一种输出短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种输出短路保护电路，包括MOS管，三极管，稳压管，第一电阻，第二电阻，第三电阻以及第四电阻，所述MOS管的源极连接电压输入端，所述MOS管的源极和栅极之间连接有稳压管，所述MOS管的源极和漏极之间连接有第一电阻，所述MOS管的栅极经第二电阻连接所述三极管的集电极，所述MOS管的漏极连接电压输出端，所述MOS管的漏极经第三电阻连接所述三极管的基极，所述三极管的基极和发射极之间连接有第四电阻，所述三极管的发射极接地。本实用新型专利技术的电路具有结构简单、性能稳定、成本较低的有益效果。本较低的有益效果。本较低的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种输出短路保护电路


[0001]本技术属于电路领域，具体涉及一种输出短路保护电路。

技术介绍

[0002]随着电源类产品的应用越来越广泛，电源类产品的要求也正变得越来越高。随着电源类产品的技术要求不断提高。大多数产品电压输出都具备了短路保护功能，以便在发生短路时，及时对产品进行保护，避免产品损坏。目前的短路保护电路主要有两种类型：一种是使用短路保护IC，另一种是采用分立元件处理。上述两种类型的保护电路虽然可以对产品进行保护，但是也存在成本高，电路复杂的问题。随着产品用量的提高，对于生产厂家来说生产成本也比较高昂。

技术实现思路

[0003]本技术目的是：提供一种结构简单，生产成本低的输出短路保护电路。
[0004]本技术的技术方案是：一种输出短路保护电路，包括：MOS管，三极管，稳压管，第一电阻，第二电阻，第三电阻以及第四电阻，所述MOS管的源极连接电压输入端，所述MOS管的源极和栅极之间连接有所述稳压管，所述MOS管的源极和漏极之间连接有所述第一电阻，所述MOS管的栅极经所述第二电阻连接所述三极管的集电极，所述MOS管的漏极连接电压输出端，所述MOS管的漏极经所述第三电阻连接所述三极管的基极，所述三极管的基极和发射极之间连接有所述第四电阻，所述三极管的发射极接地。
[0005]进一步的，所述三极管为NPN型三极管。
[0006]进一步的，所述MOS管为PMOS管。
[0007]进一步的，稳压管的稳定电压为9V
‑
12V。
[0008]本技术的优点是：
[0009]1. 本电路通过MOS管控制电压输出与关闭，配合三极管，结构简单，成本低；并且由于使用的元器件少，性能也会更加稳定。
[0010]2. 本电路在短路故障解除后，电路可自动恢复工作。
附图说明
[0011]下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：
[0012]图1为本技术的一种输出短路保护电路的电路图。
具体实施方式
[0013]实施例：如图1所示的输出短路保护电路包括MOS管M1，三极管Q1，稳压管D1，电阻R1，电阻R2，电阻R3以及电阻R4，MOS管M1的源极连接电压输入端VIN，MOS管M1的源极和栅极之间连接有稳压管D1，该稳压管D1的稳定电压为9V，MOS管M1的源极和漏极之间连接有第一电阻R1，MOS管M1的栅极经第二电阻R2连接三极管Q1的集电极。MOS管M1的漏极连接电压输
出端，MOS管M1的漏极经第三电阻R3连接三极管Q1的基极，三极管Q1的基极和发射极之间连接有第四电阻R4，三极管Q1的发射极接地。本实施例中三极管Q1为NPN型三极管，MOS管M1为PMOS管。正常工作状态时候，三极管Q1导通，从而使得MOS管M1的栅极为低电位，MOS管M1也导通，电源正常供电；当输出端发生短路后，三极管Q1和MOS管M1都截止，输出关闭。当输出短路故障解除后自动恢复输出功能。本技术的电路具有结构简单、性能稳定、成本较低的有益效果。
[0014]当然上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输出短路保护电路，其特征在于，包括：MOS管，三极管，稳压管，第一电阻，第二电阻，第三电阻以及第四电阻，所述MOS管为PMOS管，所述MOS管的源极连接电压输入端，所述MOS管的源极和栅极之间连接有所述稳压管，所述MOS管的源极和漏极之间连接有所述第一电阻，所述三极管为NPN型三极管，所述MOS管的栅极经所述第二电阻连接所述三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓东，郑思文，郑振晓，
申请(专利权)人：新黎明科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：