光电转换元件及电子设备制造技术

根据本公开的实施方案的光电转换元件包括：设置有传输晶体管的第一半导体层，设置有像素晶体管的第二半导体层和设置有连接至所述传输晶体管的栅极的栅极配线的配线层。在平视图中，所有或部分的所述像素晶体管被布置在连接至两个彼此相邻的像素中的一个像素的所述传输晶体管的栅极的第一栅极配线和连接至所述两个彼此相邻的像素中的另一个像素的所述传输晶体管的栅极的第二栅极配线之间的区域中。域中。域中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件及电子设备


[0001]本公开涉及一种光电转换元件和电子设备。

技术介绍

[0002]以往，在具有二维结构的固态成像元件中，通过引入微细工艺和安装密度的提高，已经减小了的一个像素的面积。近年来，为了实现固态成像元件的进一步小型化以及像素的高密度化，开发了具有三维结构的固态成像元件。在具有三维结构的固态成像元件中，例如，包含多个光电转换部的半导体基板和包含放大晶体管的半导体基板彼此层叠。放大晶体管生成具有与由各光电转换部获得的电荷的电平相对应的电压的信号(例如，参照专利文献1)。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第WO 2019/131965号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]顺便提及地，在现有的固态成像元件的情况下，随着像素的高密度化，像素内部的信号会彼此干扰，这可能导致噪声特性劣化。这样的问题不限于固态成像元件，而是在所有光电转换元件中都可能发生。因此，期望提供能够抑制噪声特性劣化的光电转换元件和电子设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电转换元件，包括：第一半导体层，其中针对每个像素设置有光电转换部、电荷蓄积部和传输晶体管，所述电荷蓄积部蓄积在所述光电转换部处生成的信号电荷，所述传输晶体管将所述信号电荷从所述光电转换部传输到所述电荷蓄积部；第二半导体层，其中针对一个或多个所述像素的各个单元设置有像素晶体管，所述像素晶体管从所述电荷蓄积部读出所述信号电荷，所述第二半导体层层叠在所述第一半导体层上；和配线层，其设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并且其中连接至所述传输晶体管的栅极的栅极配线针对各所述像素设置在绝缘层中，其中，所述像素晶体管在平视图中被布置在作为彼此相邻的两个所述像素的第一像素和第二像素中的第一栅极配线与第二栅极配线之间的区域中，所述第一栅极配线连接至所述第一像素中包含的所述传输晶体管的栅极，所述第二栅极配线连接至所述第二像素中包含的所述传输晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述像素晶体管包括放大晶体管、复位晶体管、选择晶体管和转换晶体管中的至少一个，所述放大晶体管生成与所述信号电荷的电平相对应的信号电压，所述复位晶体管将所述电荷蓄积部的电位复位为预定电位，所述选择晶体管控制所述信号电压的输出时序，所述转换晶体管控制所述信号电压相对于所述信号电荷的变化量的灵敏度。3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一半导体层针对各所述像素设置有分离所述光电转换部、所述电荷蓄积部和所述传输晶体管的元件分离部，并且所述像素晶体管是所述放大晶体管，并且被设置在所述元件分离部的与所述第一像素和所述第二像素被彼此分离的部分相对的区域中。4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述第一栅极配线和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：野本和生，安茂博章，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：