三维集成电路及其制备方法、电子设备技术

一种三维集成电路及其制备方法、电子设备。所述三维集成电路，包括：第一芯片、至少一个第二芯片、第一基板、第一布线层、以及至少一个第一导体。第一芯片被键合在第一基板的第一表面上。第一基板上形成有第一空腔，第二芯片被收容于第一空腔内，并与第一芯片键合。第一布线层形成于第一基板的第二表面上，其中，第一基板的第一表面和第二表面相对设置。第一基板上还形成有贯穿其第一表面和第二表面的第一通孔，第一导体设置于第一通孔内。第一布线层通过第一导体与第一芯片耦接。层通过第一导体与第一芯片耦接。层通过第一导体与第一芯片耦接。层通过第一导体与第一芯片耦接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：赫然，焦慧芳，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
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