显示装置制造方法及图纸

提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括发光元件以及以覆盖发光元件的方式配置的绝缘层，发光元件包括第一导电层、第一导电层上的EL层以及EL层上的第二导电层，绝缘层包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，第三层的碳浓度比第一层和第二层中的至少一方高。中的至少一方高。中的至少一方高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置及显示模块。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，高清晰显示面板被需求。作为需求高清晰显示面板的设备，例如，应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)、增强现实(AR：Augmented Reality)、代替现实(SR：Substitutional Reality)或混合现实(MR：Mixed Reality)的设备近年来被积极地研发。
[0004]此外，作为可以应用于显示面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
[0005]例如，有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光有机化合物的发光。由于应用上述有机EL元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的一个例子。
[0006][先行技术文献][0007][专利文献][0008][专利文献1]日本专利申请公开第2002
‑
324673号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的技术问题
[0010]例如，上述VR、AR、SR或MR用可穿戴式设备中需要在人眼与显示面板之间设置焦点调整用透镜。因为该透镜放大图像的一部分，所以会导致在显示面板的清晰度低的情况下真实感及沉浸感减少的问题。
[0011]此外，显示面板还被要求较高颜色再现性。尤其是在上述VR、AR、SR或MR用设备中，通过使用颜色再现性较高的显示面板，可以进行接近实物颜色的显示，而可以增强真实感及沉浸感。
[0012]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种清晰度极高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种实现高颜色再现性的显示装置。此外，本专利技术的一个方式是提供一种亮度较高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种上述显示装置的制造方法。
[0013]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载抽出上述以外的目的。
[0014]解决技术问题的手段
[0015]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括发光元件以及以覆盖发光元件的方式配置的绝缘层，发光元件包括第一导电层、第一导电层上的EL层以及EL层上的第二导电层，绝缘层包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，第三层的碳浓度比第一层和第二层中的至少一方高。
[0016]另外，本专利技术的另一个方式是一种显示装置，包括衬底上的晶体管、晶体管上的第一绝缘层、以嵌入于第一绝缘层的方式配置的插头、第一绝缘层上的发光元件以及以覆盖发光元件的方式配置的第二绝缘层，发光元件包括第一导电层、第一导电层上的EL层以及EL层上的第二导电层，插头将晶体管的源极和漏极中的一个与第一导电层电连接，第二绝缘层包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，第三层的碳浓度比第一层和第二层中的至少一方高。
[0017]上述结构也可以采用如下结构：在第一绝缘层与发光元件之间还包括第三绝缘层，第三绝缘层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能。在上述结构中，第三绝缘层优选包含氮及硅。在上述结构中，第三绝缘层优选在不重叠于发光元件的区域中接触于第二绝缘层。
[0018]上述结构也可以采用上述结构：衬底为硅衬底，晶体管在沟道形成区域中包含硅。在上述结构中，衬底上也可以设置有氧化物半导体膜，晶体管也可以在沟道形成区域中具有氧化物半导体膜。
[0019]在上述结构中，第一层优选接触于EL层的侧面。在上述结构中，第一层优选利用溅射法沉积。在上述结构中，第一层优选包含氧及铝。在上述结构中，第一层也可以包含氧及铪。
[0020]在上述结构中，第二层优选利用溅射法沉积。在上述结构中，第二层优选包含氮及硅。
[0021]在上述结构中，第三层优选利用ALD法沉积。在上述结构中，第三层的氢浓度也可以比第一层和第二层中的至少一方高。在上述结构中，第三层的密度也可以比第一层和第二层中的至少一方小。在上述结构中，第三层也可以包含氧及铝。
[0022]在上述结构中，EL层的侧面也可以位于第一导电层的侧面的内侧。在上述结构中，EL层也可以覆盖第一导电层的侧面。上述结构也可以采用如下结构：EL层与第一导电层之间配置有绝缘体，绝缘体在第一导电层上具有开口，并且在开口中EL层与第一导电层接触。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种清晰度极高的显示装置。此外，可以提供一种可靠性高的显示装置。此外，可以提供一种实现高颜色再现性的显示装置。此外，可以提供一种亮度较高的显示装置。此外，可以提供一种上述显示装置的制造方法。
[0025]注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本专利技术的一个方式并不需要
具有所有上述效果。此外，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载抽出上述以外的效果。
附图说明
[0026]图1A至图1C是示出显示装置的结构实例的图。
[0027]图2A至图2C是示出显示装置的结构实例的图。
[0028]图3A及图3B是示出显示装置的结构实例的图。
[0029]图4A及图4B是示出显示装置的结构实例的图。
[0030]图5A至图5D是说明显示装置的制造方法例子的图。
[0031]图6A至图6D是说明显示装置的制造方法例子的图。
[0032]图7A至图7C是说明显示装置的制造方法例子的图。
[0033]图8A及图8B是示出显示装置的结构实例的图。
[0034]图9是示出显示装置的结构实例的图。
[0035]图10是示出显示装置的结构实例的图。
[0036]图11是示出显示装置的结构实例的图。
[0037]图12A及图12B是示出显示模块的结构实例的图。
[0038]图13A及图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：发光元件；以及以覆盖所述发光元件的方式配置的绝缘层，其中，所述发光元件包括：第一导电层；所述第一导电层上的EL层；以及所述EL层上的第二导电层，所述绝缘层包括：第一层；所述第一层上的第二层；以及所述第二层上的第三层，所述第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，所述第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，并且，所述第三层的碳浓度比所述第一层和所述第二层中的至少一方高。2.一种显示装置，包括：衬底上的晶体管；所述晶体管上的第一绝缘层；以嵌入于所述第一绝缘层的方式配置的插头；所述第一绝缘层上的发光元件；以及以覆盖所述发光元件的方式配置的第二绝缘层，其中，所述发光元件包括：第一导电层；所述第一导电层上的EL层；以及所述EL层上的第二导电层，所述插头将所述晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一导电层电连接，所述第二绝缘层包括：第一层；所述第一层上的第二层；以及所述第二层上的第三层，所述第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，所述第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，并且，所述第三层的碳浓度比所述第一层和所述第二层中的至少一方高。3.根据权利要求2所述的显示装置，在所述第一绝缘层与所述发光元件之间还包括第三绝缘层，其中所述第三绝缘层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第三绝缘层包含氮及硅。5.根据权利要求3或4所述的显示装置，其中所述第三绝缘层在不重叠于所述发光元件的区域中接触于所述第二绝缘层。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的显示装置，其中所述衬底为硅衬底，并且所述晶体管在沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，神保安弘，山根靖正，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：