显示装置、显示装置的制造方法及电子设备制造方法及图纸

提供一种能够显示高质量图像的显示装置。显示装置包括第一发光元件、第二发光元件及空隙。第一发光元件包括第一下部电极、第一下部电极上的第一发光层及第一发光层上的第一上部电极，第二发光元件包括第二下部电极、第二下部电极上的第二发光层及第二发光层上的第二上部电极。第一发光元件与第二发光元件相邻。空隙设置在第一上部电极及第一发光层与第二上部电极及第二发光层之间。第一上部电极具有比第一发光层的侧面突出的区域，第二上部电极具有比第二发光层的侧面突出的区域。极具有比第二发光层的侧面突出的区域。极具有比第二发光层的侧面突出的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示装置的制造方法及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种电子设备。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]近年来，显示装置被期待应用于各种用途。例如，作为大型显示装置的用途，可以举出家用电视装置(也称为电视或电视接收器)、数字标牌(Digital Signage)及公共信息显示器(PID：Public Information Display)等。此外，作为便携式信息终端，对具备触摸面板的智能手机及平板终端等已在进行研发。
[0004]另外，有显示装置的高清晰化的需求。作为需要高清晰显示装置的设备，例如面向虚拟现实(VR：Virtual Reality)、增强现实(AR：Augmented Reality)、替代现实(SR：Substitutional Reality)以及混合现实(MR：Mixed Reality)的设备的开发很活跃。
[0005]作为显示装置，例如已开发了包括发光元件(也称为发光器件)的发光装置。尤其是，利用电致发光(Electroluminescence，以下称为EL)现象的发光元件(也称为EL元件或EL器件)具有容易实现薄型轻量化；能够高速地响应输入信号；以及能够使用直流稳压电源而驱动的特征等，并已将其应用于显示装置。
[0006]专利文献1公开了利用有机EL元件(也称为有机EL器件)的面向VR的显示装置。[先行技术文献][专利文献][0007][专利文献1]国际公开第2018/087625号

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种显示高质量图像的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种光提取效率高的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种廉价的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。
[0009]另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种显示高质量图像的显示装置的制
造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种光提取效率高的显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种制造工序简单的显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置的制造方法。
[0010]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。上述目的以外的目的可以显而易见地从说明书、附图、权利要求书等的记载中看出，并且可以从这些记载中抽取上述目的以外的目的。解决技术问题的手段
[0011]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括第一发光元件、第二发光元件以及空隙，第一发光元件包括第一下部电极、第一下部电极上的第一发光层以及第一发光层上的第一上部电极，第二发光元件包括第二下部电极、第二下部电极上的第二发光层以及第二发光层上的第二上部电极，第一发光元件与第二发光元件相邻，空隙设置在第一上部电极及第一发光层与第二上部电极及第二发光层之间，第一上部电极具有比第一发光层的侧面突出的区域，第二上部电极具有比第二发光层的侧面突出的区域。
[0012]在上述方式中，也可以具有第一上部电极的侧面与第二上部电极的侧面的距离为1μm以下的区域。
[0013]在上述方式中，也可以具有第一电子注入层的侧面与第二电子注入层的侧面的距离为100nm以下的区域。
[0014]在上述方式中，空隙也可以包含选自氮、氧、二氧化碳和第18族元素中的任一个或多个。
[0015]在上述方式中，第18族元素也可以包含选自氦、氖、氩、氙和氪中的任一个或多个。
[0016]在上述方式中，第一发光层的折射率及第二发光层的折射率也可以比空隙的折射率高。
[0017]在上述方式中，第一发光元件及第二发光元件也可以设置在绝缘层上，绝缘层的顶面也可以具有与空隙的底面接触的区域，绝缘层的顶面与空隙的底面接触的区域中的绝缘层的厚度也可以比与第一发光层重叠的区域中的绝缘层的厚度以及与第二发光层重叠的区域中的绝缘层的厚度薄。
[0018]在上述方式中，第一上部电极上及第二上部电极上也可以设置有保护层，并且保护层也可以具有与空隙的顶面接触的区域。
[0019]在上述方式中，保护层上也可以设置有微透镜阵列。
[0020]在上述方式中，显示装置也可以还包括第一晶体管以及第二晶体管，第一晶体管的源极和漏极中的一方也可以与第一下部电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一方也可以与第二下部电极电连接，第一晶体管和第二晶体管也可以都在沟道形成区域中包含硅或者金属氧化物。
[0021]一种包括本专利技术的一个方式的显示装置以及透镜的电子设备也是本专利技术的一个方式。
[0022]另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：依次沉积成
为第一下部电极及第二下部电极的层、成为第一发光层及第二发光层的层以及成为第一上部电极及第二上部电极的层并通过第一蚀刻对它们进行加工来形成第一及第二下部电极、第一及第二发光层以及第一及第二上部电极；以及以使第一上部电极具有比第一发光层的侧面突出的区域且使第二上部电极具有比第二发光层的侧面突出的区域的方式通过第二蚀刻加工第一发光层和第二发光层。
[0023]在上述方式中，第二蚀刻的各向同性也可以比第一蚀刻高。
[0024]在上述方式中，也可以在进行第二蚀刻之后以在第一上部电极及第一发光层与第二上部电极及第二发光层之间设置空隙的方式形成保护层。
[0025]在上述方式中，也可以在保护层上形成微透镜阵列。专利技术效果
[0026]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种显示高质量图像的显示装置。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种光提取效率高的显示装置。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种高开口率的显示装置。另外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种高清晰显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种廉价的显示装置。另外，根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：第一发光元件；第二发光元件；以及空隙，其中，所述第一发光元件包括第一下部电极、所述第一下部电极上的第一发光层及所述第一发光层上的第一上部电极，所述第二发光元件包括第二下部电极、所述第二下部电极上的第二发光层及所述第二发光层上的第二上部电极，所述第一发光元件与所述第二发光元件相邻，所述空隙设置在所述第一上部电极及所述第一发光层与所述第二上部电极及所述第二发光层之间，所述第一上部电极具有比所述第一发光层的侧面突出的区域，并且，所述第二上部电极具有比所述第二发光层的侧面突出的区域。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中具有所述第一上部电极的侧面与所述第二上部电极的侧面的距离为1μm以下的区域。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中具有所述第一上部电极的侧面与所述第二上部电极的侧面的距离为100nm以下的区域。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中所述空隙包含选自氮、氧、二氧化碳和第18族元素中的任一个或多个。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第18族元素包含选择氦、氖、氩、氙和氪中的任一个或多个。6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其中所述第一发光层的折射率及所述第二发光层的折射率比所述空隙的折射率高。7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，其中所述第一发光元件及所述第二发光元件设置在绝缘层上，所述绝缘层的顶面具有与所述空隙的底面接触的区域，并且所述绝缘层的顶面与所述空隙的底面接触的区域中的所述绝缘层的厚度比与所述第一发光层重叠的区域中的所述绝缘层的厚度以及与所述第二发光层重叠的区域中的所述绝缘层的厚度薄。8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其中所述第一上部电极上及所述第二上部电极上设置有保护层，并且所述保护层具有与所述空隙的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，神保安弘，柳泽悠一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：