用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒制造技术

提供：能提供通过用于半导体构件用树脂组合物从而可以体现优异的低介电特性的半导体构件的、用于半导体构件用树脂组合物的苯乙烯系中空树脂颗粒。本发明专利技术的实施方式的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒具有：壳体部和被该壳体部包围的中空部分，该中空树脂颗粒中所含的锂元素、钠元素、钾元素、镁元素、和钾元素的浓度的总计为200mg/kg以下。钾元素的浓度的总计为200mg/kg以下。钾元素的浓度的总计为200mg/kg以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒


[0001]本专利技术涉及用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。

技术介绍

[0002]近年来，随着各种电子设备的信息处理量和通信速度的增大，所搭载的半导体器件的高集成化、布线的高密度化、和多层化等的安装技术急速进展。对于用于半导体器件中使用的半导体构件的绝缘树脂材料，为了提高高频率的信号的传输速度、减少信号传输时的损耗，要求绝缘树脂的相对介电常数和介质损耗角正切低。
[0003]针对这种要求，报道了如下技术：通过使具有壳体部和被该壳体部包围的中空部分的中空颗粒混合存在于绝缘树脂，从而在绝缘树脂内导入空域，实现了低比介电化、低介质损耗角正切化。
[0004]作为公知的中空颗粒之一，已知有丙烯酸类中空树脂颗粒。例如报道了，通过将以三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯为代表的丙烯酸类多官能单体作为主成分的单体与疏水性溶剂一起进行悬浮聚合，从而得到丙烯酸类中空树脂颗粒(专利文献1)。然而，丙烯酸类树脂的相对介电常数和介质损耗角正切高，使低介电特性恶化。因此，专利文献1中记载的丙烯酸类中空树脂颗粒无法用于近年来的处理高频率的信号的半导体器件。
[0005]另一方面，作为相对介电常数和介质损耗角正切低于丙烯酸类中空树脂颗粒的中空树脂颗粒，已知有苯乙烯系中空树脂颗粒。作为这种苯乙烯系中空树脂颗粒，例如报道了，通过将二乙烯基苯与碳数8～18的饱和烃类(具体而言，十六烷)一起进行悬浮聚合，从而得到聚二乙烯基苯中空树脂颗(专利文献2)。然而，专利文献2中记载的聚二乙烯基苯中空树脂颗粒将聚乙烯醇作为分散剂，因此，聚乙烯醇残留于颗粒表面，会提高颗粒本身的相对介电常数和介质损耗角正切的数值，使低介电特性恶化，因此，无法用于近年来的处理高频率的信号的半导体器件。进而，聚乙烯醇中包含用于皂化反应的碱金属氢氧化物的残渣，因此，有成为低介电特性恶化的原因的问题。另外，专利文献2中记载的聚二乙烯基苯中空树脂颗粒混合存在于绝缘树脂而形成绝缘树脂材料的情况下，容易在颗粒表面与绝缘树脂之间(颗粒与绝缘树脂的界面)形成孔隙。因此，有绝缘树脂材料的强度降低的问题、低吸湿性恶化的问题。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第6513273号
[0009]专利文献2：日本特开2002
‑
080503号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]本专利技术的课题在于，提供：可以提供通过用于半导体构件用树脂组合物从而能体
现优异的低介电特性的半导体构件的、用于半导体构件用树脂组合物的苯乙烯系中空树脂颗粒。
[0012]用于解决问题的方案
[0013]本专利技术人设想使苯乙烯系中空树脂颗粒混合存在于绝缘树脂而形成半导体构件用树脂组合物的情况，对用于改善半导体构件的低介电特性的技术进行了研究。其结果发现：通过使用特定量的特定结构的单体作为苯乙烯系中空树脂颗粒的材料单体，从而可以抑制得到的苯乙烯系中空树脂颗粒中所含的碱金属和碱土金属的含量，由此，可以提供能体现优异的低介电特性的半导体构件，至此完成了本专利技术。
[0014]本专利技术的实施方式的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒具有：
[0015]壳体部和被该壳体部包围的中空部分，
[0016]该中空树脂颗粒中所含的锂元素、钠元素、钾元素、镁元素、和钾元素的浓度的总计为200mg/kg以下。
[0017]一个实施方式中，上述中空树脂颗粒中所含的氟化物离子、氯化物离子、亚硝酸根离子、硝酸根离子、磷酸根离子、和硫酸根离子的浓度的总计为200mg/kg以下。
[0018]一个实施方式中，上述中空树脂颗粒的平均粒径为0.1μm～5.0μm。
[0019]一个实施方式中，上述壳体部包含芳香族系聚合物(P1)，所述芳香族系聚合物(P1)是使包含芳香族系交联性单体(a)、芳香族系单官能单体(b)、和由式(1)表示的(甲基)丙烯酸酯系单体(c)的单体组合物进行聚合而得到的。
[0020][0021](R1表示H或CH3，R2表示H、烷基或苯基，R3‑
