一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿第一方向，显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度；在非显示区内，第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿第二方向，在第二金属层的两侧分别设置有至少一个凹槽；液晶取向层覆盖显示区和非显示区，利用高段差断开非显示区中液晶取向层在第二金属层远离衬底基板一侧的至少部分区域，阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区，避免形成气泡，从而提高产品的信赖性和显示效果。产品的信赖性和显示效果。产品的信赖性和显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，人们希望进一步降低液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)的生产成本，这往往通过减少显示面板中膜层的光刻制程(即mask数)来实现。当前HD(High Definition，HD)7mask技术已得到较为广泛的开发，其中，7mask技术指的是在玻璃上实现形成液晶显示屏阵列基板的薄膜晶体管(TFT)和像素电极(ITO)的过程，即在制备阵列基板的7个膜层时分别采用一道光刻工艺，以实现各个膜层的图案。
[0003]相对于8mask技术，7mask技术进一步去掉的是阵列基板的平坦化(Planarization Layer，PLN)层的光刻制程，由于光刻制程减少，在减小制程工艺成本的同时，也带来了许多问题，尤其对产品的信赖性影响较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，通过设置增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差，利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免形成气泡，从而提高产品的信赖性和显示效果。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；
[0006]所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度；
[0007]在所述非显示区内，所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在所述第二金属层远离所述显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；
[0008]所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区，且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。
[0009]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备第一方面提供的阵列基板。
[0010]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第一方面提供的阵列基板。
[0011]第四方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第三方面提供的显示面板。
[0012]本专利技术实施例提供的阵列基板，通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层，进而增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差，在非显示区内，设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，以压缩非显示区的体积，且在非显示区第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽，利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免形成气泡，提高产品的信赖性和显示效果。
附图说明
[0013]图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0014]图2是图1中沿AA
’
方向的一种截面示意图；
[0015]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0016]图4是图3中沿BB
’
方向的一种截面示意图；
[0017]图5是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0018]图6是图5中沿CC
’
方向的另一种截面示意图；
[0019]图7是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的示意图；
[0020]图8是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0021]图9是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0023]图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是图1中沿AA
’
方向的一种截面示意图。如图1和图2所示，现有技术中的一种阵列基板100包括显示区A1和非显示区A2，阵列基板100包括衬底基板101以及位于衬底基板101一侧层叠设置的第一金属层102、绝缘层103、第二金属层104和液晶取向层105，采用HD 7mask技术，在非显示区A2中去掉了PLN层后，面板边框处无较高段差的挖槽结构，无法实现液晶取向膜层105(PI膜层)的破裂，在产品信赖性实验中，外界水汽通过PI膜层会更容易漫延至盒内结构中，易在显示区A1内形成气泡(bubble)，因此，采用该种结构的阵列基板100应用在显示屏中，存在产品的信赖性变差以及显示效果变差等问题。
[0024]基于上述技术问题，专利技术人进一步研究出本专利技术实施例的技术方案。具体的，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括显示区和围绕显示区的非显示区；阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于阵列基板所在平面的方向，显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度；在非显示区内，第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于衬底基板所在平面的方向，在第二金属层靠近显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在第二金属层远离显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；液晶取向层覆盖显示区和非显示区，且液晶取向层在第二金属层远离衬底基板一侧的至少部分区域断开。
[0025]采用上述技术方案，通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层，进而增加阵列基板所能构成的段差，在非显示区内，设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，且在第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽，在非显示区(边框区域)利用高段差阻断第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而可以防止外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免显示区形成气泡(bubble)，从而提高产品的信赖性和显示效果。
[0026]以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图4是图3中沿BB
’
方向的一种截面示意图。结合图3
‑
图4所示，本专利技术实施例提供的阵列基板200包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA；阵列基板200包括衬底基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度；在所述非显示区内，所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在所述第二金属层远离所述显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区，且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区内，所述第一金属层包括第一走线，所述第一走线围绕所述显示区一周设置，所述第二金属层包括第二走线，所述第二走线围绕所述显示区一周设置；所述第一走线在所述衬底基板的垂直投影与所述第二走线在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠；所述第一绝缘层包括多个第一通孔，所述第一走线和所述第二走线通过所述第一通孔电连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线和所述第二走线与固定电位电连接。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括有机层，所述显示区内的第一绝缘层厚度为0.5μm～0.6μm，所述非显示区内的第一绝缘层厚度为2μm～3μm。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为平坦化层。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述显示区内包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体有源层、栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾娟梅，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：