复合薄膜及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层和有源层；其中，衬底层的材质为多晶材料，和/或非晶材料。首先，相较于现有技术的复合薄膜中硅材质的衬底层，本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤，大大简化了复合薄膜的制备过程；其次，多晶材料或者非晶材料的衬底层中存在空位缺陷，其可以捕获载流子，从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应，降低损耗；再者，多晶或者非晶材料的价格远低于硅材料的价格，约为其1/3；因此，具有多晶材料或非晶材料衬底层的复合薄膜，可以在保证性能的前提下，大大降低成本。大大降低成本。大大降低成本。

【技术实现步骤摘要】
复合薄膜及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种复合薄膜及制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜材料能够满足电子元器件向小型化、低功耗以及高性能方向发展的要求，因此，其在半导体行业成为越来越重要的材料。近年来，一种具有绝缘体的薄膜材料越来越引起工业界的重视，其在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器等器件中都展现出良好的应用性能。
[0003]目前，在相关技术中，薄膜材料包括自上至下依次设置有源层、绝缘层、缺陷层和硅材质的衬底层。其中，有源层与绝缘层为主要的功能层，以实现光、电和声等信号的传播。由于，绝缘层靠近衬底层的界面上存在很多的缺陷能级，当绝缘层与衬底层直接接触时，缺陷能级会将衬底层中的载流子吸引至绝缘层与衬底层的接触界面附近，进而在衬底层产生表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance，PSC)，导致衬底层的有效电阻率发生改变，最终影响薄膜材料的整体性能，所以采用缺陷层将绝缘层与硅材质的衬底层间隔开，避免衬底层表面发生表面寄生电导效应。
[0004]然而，该种复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜，其特征在于，包括：依次层叠的衬底层(100)、隔离层(200)和有源层(300)；所述隔离层(200)用于将所述衬底层(100)与所述有源层(300)隔离开；所述有源层(300)用于实现光电功能；所述衬底层(100)的材质为多晶材料，和/或非晶材料。2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述多晶材料包括多晶硅、多晶锗、多晶碳化硅、多晶氮化硅、多晶石英、多晶蓝宝石、多晶氮化镓、多晶砷化镓和多晶氮化铝中的至少一者。3.根据权利要求1所述的复合薄膜其特征在于，所述非晶材料包括非晶硅、非晶锗、非晶碳化硅、非晶氮化硅、非晶石英、非晶蓝宝石、非晶氮化镓、非晶砷化镓和非晶氮化铝中的至少一者。4.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(100)的电阻率大于2Kohm.cm。5.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(100)的表面粗糙度小于0.5nm。6.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(100)的厚度为300nm
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5000nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，胡文，刘亚明，张秀全，李真宇，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：