空腔，所述压电层设置于所述底电极的上方，所述顶电极设置于所述压电层的上方；在所述谐振结构上形成第一导电塞和第二导电塞，所述第一导电塞位于所述底电极的上方，与所述底电极电连接，所述第二导电塞位于所述顶电极的上方与所述顶电极电连接；将基板与所述第一导电塞和所述第二导电塞电连接，使所述基板与所述第一导电塞、所述第二导电塞和所述谐振结构的上表面形成第二空腔。15.如权利要求14所述的滤波器的形成方法，其特征在于，所述形成谐振结构的步骤包括：提供支撑衬底；在所述支撑衬底上依次形成顶电极层、压电材料层和所述底电极；提供所述衬底并键合，以使所述底电极和所述衬底的空腔部之间形成所述第一空腔；去除所述支撑衬底；去除部分所述顶电极层，在所述顶电极层上形成顶隔离槽，得到所述顶电极，在所述压电材料层上开设导电通孔，形成所述压电层。16.如权利要求15所述的滤波器的形成方法，其特征在于，所述提供所述衬底并键合的步骤包括：提供所述衬底，所述衬底开设有衬底空腔，所述衬底空腔的底壁为所述空腔部；键合所述底电极和所述衬底空腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：万晨庚，
申请(专利权)人：北京芯溪半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：