O表示碳原子数2～18的氧亚烷基，m为该氧亚烷基的平均加成摩尔数，表示1～100的数。)
[0022]一个实施方式中，上述氧亚烷基为选自由氧亚乙基、氧亚丙基和氧亚丁基组成的组中的至少1种。
[0023]一个实施方式中，上述单体组合物包含芳香族系交联性单体(a)10重量％～70重量％、芳香族系单官能单体(b)10重量％～70重量％、和由通式(1)表示的(甲基)丙烯酸酯系单体(c)1.0重量％～20重量％。
[0024]一个实施方式中，上述壳体部包含上述芳香族系聚合物(P1)，进而包含非交联性聚合物(P2)，所述非交联性聚合物(P2)为选自由聚烯烃、苯乙烯系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物、和苯乙烯
‑
(甲基)丙烯酸系聚合物组成的组中的至少1种。
[0025]一个实施方式中，上述芳香族系交联性单体(a)为二乙烯基苯。
[0026]一个实施方式中，上述芳香族系单官能单体(b)为选自由苯乙烯和乙基乙烯基苯组成的组中的至少1种。
[0027]本专利技术的实施方式的半导体构件包含本专利技术的实施方式的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。
[0028]专利技术的效果
[0029]根据本专利技术的实施方式，可以提供用于半导体构件用树脂组合物的苯乙烯系中空
树脂颗粒，其可以提供通过用于半导体构件用树脂组合物从而能体现优异的低介电特性的半导体构件。
附图说明
[0030]图1为实施例1中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(1)的TEM照片图。
[0031]图2为实施例2中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(2)的TEM照片图。
[0032]图3为实施例3中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(3)的TEM照片图。
[0033]图4为实施例4中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(4)的TEM照片图。
[0034]图5为实施例5中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(5)的TEM照片图。
[0035]图6为实施例6中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(6)的TEM照片图。
[0036]图7为实施例7中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(7)的TEM照片图。
[0037]图8为实施例8中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(8)的TEM照片图。
[0038]图9为实施例9中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(9)的TEM照片图。
[0039]图10为实施例10中得到的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒(10)的TEM照片图。
[0040]图11为实施例11中得到的用于半导体构件用树本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其具有：壳体部和被该壳体部包围的中空部分，该中空树脂颗粒中所含的锂元素、钠元素、钾元素、镁元素、和钾元素的浓度的总计为200mg/kg以下。2.根据权利要求1所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述中空树脂颗粒中所含的氟化物离子、氯化物离子、亚硝酸根离子、硝酸根离子、磷酸根离子、和硫酸根离子的浓度的总计为200mg/kg以下。3.根据权利要求1或2所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述中空树脂颗粒的平均粒径为0.1μm～5.0μm。4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述壳体部包含芳香族系聚合物(P1)，所述芳香族系聚合物(P1)是使包含芳香族系交联性单体(a)、芳香族系单官能单体(b)、和由式(1)表示的(甲基)丙烯酸酯系单体(c)的单体组合物进行聚合而得到的，R1表示H或CH3，R2表示H、烷基或苯基，R3‑
O表示碳原子数2～18的氧亚烷基，m为该氧亚烷基的平均加成摩尔数，表示1～100的数。5.根据权利要求4所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述氧亚烷基...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦春彦，冈本光一朗，
申请(专利权)人：积水化成品工业株式会社，
类型：发明
国别省市：